充电元件、处理盒以及图像形成装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107589641A(43)申请公布日2018.01.16(21)申请号201710251442.7(22)申请日2017.04.18(30)优先权数据2016-1352522016.07.07JP(71)申请人富士施乐株式会社地址日本东京都(72)发明人成田幸介三浦宏之小川徹铃木友子(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人庞东成解延雷(51)Int.Cl.G03G15/02(2006.01)权利要求书2页说明书14页附图6页(54)发明名称充电元件、处理盒以及图像形成装置(57)摘要本发明公开了一种充电元件、处理盒以及图像形成装置，该充电元件包括支架、设置在所述支架上的导电弹性层以及设置在所述导电弹性层上的表面层。在采用电流值2.5pA作为电流阈值创建的二值图像中电流值为2.5pA以上的区域的平均尺寸大约为300nm以下，该电流阈值通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得。CN107589641ACN107589641A权利要求书1/2页1.一种充电元件，其特征在于，包括：支架；导电弹性层，其设置在所述支架上；以及表面层，其设置在所述导电弹性层上，其中，在采用电流值2.5pA作为电流阈值创建的二值图像中电流值为2.5pA以上的区域的平均尺寸为300nm以下，该电流阈值通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得。2.根据权利要求1所述的充电元件，其中，在所述二值图像中电流值为2.5pA以上的所述区域的平均尺寸为200nm以下。3.根据权利要求1所述的充电元件，其中，在所述二值图像中电流值为2.5pA以上的所述区域的平均尺寸为50nm以下。4.根据权利要求1所述的充电元件，其中，通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的所述外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得，总共有30nA以上的电流流经50μm的方形区域。5.根据权利要求1所述的充电元件，其中，通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的所述外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得，总共有35nA以上的电流流经50μm的方形区域。6.根据权利要求1所述的充电元件，其中，通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的所述外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得，总共有45nA以上的电流流经50μm的方形区域。7.根据权利要求1所述的充电元件，其中，通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的所述外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得，总共有150nA以下的电流流经50μm的方形区域。8.根据权利要求1所述的充电元件，其中，通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的所述外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得，总共有100nA以下的电流流经50μm的方形区域。9.根据权利要求1所述的充电元件，其中，通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的所述外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得，总共有55nA以下的电流流经50μm的方形区域。10.根据权利要求1所述的充电元件，其中，所述导电弹性层的外表面的10点平均粗糙度Rz(JISB0601:1994)为3.0至7.0μm。11.一种处理盒，可在所述图像形成装置上进行装拆，其特征在于，包括：2CN107589641A权利要求书2/2页电子照相感光体；以及充电装置，其包括根据权利要求1至10中任一项所述的充电元件并通过接触充电对所述电子照相感光体进行充电。12.一种图像形成装置，其特征在于，包括：电子照相感光体；充电装置，其包括根据权利要求1至10中任一项所述的充电元件并通过接触充电对所述电子照相感光体进行充电；潜像形成装置，其在所述已充电的电子照相感光体的表面形成潜像；显影装置，其使用包含色调剂的显影剂对所述电子照相感光体的所述表面形成的所述潜像进行显影以在所述电子照相感光体的所述表面形成色调剂图像；以及转印装置，其将所述色调剂图像从所述电子照相感光体的所述表面转印到记录介质上。13.根据权利要求12所述的图像形成装置，其中，对所述充电装置的所述充电元件只施加直流电压以通过接触充电对所述电子照相感光体进行充电。3CN107589641