低折射组合物及其制备方法以及透明导电膜.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106164711A(43)申请公布日2016.11.23(21)申请号201580018312.8(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司(22)申请日2015.03.2411332代理人吕琳刘明海(30)优先权数据10-2014-00407822014.04.04KR(51)Int.Cl.G02B1/111(2015.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C09D183/04(2006.01)2016.09.30(86)PCT国际申请的申请数据PCT/KR2015/0028832015.03.24(87)PCT国际申请的公布数据WO2015/152559KO2015.10.08(71)申请人乐金华奥斯有限公司地址韩国首尔(72)发明人柳茂善金源国权利要求书2页说明书14页附图1页(54)发明名称低折射组合物及其制备方法以及透明导电膜(57)摘要本发明提供包含有机多分子硅醚(organopolysiloxane)及平均直径为约30nm至约70nm的无机粒子的低折射组合物及其制备方法以及透明导电膜。CN106164711ACN106164711A权利要求书1/2页1.一种低折射组合物，其特征在于，包含有机多分子硅醚及平均直径为30nm至70nm的无机粒子。2.根据权利要求1所述的低折射组合物，其特征在于，相对于100重量份的所述有机多分子硅醚，包含0.5重量份至20重量份的所述无机粒子。3.根据权利要求1所述的低折射组合物，其特征在于，所述有机多分子硅醚包含选自由1至18个碳原子数的烷基、1至18个碳原子数的烷氧基、2至6个碳原子数的酯基、2至12个碳原子数的环氧基、2至12个碳原子数的烯基、6至12个碳原子数的芳基、3至18个碳原子数的丙烯酸基、缩水甘油基、胺基、硫醇基、卤素基及它们的组合组成的组中的至少一种官能团。4.根据权利要求1所述的低折射组合物，其特征在于，所述有机多分子硅醚包括线性结构、网状结构，或者所述有机多分子硅醚同时包括线性结构和网状结构。5.根据权利要求1所述的低折射组合物，其特征在于，所述有机多分子硅醚由包含以下化学式1的硅烷化合物及以下化学式2的硅烷化合物的组合物发生溶胶-凝胶反应而成，化学式1：12RxSi(OR)4-x化学式2：3Si(OR)4在所述化学式1中，所述R1为1至18个碳原子数的烷基、2至6个碳原子数的酯基、2至12个碳原子数的环氧基、2至12个碳原子数的烯基、6至12个碳原子数的芳基、3至18个碳原子数的丙烯酸基、缩水甘油基、胺基、硫醇基或卤素基，所述R2及所述R3分别独立为H或1至18个碳原子数的烷基，所述x为1、2或3。6.根据权利要求5所述的低折射组合物，其特征在于，在发生所述溶胶-凝胶反应之前，所述低折射组合物中以混合的方式还包含所述无机粒子。7.根据权利要求1所述的低折射组合物，其特征在于，所述有机多分子硅醚的重均分子量为3000g/mol至55000g/mol。8.根据权利要求1所述的低折射组合物，其特征在于，所述无机粒子包含选自由二氧化硅粒子、氧化铝粒子、氧化锆粒子、氧化钛粒子、氧化锑粒子及它们的组合组成的组中的至少一种粒子。9.根据权利要求1所述的低折射组合物，其特征在于，不包含取代或未取代的单分子烷氧基硅烷化合物，或者还包含取代或未取代的单分子烷氧基硅烷化合物。10.一种透明导电膜，其特征在于，包括由权利要求1至9中任一项所述的低折射组合物形成的低折射层。11.根据权利要求10所述的透明导电膜，其特征在于，在所述低折射层的上部面形成有微细凹凸；所述微细凹凸由无机粒子形成。12.根据权利要求10所述的透明导电膜，其特征在于，所述低折射层的厚度为10nm至50nm。13.根据权利要求10所述的透明导电膜，其特征在于，所述低折射层的折射率为1.40至1.50。14.根据权利要求10所述的透明导电膜，其特征在于，2CN106164711A权利要求书2/2页在所述低折射层的下部依次还形成有高折射层及基材层；在所述低折射层的上部还形成有导电层。15.根据权利要求14所述的透明导电膜，其特征在于，还包括与所述基材层的一面或两面相接的硬涂层。16.根据权利要求10所述的透明导电膜，其特征在于，透光率为85％以上，雾度为0.1％至0.8％。17.一种低折射组合物的制备方法，其特征在于，包括：混合以下化学式1的硅烷化合物、以下化学式2的硅烷化合物以及平均直径为30nm至70nm的无机粒子，来准备包含所述成分的原料组合物的步骤；以及使所述原料组合物发生溶胶-凝胶反应，来制备低折射组合物的步骤，化学式1：12RxSi(OR)4-x化学式2：3Si(OR)4在所述化学式1中，所述R1为1至18个碳原子数的烷基