射频功率放大电路及射频前端装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111211743A(43)申请公布日2020.05.29(21)申请号201910746100.1(22)申请日2019.08.13(71)申请人上海猎芯半导体科技有限公司地址200083上海市虹口区花园路66弄1号嘉和国际大厦1号楼2608室(72)发明人赵卫军王小保(74)专利代理机构北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)11442代理人马铁良(51)Int.Cl.H03F3/19(2006.01)H03F3/21(2006.01)H03F3/24(2006.01)H03G3/30(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图3页(54)发明名称射频功率放大电路及射频前端装置(57)摘要本发明公开了一种射频功率放大电路及射频前端装置，其中，射频功率放大电路包括功率放大基本电路、第一偏置电路、第二偏置电路和调节电路，功率放大基本电路具有用于接收待放大信号的信号输入端，及用于输出放大后信号的信号输出端；第一偏置电路被配置为向信号输入端提供第一偏置信号；第二偏置电路被配置在开启状态下，向信号输入端提供第二偏置信号，以补偿功率放大基本电路的增益损失；调节电路被配置为在待放大信号的功率大于第一预设功率时，控制第二偏置电路开启；功率放大基本电路被配置根据第一偏置信号，或者根据第一偏置信号和第二偏置信号，按照恒定增益放大待放大信号，以获得放大后信号。CN111211743ACN111211743A权利要求书1/2页1.一种射频功率放大电路，其特征在于，包括功率放大基本电路、第一偏置电路、第二偏置电路和调节电路，所述功率放大基本电路具有用于接收待放大信号的信号输入端，及用于输出放大后信号的信号输出端；所述第一偏置电路被配置为向所述信号输入端提供第一偏置信号；所述第二偏置电路被配置在开启状态下，向所述信号输入端提供第二偏置信号，以补偿所述功率放大基本电路的增益损失；所述调节电路被配置为在所述待放大信号的功率大于第一预设功率时，控制所述第二偏置电路开启；所述功率放大基本电路被配置根据所述第一偏置信号，或者根据所述第一偏置信号和所述第二偏置信号，按照恒定增益放大所述待放大信号，以获得所述放大后信号。2.根据权利要求1所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述第一偏置电路包括：第一发射极跟随器、第一电容、第一电阻；其中：所述第一发射极跟随器的集电极与第一外接电源的电源输出端连接，所述第一发射极跟随器的基极与为所述第一发射极跟随器提供偏置信号的第一偏置电路的偏置信号源输出端连接；所述第一电阻连接在所述第一发射极跟随器的发射极与所述信号输入端之间；所述第一电容连接在所述第一发射极跟随器的基极与地之间；其中，所述第一偏置电路的偏置信号源被配置为，在所述第一偏置电路的偏置信号源作用下，所述第一发射极跟随器处于开启状态。3.根据权利要求1所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述第二偏置电路包括第二发射极跟随器、第二电容、第二电阻；其中：所述第二发射极跟随器的集电极与第二外接电源的电源输出端连接，所述第二发射极跟随器的基极与为所述第二发射极跟随器提供偏置信号的第二偏置电路的偏置信号源输出端连接；所述第二电阻连接在所述第二发射极跟随器的发射极与所述信号输入端之间；所述第二电容连接在所述第一发射极跟随器的基极与地之间；其中，所述第二偏置电路的偏置信号源被配置为，仅在所述第二偏置电路的偏置信号源作用下，所述第二发射极跟随器处于关闭状态。4.根据权利要求3所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述调节电路连接在所述信号输出端与所述第二发射极跟随器的发射极之间。5.根据权利要求3所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述功率放大基本电路包括功率放大管和输入匹配电路；所述信号输入端经由所述输入匹配电路与所述功率放大管的控制端连接，所述第一偏置电路的输出所述第一偏置信号的输出端、及所述第二偏置电路的输出所述第二偏置信号的输出端均与所述功率放大管的控制端连接；所述调节电路连接在所述信号输入端与所述第二发射极跟随器的发射极之间；或者，所述调节电路连接在所述信号输出端与所述第二发射极跟随器的发射极之间。6.根据权利要求5所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述功率放大基本电路的功率放大管为NPN管；其中：2CN111211743A权利要求书2/2页所述NPN管的基极作为所述功率放大管的控制端；所述NPN管的发射极接地；所述NPN管的集电极与第三外接电源的电源输出端连接，且作为所述信号输出端。7.根据权利要求1-6任一项所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述调节电路包括第三电容；或者，所述调节电路包括第三电容和第三电阻，所述第三电容与所述第三电阻串联或并联。8.一种射频前端装置，其特征在于，包括如权利