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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102449042A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102449042A(43)申请公布日2012.05.09(21)申请号201080023057.3(51)Int.Cl.(22)申请日2010.03.24C08J5/22(2006.01)B01D61/46(2006.01)(30)优先权数据B01D71/38(2006.01)2009-0748052009.03.25JP2009-1445432009.06.17JP(85)PCT申请进入国家阶段日2011.11.25(86)PCT申请的申请数据PCT/JP2010/0551102010.03.24(87)PCT申请的公布数据WO2010/110333JA2010.09.30(71)申请人可乐丽股份有限公司地址日本冈山县仓敷市酒津1621番地(72)发明人直原敦小林谦一藤原直树(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001代理人孙秀武高旭轶权利要求书3页说明书16页附图2页(54)发明名称阴离子交换膜及其制造方法(57)摘要本发明提供含有对于以乙烯醇系聚合物嵌段和具有阳离子性基团的聚合物嵌段作为构成成分的嵌段共聚物实施交联处理而得到的物质作为主要成分的阴离子交换膜。此外,对由该嵌段共聚物的溶液得到的被膜在100℃以上的温度下进行热处理后,在水、醇或它们的混合溶剂中,在酸性条件下利用二醛化合物进行交联处理,接着进行水洗处理,由此制造阴离子交换膜。由此,可以提供抑制有机污染且膜电阻、离子迁移数等基础特性和膜强度优异的阴离子交换膜。CN10249ACCNN110244904202449065A权利要求书1/3页1.阴离子交换膜,其含有对于以乙烯醇系聚合物嵌段(A)和具有阳离子性基团的聚合物嵌段(B)作为构成成分的嵌段共聚物(P)实施交联处理而得到的物质作为主要成分。2.如权利要求1所述的阴离子交换膜,其特征在于,所述聚合物嵌段(B)以下述通式(2)作为重复单元,[化1]式中,R1表示氢原子或碳原子数1~4的烷基,R2、R3、R4各自独立地表示氢原子,或者可以连接形成饱和或不饱和环状结构的可具有取代基的碳原子数1~18的烷基、芳基或芳烷基,Z表示-O-或NH-,Y表示可以夹杂杂原子的总碳原子数1~8的二价连接基团,X-表示阴离子。3.如权利要求1所述的阴离子交换膜,其特征在于,所述聚合物嵌段(B)以下述通式(3)作为重复单元,[化2]式中,R5表示氢原子或甲基,R2、R3、R4、X-的含义与通式(2)相同。4.如权利要求1所述的阴离子交换膜,其特征在于,所述聚合物嵌段(B)以下述通式(4)和/或(5)作为重复单元,[化3]式中,R2、R3、X-的含义与通式(2)相同。2CCNN110244904202449065A权利要求书2/3页5.如权利要求1所述的阴离子交换膜,其特征在于,所述聚合物嵌段(B)以下述通式(6)和/或(7)作为重复单元,[化4]式中,n表示0或1,R2、R3、R4、X-的含义与通式(2)相同。6.如权利要求1~5中任意一项所述的阴离子交换膜,其中,离子交换容量为0.30meq/g以上。7.阴离子交换膜,其含有对于以乙烯醇系聚合物嵌段(A)和具有阳离子性基团的聚合物嵌段(B)作为构成成分的嵌段共聚物(P)与聚合度为200~8000、皂化度为80摩尔%以上的乙烯醇系聚合物(Q)的混合物实施交联处理而得到的物质作为主要成分,其中,嵌段共聚物(P)与乙烯醇系聚合物(Q)的质量比(P/Q)为3/97以上。8.如权利要求7所述的阴离子交换膜,其特征在于,所述聚合物嵌段(B)以下述通式(2)作为重复单元,[化5]式中,R1表示氢原子或碳原子数1~4的烷基,R2、R3、R4各自独立地表示氢原子,或者可以连接形成饱和或不饱和环状结构的可具有取代基的碳原子数1~18的烷基、芳基或芳烷基,Z表示-O-或NH-,Y表示可以夹杂杂原子的总碳原子数1~8的二价连接基团,X-表示阴离子。9.如权利要求7所述的阴离子交换膜,其特征在于,所述聚合物嵌段(B)以下述通式(3)作为重复单元,[化6]3CCNN110244904202449065A权利要求书3/3页式中,R5表示氢原子或甲基,R2、R3、R4、X-的含义与通式(2)相同。10.如权利要求7所述的阴离子交换膜,其特征在于,所述聚合物嵌段(B)以下述通式(4)和/或(5)作为重复单元,[化7]式中,R2、R3、X-的含义与通式(2)相同。11.如权利要求7所述的阴离子交换膜,其特征在于,所述聚合物嵌段(B)以下述通式(6)和/或(7)作为重复单元,[化8]式中,n表示0或1,R2、R3、R4、X-的含义与通式(2)相同。12.如权利要求7~11中任意一项所述的阴离子交换膜,