显示器底板及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105612620A(43)申请公布日2016.05.25(21)申请号201580001899.1(51)Int.Cl.(2006.01)(22)申请日2015.02.25H01L27/32H01L51/56(2006.01)(30)优先权数据10-2014-00837312014.07.04KR61/944,4992014.02.25US61/944,4642014.02.25US14/231,5862014.03.31US(85)PCT国际申请进入国家阶段日2016.03.16(86)PCT国际申请的申请数据PCT/KR2015/0018362015.02.25(87)PCT国际申请的公布数据WO2015/130082KO2015.09.03(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人金兑桓赵南旭金炯洙李在冕(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人徐金国权利要求书1页说明书19页附图21页(54)发明名称显示器底板及其制造方法(57)摘要提供了一种有机发光显示器。所述有机发光显示器包括多类型薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管。所述多类型TFT具有低温多晶硅(LTPS)TFT和设置在所述LTPSTFT上的氧化物半导体TFT(氧化物TFT)。所述有机发光二极管电连接至所述多类型TFT。所述LTPSTFT和所述氧化物TFT连接至同一栅极线。CN105612620ACN105612620A权利要求书1/1页1.一种有机发光显示器，包括：多类型薄膜晶体管(TFT)，所述多类型TFT具有低温多晶硅(LTPS)TFT和设置在所述LTPSTFT上的氧化物半导体TFT(氧化物TFT)；和电连接至所述多类型TFT的有机发光二极管，其中所述LTPSTFT和所述氧化物TFT连接至同一栅极线。2.根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中所述LTPSTFT的栅极电极配置成充当所述氧化物TFT的栅极电极。3.根据权利要求2所述的有机发光显示器，其中所述LTPSTFT的源极电极配置成充当所述氧化物TFT的源极电极，并且所述LTPSTFT的漏极电极配置成充当所述氧化物TFT的漏极电极。4.根据权利要求3所述的有机发光显示器，其中所述LTPSTFT的所述栅极电极设置在所述LTPSTFT的有源层上，所述氧化物TFT的有源层设置在所述LTPSTFT的所述栅极电极上，并且所述LTPSTFT的所述源极电极和所述漏极电极与所述LTPSTFT的所述有源层和所述氧化物TFT的所述有源层接触。5.根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中所述LTPSTFT的有源层与所述氧化物TFT的有源层重叠。6.根据权利要求5所述的有机发光显示器，其中所述LTPSTFT和所述LTPSTFT设置成使得所述氧化物TFT的沟道区域和所述LTPSTFT的沟道区域彼此重叠。7.根据权利要求6所述的有机发光显示器，其中所述氧化物TFT的所述有源层和栅极电极彼此重叠的区域的面积与所述LTPSTFT的所述有源层和栅极电极彼此重叠的区域的面积不同，并且所述氧化物TFT的所述有源层和所述栅极电极彼此重叠的区域的长度与所述LTPSTFT的所述有源层和所述栅极电极彼此重叠的区域的长度不同。8.根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中所述氧化物TFT是n型TFT，并且所述LTPSTFT是p型TFT。9.根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中所述多类型TFT配置成作为驱动TFT来操作。10.根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中所述LTPSTFT的栅极电极配置成遮蔽所述氧化物TFT的有源层的至少沟道区域。11.根据权利要求1所述的有机发光显示器，进一步包括设置在所述氧化物TFT的有源层下方的氢阻挡层，以便阻挡氢。2CN105612620A说明书1/19页显示器底板及其制造方法技术领域[0001]本公开内容涉及一种用于显示装置的薄膜晶体管(TFT)底板，尤其涉及一种使显示器在功率方面更有效操作的TFT底板以及制造这种TFT底板的方法。背景技术[0002]平板显示器(FPD)应用于诸如移动电话、平板电脑、笔记本电脑以及电视和监视器之类的各种电子装置中。FPD的例子包括液晶显示器(LCD)、等离子显示面板(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示器以及电泳显示器(EPD)。[0003]一般来说，FPD中的像素布置成矩阵形式，并且当像素被薄膜晶体管(TFT)阵列(也被称为TFT底板)电学激活时产生光(发光)。由于TFT底板起控制流到每个单独像素的电流的一系列开关的作用，所以TFT底板在FPD中扮演重要的角色。到目前为止开发出的TFT底板能分为两种主要类型：使用具有非晶硅(a-Si)有源层的TFT的一种