半导体器件原理与工艺31.ppt
书生****写意
亲,该文档总共67页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~
相关资料
半导体器件原理与工艺31.ppt
半导体加工工艺原理光刻光刻的工艺流程光刻的工艺流程涂胶前烘对准和曝光套准偏差显影坚膜LithographcSystem光刻分辨率光源系统接触式光刻接近式光刻投影式光刻光刻胶光刻胶的性能及其主要的测定方法光刻胶的性能-1光刻胶的性能-2聚合物DQN正胶DQN正胶的典型反应DQN正胶感光机理光刻胶的对比度光刻胶的对比度光刻胶的涂敷与显影显影中的三个主要问题甩胶先进光刻技术浸入光刻电子束光刻X-RayLithography投影式X射线光刻离子束光刻Pt淀积FEA制造纳米压印光刻纳米压印光刻LiftOf
半导体器件原理与工艺(器件)1.ppt
半导体器件微电子学研究领域半导体中的缺陷电子:带负电的导电载流子是价电子脱离原子束缚后形成的自由电子对应于导带中占据的电子空穴:带正电的导电载流子是价电子脱离原子束缚后形成的电子空位对应于价带中的电子空位半导体、绝缘体和导体半导体器件突变结耗尽区的电场与电势分布电场分布电势分布耗尽层宽度耗尽层宽度VA0条件下的突变结反偏PN结线性缓变结定量方程耗尽层边界(续)准中性区载流子浓度理想二极管方程理想二极管方程(1)电子电流PN结电流空间电荷区的产生与复合空间电荷区的产生与复合-1VA
半导体器件半导体工艺掺杂.pptx
掺杂工艺目的扩散扩散形成的掺杂区和结扩散工艺步骤扩散方式淀积工艺受控制或约束的因素淀积工艺受控制或约束的因素扩散源扩散源扩散源2、推进氧化drive-in-oxidation氧化的影响离子注入离子注入概念离子注入系统离子注入系统离子注入系统束流聚焦:离开加速管后,束流由于相同电荷的排斥作用而发散。发散导致离子密度不均匀和晶体掺杂不均一。成功的离子注入,束流必须聚焦。静电或磁透镜用于将离子束聚焦为小尺寸束流或平行束流。束流中和:尽管真空去除了系统中大部分空气,但是束流附近还是有些残存的气体分子。离子和这些气
半导体器件原理.ppt
半导体器件原理第三章MOSFET的基本特性3.1.1MOSFET简介3.1.1MOSFET简介3.1.1MOSFET简介3.1.2MOSFET的结构3.1.3MOSFET的基本工作原理3.1.4MOSFET的分类和符号3.1.5MOSFET的输出特性和转移特性3.1.5MOSFET的输出特性和转移特性3.1.5MOSFET的输出特性和转移特性3.1.5MOSFET的输出特性和转移特性第三章MOSFET的基本特性3.2.1半导体的表面状态3.2.2阈值电压的表达式3.2.2阈值电压的表达式3.2.3影响VT
半导体器件与工艺(3).ppt
双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管晶体管的直流电流放大系数晶体管电流放大系数和电流放大能力(2)共射极直流电流放大系数共发射极电路是用去控制以实现电流放大的。晶体管电流放大系数和电流放大能力(3)与的关系晶体管电流放大系数和电流放大能力(4)晶体管具有放大能力所满足的条件(以NPN管为例)①发射区高掺杂能发射大量电子;②基区低掺杂且基区宽度