量子棒及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103840052103840052A(43)申请公布日2014.06.04(21)申请号201310596775.5(22)申请日2013.11.22(30)优先权数据10-2012-01338152012.11.23KR10-2012-01351622012.11.27KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人郑京锡蔡基成金珍郁赵晟希(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人丁香兰庞东成(51)Int.Cl.H01L33/26(2010.01)H01L33/04(2010.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书10页说明书10页附图4页附图4页(54)发明名称量子棒及其制造方法(57)摘要本发明涉及一种量子棒及其制造方法，所述量子棒包括：具有棒状的ZnS半导体颗粒的芯；和过渡金属，所述过渡金属被用来掺杂所述芯，并且偏向所述芯长度方向的一侧。CN103840052ACN1038452ACN103840052A权利要求书1/1页1.一种量子棒，所述量子棒包括：具有ZnS半导体颗粒的棒状芯；和过渡金属，所述过渡金属被用来掺杂所述芯，并且所述过渡金属偏向所述芯长度方向的一侧。2.如权利要求1所述的量子棒，其中所述ZnS半导体颗粒为ZnSe、ZnO、ZnS、ZnxCd1-xSe和ZnxCd1-xS之一，其中0<x<1。3.如权利要求1所述的量子棒，其中所述过渡金属为Cu2+、Tb3+和Mn2+之一。4.如权利要求3所述的量子棒，其中所述过渡金属Cu2+发出绿光。5.如权利要求1所述的量子棒，其中相对于所述芯，所述过渡金属为约0.1重量%～约50重量%。6.如权利要求1所述的量子棒，其中所述芯的尺寸为约10nm～约10000nm。7.一种制造量子棒的方法，所述方法包括：使用ZnS半导体颗粒形成芯纳米晶体；使用过渡金属掺杂所述芯纳米晶体的表面；和使所述芯纳米晶体生长成棒状。8.如权利要求7所述的方法，其中所述ZnS半导体颗粒为ZnSe、ZnO、ZnS、ZnxCd1-xSe和ZnxCd1-xS之一，其中0<x<1。9.如权利要求7所述的方法，其中所述过渡金属为Cu2+、Tb3+和Mn2+之一。10.如权利要求7所述的方法，其中相对于所述芯，所述过渡金属为约0.1重量%～约50重量%。11.如权利要求7所述的量子棒，其中所述芯的尺寸为约10nm～约10000nm。12.一种量子棒，所述量子棒包括：混合有第一半导体颗粒和第二半导体颗粒的合金芯；和处于所述合金芯的表面上的棒状壳，并且所述壳由所述第一半导体颗粒和所述第二半导体颗粒中具有较大带隙的一种形成。13.如权利要求12所述的量子棒，其中所述合金芯的带隙小于所述壳的带隙。14.如权利要求12所述的量子棒，其中所述第一半导体颗粒和所述第二半导体颗粒为不同的来自CdSe、ZnS、CdS、ZnTe、CdSe、CdS、CdTe、ZnO、ZnSe、ZnS、ZnTe、HgSe、HgTe、CdZnTe、InP、InN、GaN、InSb、InAsP、InGaAs、GaAs、GaP、GaSb、AlP、AlN、AlAs、AlSb、CdSeTe、ZnCdSe、PbSe、PbTe、PbS、PbSnTe和Tl2SnTe5的半导体颗粒。15.如权利要求14所述的量子棒，其中所述合金芯由ZnxCd1-xSe、ZnxCd1-xS、CdSexS1-x、ZnTexSe1-x、ZnSexS1-x、ZnxIn1-xS、ZnxIn1-xSe、ZnxIn1-xTe、CuxIn1-xS、CuxIn1-xTe和GaPxN1-x中的一种制成，其中0<x<1。16.如权利要求15所述的量子棒，其中所述壳由CdSe、ZnS、CdS、ZnTe、CdSe、ZnSe、ZnTe、InP、GaN和GaP中的一种制成。17.如权利要求16所述的量子棒，其中所述芯由ZnxCd1-xS制成，并且所述壳由ZnS制成。18.如权利要求12所述的量子棒，其中所述芯为球状、椭球状、多面体状或棒状，并且所述壳的沿所述量子棒短轴方向截取的横截面的形状为圆形、椭圆形或多边形。2CN103840052A说明书1/10页量子棒及其制造方法[0001]本发明要求2012年11月23日和2012年11月27日在韩国递交的韩国专利申请第10-2012-0133815号和第10-2012-0135162号的权利，通过援引将其全面并入本说明书中，等同其在此得到完全阐述。技术领域[0002]本发明涉及一种量子棒，更具体而言，涉及一种轻质液晶显示装置、量子棒及其制造方法。背景技术[0003]通常，固态晶体的化学和物理性质与晶体的尺寸无关。但是，当固态晶