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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115842082A(43)申请公布日2023.03.24(21)申请号202310059607.6G09F9/33(2006.01)(22)申请日2023.01.17(30)优先权数据1111457172022.11.29TW(71)申请人友达光电股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号(72)发明人梁育馨黄婉真王修华林威廷(74)专利代理机构北京市立康律师事务所11805专利代理师滕冲梁挥(51)Int.Cl.H01L33/60(2010.01)H01L27/12(2006.01)H01L21/77(2017.01)权利要求书2页说明书10页附图14页(54)发明名称显示器结构及其制造方法(57)摘要一种显示器结构包含第一基板、第二基板、第一凸块、发光单元、连通柱、第二凸块以及第三凸块。第二基板设置于第一基板上。第一凸块设置于第二基板的顶面上。发光单元设置于第一凸块上。连通柱填充贯穿第一基板以及第二基板的通孔。第二凸块设置于第二基板的顶面上并连接连通柱。第二凸块的厚度大于第一凸块的厚度。第三凸块设置于第一基板的底面上并连接连通柱。CN115842082ACN115842082A权利要求书1/2页1.一种显示器结构,其特征在于,包含:一第一基板;一第二基板,设置于该第一基板上;一第一凸块,设置于该第二基板的一顶面上;一发光单元,设置于该第一凸块上;一连通柱,填充贯穿该第一基板以及该第二基板的一通孔;一第二凸块,设置于该第二基板的该顶面上并连接该连通柱,其中该第二凸块的一厚度大于该第一凸块的一厚度;以及一第三凸块,设置于该第一基板的一底面上并连接该连通柱。2.如权利要求1所述的显示器结构,其特征在于,进一步包含:一第一种子层,位于该第一凸块与该第二基板之间以及该第二凸块与该第二基板之间;以及一第二种子层,位于该连通柱与该通孔之间以及该第三凸块与该第一基板之间。3.如权利要求1所述的显示器结构,其特征在于,其中该第二凸块的该厚度与该第一凸块的该厚度的一厚度差大于0.5微米。4.如权利要求1所述的显示器结构,其特征在于,其中该第三凸块的一宽度大于该第二凸块的一宽度。5.如权利要求4所述的显示器结构,其特征在于,其中该第三凸块的该宽度大于17微米。6.如权利要求1所述的显示器结构,其特征在于,其中以俯视观之,该第二凸块位于该第一凸块的周围。7.如权利要求6所述的显示器结构,其特征在于,其中该第二凸块的该厚度大于该第一凸块的该厚度以及该发光单元的一厚度的总和。8.如权利要求1所述的显示器结构,其特征在于,进一步包含一主动元件,且该主动元件位于该第二基板中。9.如权利要求8所述的显示器结构,其特征在于,其中该主动元件藉由一接触件连接该第一凸块。10.如权利要求8所述的显示器结构,其特征在于,其中该主动元件为薄膜晶体管。11.一种显示器结构的制造方法,其特征在于,包含:提供一玻璃基板、一第一基板以及一第二基板,其中该第一基板位于该玻璃基板上,该第二基板位于该第一基板上;形成一第一光阻层于该第二基板上方,其中该第一光阻层具有数个镂空部;填充一第一导电材料于该第一光阻层的该些镂空部中;去除该第一光阻层并回蚀该第一导电材料以形成图案化的该第一导电材料;去除该玻璃基板;藉由蚀刻形成一通孔穿过该第一导电材料、该第一基板以及该第二基板;形成一第二光阻层于该第二基板的一顶面以及一第三光阻层于该第一基板的一底面,其中该第二光阻层以及该第三光阻层各具有一镂空部,该第二光阻层的该镂空部以及该第三光阻层的该镂空部分别连接该通孔的两端,且该第二光阻层的该镂空部的一高度大于该2CN115842082A权利要求书2/2页第一导电材料的一厚度;填充一第二导电材料于该第二光阻层的该镂空部、该通孔以及该第三光阻层的该镂空部中,其中该第二导电材料于该通孔中形成一连通柱,且该第二导电材料与该第一导电材料相同;去除该第二光阻层以及该第三光阻层以形成图案化的该第二导电材料;回蚀图案化的该第一导电材料以及图案化的该第二导电材料以形成一第一凸块、一第二凸块以及一第三凸块;以及将一发光单元设置于该第一凸块上,且该第二凸块的一厚度大于该第一凸块的一厚度。12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,进一步包含形成一第一种子层于该第二基板上,且该形成该第一种子层于该第二基板上的步骤执行于该形成该第一光阻层于该第二基板上方的步骤之前。13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,其中该第一种子层位于该第一凸块与该第二基板之间以及该第二凸块与该第二基板之间。14.如权利要求11所述的方法,其特征在于,进一步包含形成一第二种子层于该通孔的一内表面以及该第一基板的该底面,且该形成该第二种子层于该通孔的该内表面以及该第一基