电子设备及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107107551A(43)申请公布日2017.08.29(21)申请号201580070899.7(72)发明人太田匡彦犬伏康贵佐佐木良一(22)申请日2015.12.24森原靖中谷正和(30)优先权数据(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公2014-2611182014.12.24JP司720012015-0044322015.01.13JP代理人陈巍鲁炜2015-1079592015.05.27JP(51)Int.Cl.2015-1844122015.09.17JPB32B9/00(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L33/50(2006.01)2017.06.23(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2015/0064602015.12.24(87)PCT国际申请的公布数据WO2016/103720JA2016.06.30(71)申请人株式会社可乐丽地址日本冈山县仓敷市酒津１６２１番地权利要求书2页说明书32页附图5页(54)发明名称电子设备及其制造方法(57)摘要本发明涉及电子设备，其是包含量子点荧光体的电子设备，上述电子设备具备保护片，上述保护片包含包括基材(X)和在上述基材(X)上层叠的层(Y)的多层结构体(W)，上述层(Y)包含含有铝的化合物(A)和磷化合物(B)的反应产物(D)，上述反应产物(D)的平均粒径在5～50nm的范围内。CN107107551ACN107107551A权利要求书1/2页1.电子设备，其是包含量子点荧光体的电子设备，上述电子设备具备保护片，上述保护片包含包括基材(X)和在上述基材(X)上层叠的层(Y)的多层结构体(W)，上述层(Y)包含含有铝的化合物(A)和磷化合物(B)的反应产物(D)，上述反应产物(D)的平均粒径在5～50nm的范围内。2.权利要求1所述的电子设备，其中，在包含量子点荧光体的层的一侧或两侧配置上述保护片。3.权利要求1或2所述的电子设备，其中，上述磷化合物(B)是无机磷化合物(BI)。4.权利要求1～3的任一项所述的电子设备，其中，上述含有铝的化合物(A)是含有铝的金属氧化物(Aa)。5.权利要求1～4的任一项所述的电子设备，其中，上述反应产物(D)的平均粒径在20～40nm的范围内。6.权利要求1～5的任一项所述的电子设备，其在40℃、90%RH的条件下的透湿度为1.0g/(m2・day)以下。7.权利要求1～6的任一项所述的电子设备，其中，上述基材(X)包含热塑性树脂膜。8.权利要求1～7的任一项所述的电子设备，其中，上述层(Y)包含含有选自羰基、羟基、羧基、酸酐基和羧基的盐中的至少1种的官能团的聚合物(F)。9.权利要求1～8的任一项所述的电子设备，其中，上述多层结构体(W)进一步包含与上述层(Y)相邻而配置的层(Z)，上述层(Z)包含具有含磷原子的官能团的聚合物(BOa)。10.权利要求9所述的电子设备，其中，上述层(Z)的聚合物(BOa)是聚(乙烯基膦酸)或聚(2-膦酰基氧基乙基甲基丙烯酸酯)。11.权利要求1所述的包含量子点荧光体的电子设备的制造方法，其中，电子设备具备保护片，上述保护片包含包括基材(X)和在上述基材(X)上层叠的层(Y)的多层结构体(W)，上述层(Y)包含含有铝的化合物(A)和磷化合物(B)的反应产物(D)，上述制造方法包括：将包含含有铝的化合物(A)、磷化合物(B)和溶剂的涂布液(S)在上述基材(X)上施涂，形成包含反应产物(D)前体的层(Y)前体的步骤(I)，和将上述层(Y)前体在140℃以上的温度下热处理，由此形成上述层(Y)的步骤(II)，上述步骤(I)中的层(Y)的前体层的溶剂含有率为0.4wt%以下，且反应产物(D)前体的平均粒径低于5nm。12.权利要求11所述的制造方法，其中，上述磷化合物(B)是无机磷化合物(BI)。13.权利要求11或12所述的制造方法，其中，上述含有铝的化合物(A)是含有铝的金属氧化物(Aa)。14.权利要求11～13的任一项所述的制造方法，其中，上述步骤(I)中，将涂布液(S)施涂于上述基材(X)上之后，进一步具有将上述涂布液(S)中的溶剂除去的干燥步骤，上述干燥步骤中的干燥温度低于140℃。15.权利要求11～14的任一项所述的制造方法，其中，上述层(Y)前体的红外线吸收光-1-1谱中，1080～1130cm的范围中的吸光度的极大值AR和850～950cm的范围中的吸光度的极2CN107107551A权利要求书2/2页大值AP之比AR/AP为2.0以下。3CN107107551A说明书1/32页电子设备及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及电子设备及其制造方法。更详细而言，本发