边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103809340103809340A(43)申请公布日2014.05.21(21)申请号201310557583.3(22)申请日2013.11.11(30)优先权数据10-2012-01279972012.11.13KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人尹泳奕崔赫金元头(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人吕俊刚刘久亮(51)Int.Cl.G02F1/1362(2006.01)G02F1/1368(2006.01)H01L21/77(2006.01)权权利要求书3页利要求书3页说明书9页说明书9页附图12页附图12页(54)发明名称边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法(57)摘要本发明涉及边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。用于液晶显示装置的阵列基板包括公共线和选通线。该阵列基板包括第一钝化层、第二钝化层、第三钝化层和薄膜晶体管。第二钝化层包括分别与漏极和公共线相对应的第一孔和第二孔。第二钝化层上的公共电极包括与薄膜晶体管相对应的第一开口和第二孔中的第二开口。穿过第三钝化层和第一钝化层的漏接触孔露出第二孔中的公共电极。穿过第三钝化层和第一钝化层的第二公共接触孔露出公共线，并且像素电极包括第三开口和将公共电极连接到第三钝化层上的公共线的连接图案。CN103809340ACN103894ACN103809340A权利要求书1/3页1.一种用于边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：公共线，其位于包括显示区域的基板上；第一选通线和第二选通线，它们位于所述公共线的相对侧；栅绝缘层，其位于所述第一选通线、所述第二选通线和所述公共线上；第一数据线和第二数据线，它们位于所述栅绝缘层上，所述第一数据线和所述第二数据线与所述第一选通线和所述公共线中的一个交叉以限定第一像素区域，并且与所述第二选通线和所述公共线中的一个交叉以限定第二像素区域；第一薄膜晶体管TFT和第二TFT，它们位于所述第一像素区域和所述第二像素区域中的每一个中；第一钝化层，其位于所述第一数据线、所述第二数据线、所述第一TFT和所述第二TFT上；第二钝化层，其位于所述第一钝化层上，并且包括分别与所述第一TFT和所述第二TFT的漏极和所述公共线相对应的第一孔和第二孔；公共电极，其位于所述第二钝化层上，并且包括与所述第一TFT和所述第二TFT中的每一个相对应的第一开口和所述第二孔中的第二开口；第三钝化层，其位于所述公共电极上；漏接触孔，其与所述第一孔相对应并穿过所述第三钝化层和所述第一钝化层，使得所述第一TFT和所述第二TFT的所述漏极通过所述漏接触孔露出；第一公共接触孔，其与所述第二孔相对应并穿过所述第三钝化层，使得所述第二孔中的所述公共电极通过所述第一公共接触孔露出；第二公共接触孔，其与所述第二开口相对应并穿过所述第三钝化层、所述第一钝化层和所述栅绝缘层，使得所述公共线通过所述第二公共接触孔露出；像素电极，其位于所述第三钝化层上以及所述第一像素区域和所述第二像素区域中的每一个中，所述像素电极包括至少一个第三开口并且连接到各个漏极；以及连接图案，其位于所述第三钝化层上，并且将所述公共电极连接到所述公共线。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述公共线设置在所述显示区域的中心。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述公共线设置在所述第一选通线中的一个与所述第二选通线中的一个之间，并且其中，其它选通线彼此相邻并且其间没有所述公共线。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述连接图案的一端在所述第一公共接触孔中与所述公共电极接触，并且所述连接图案的另一端在所述第二公共接触孔中与所述公共线接触。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述栅绝缘层、所述第一钝化层和所述第三钝化层由氧化硅或氮化硅中的一种形成，并且所述第二钝化层由光敏亚克力形成。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一TFT连接到所述第一选通线和所述第一数据线，并且所述第二TFT连接到所述第二选通线和所述第二数据线。7.根据权利要求1所述的基板，其中，所述第三开口在所述第一像素区域和所述第二像素区域中的每一个中具有弯曲形状，或者关于所述公共线具有弯曲形状。8.一种制造用于边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板的方法，该方法包括以下步2CN103809340A权利要求书2/3页骤：在显示区域的中心形成公共线，在所述公共线的一侧形成第一选通线，在所述公共线的另一侧形成第二选通线，并且形成连接到各选通线的栅极；在所述公共线、所述第一选通线、所述第二选通线和所述栅极上形成栅绝缘层；在所述选通线上形成与所述栅极相对应的半导体层，在所