液晶显示器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105372859A(43)申请公布日2016.03.02(21)申请号201510680728.8G06F3/044(2006.01)(22)申请日2012.12.06(30)优先权数据10-2011-01400942011.12.22KR(62)分案原申请数据201210520929.82012.12.06(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人申熙善李锡宇刘载星金周汉李宣姃宋寅赫(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人徐金国赵静(51)Int.Cl.G02F1/1333(2006.01)G06F3/041(2006.01)权利要求书4页说明书12页附图13页(54)发明名称液晶显示器件及其制造方法(57)摘要本发明公开了一种实现了厚度减小、工艺简化且成本降低的LCD器件及其制造方法，其中通过使用公共电极作为感测电极用于形成电场以驱动液晶、和从液晶面板上表面除去触摸屏，该LCD器件包括在下基板上彼此交叉以限定多个像素的栅线和数据线；在多个像素中每一个中的像素电极；在与像素电极不同层中图案化的多个公共电极块，其中公共电极块与像素电极一起形成电场，并感测用户触摸；和与公共电极块电连接的多个感测线，其中，如果感测线与公共电极块中的一个电连接，则该感测线与剩余公共电极块绝缘。CN105372859ACN105372859A权利要求书1/4页1.一种LCD器件，包括：下基板；薄膜晶体管；第一钝化层，所述第一钝化层形成在所述薄膜晶体管上；像素电极，所述像素电极形成在所述第一钝化层上，并且所述像素电极通过在所述第一钝化层中形成的像素电极接触孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接；感测线，所述感测线形成在与所述像素电极相同的层并且以自所述像素电极成预定间隔定位；第二钝化层，所述第二钝化层形成在所述像素电极和所述感测线上；和公共电极块，所述公共电极块形成在所述第二钝化层上，并且所述公共电极块通过形成在所述第二钝化层中的公共电极接触孔与所述感测线电连接。2.如权利要求1所述的LCD器件，其中所述公共电极块中提供有至少一个狭缝。3.一种LCD器件，包括：下基板；薄膜晶体管；第一钝化层，所述第一钝化层形成在所述薄膜晶体管上；公共电极块，所述公共电极块形成在所述第一钝化层上；第二钝化层，所述第二钝化层形成在所述公共电极块上；像素电极，所述像素电极形成在所述第二钝化层上，并且所述像素电极通过在所述第一钝化层和所述第二钝化层中形成的像素电极接触孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接；和感测线，所述感测线形成在与所述像素电极相同的层并且以自所述像素电极成预定间隔定位，并且所述感测线通过形成在所述第二钝化层中的公共电极接触孔与所述公共电极块电连接。4.如权利要求3所述的LCD器件，其中所述公共电极块以固定间隔形成为多个公共电极块。5.如权利要求3所述的LCD器件，其中所述像素电极中提供有至少一个狭缝。6.一种LCD器件，包括：下基板；薄膜晶体管；第一钝化层，所述第一钝化层形成在所述薄膜晶体管上；像素电极，所述像素电极形成在所述第一钝化层上；感测线，所述感测线形成在所述像素电极上，其中与所述感测线交叠的像素电极与和所述薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极电绝缘，并且与所述感测线交叠的像素电极以自和所述薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极成预定间隔定位，其中和所述薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极是通过在所述第一钝化层中形成的像素电极接触孔和所述漏极电连接的；第二钝化层，所述第二钝化层形成在所述像素电极和所述感测线上；和公共电极块，所述公共电极块形成在所述第二钝化层上，并且所述公共电极块通过形成在所述第二钝化层中的公共电极接触孔与所述感测线电连接。2CN105372859A权利要求书2/4页7.如权利要求6所述的LCD器件，其中所述公共电极块中提供有至少一个狭缝。8.一种LCD器件，包括：下基板；薄膜晶体管；第一钝化层，所述第一钝化层形成在所述薄膜晶体管上；公共电极块，所述公共电极块形成在所述第一钝化层上；第二钝化层，所述第二钝化层形成在所述公共电极块上；像素电极，所述像素电极形成在所述第二钝化层上；和感测线，所述感测线形成在所述像素电极上，其中与所述感测线交叠的像素电极与和所述薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极电绝缘，并且与所述感测线交叠的像素电极以自和所述薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极成预定间隔定位，其中和所述薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极是通过在所述第一钝化层及所述第二钝化层中形成的像素电极接触孔和所述漏极电连接的。9.如权利要求8所述的LCD器件，其中所述公共电极块以固定间隔形成为多个公共电极块。10.如权利要求8所述的LCD器件，其中，通过在所述第一钝化