电子照相感光体、处理盒以及图像形成装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107678255A(43)申请公布日2018.02.09(21)申请号201710311218.2(22)申请日2017.05.05(30)优先权数据2016-1514482016.08.01JP(71)申请人富士施乐株式会社地址日本东京都(72)发明人宫本昌彦春山大辅桥场成人(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人庞东成龚泽亮(51)Int.Cl.G03G5/147(2006.01)权利要求书2页说明书31页附图4页(54)发明名称电子照相感光体、处理盒以及图像形成装置(57)摘要本发明公开了一种电子照相感光体、处理盒以及图像形成装置，该电子照相感光体包括：导电基底，其满足条件(A)；底涂层，其满足条件(B)和条件(C)，设置在所述导电基底上，并且含有金属氧化物颗粒；以及感光层，其设置在所述底涂层上。条件(A)：在通过激光显微镜观察所述导电基底的表面存在的凹陷的情况下，最大凹陷的宽度为400μm以下，并且所述凹陷的深度为15μm以下；条件(B)：在对所述底涂层进行科尔-科尔图分析的情况下，复数阻抗分量最大的角频率ωmax为2.0rad至25.0rad；以及条件(C)：通过所述底涂层的所述科尔-科尔图分析获得的体积电阻率为7.0×107Ω至1.0×109Ω。CN107678255ACN107678255A权利要求书1/2页1.一种电子照相感光体，其特征在于，包括：导电基底，其满足条件(A)；底涂层，其满足条件(B)和条件(C)，设置在所述导电基底上，并且含有金属氧化物颗粒；以及感光层，其设置在所述底涂层上，其中，所述条件(A)至条件(C)如下：条件(A)：在通过激光显微镜观察所述导电基底的表面存在的凹陷的情况下，最大凹陷的宽度为400μm以下，并且所述凹陷的深度为15μm以下；条件(B)：在对所述底涂层进行科尔-科尔图分析的情况下，复数阻抗分量最大的角频率ωmax在2.0rad至25.0rad的范围内；以及条件(C)：通过所述底涂层的所述科尔-科尔图分析获得的体积电阻率在7.0×107Ω至1.0×109Ω的范围内。2.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其中，所述最大凹陷的宽度为380μm以下。3.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其中，所述最大凹陷的宽度为355μm以下。4.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其中，所述最大凹陷的宽度为12μm以上。5.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其中，所述最大凹陷的深度为14μm以下。6.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其中，所述最大凹陷的深度为12μm以下。7.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其中，所述最大凹陷的深度为3μm以上。8.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其中，所述角频率ωmax在2.0rad至15.0rad的范围内。9.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其中，所述角频率ωmax在2.0rad至14.0rad的范围内。10.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其中，所述体积电阻率在7.0×107Ω至2.0×108Ω的范围内。11.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其中，所述体积电阻率在7.0×107Ω至1.0×108Ω的范围内。12.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其中，所述底涂层含有化合物，该化合物具有带羟基并且由通式(1A)表示的蒽醌结构，(其中，R11表示具有1至10个碳原子的烷氧基或者具有6至30个碳原子的取代或未取代芳基，并且n表示1至8之间的整数)。13.一种处理盒，其特征在于，包括：根据权利要求1至12中任一项所述的电子照相感光体，其中，所述处理盒可拆卸地安装到图像形成装置上。14.一种图像形成装置，其特征在于，包括：2CN107678255A权利要求书2/2页根据权利要求1至12中任一项所述的电子照相感光体；充电单元，其用于对所述电子照相感光体的表面进行充电；静电潜像形成单元，其用于在所述已充电的电子照相感光体的所述表面上形成静电潜像；显影单元，其用于使用含有调色剂的显影剂对所述电子照相感光体的所述表面上的所述静电潜像进行显影以形成调色剂图像；以及转印单元，其用于将所述调色剂图像转印到记录介质的表面。3CN107678255A说明书1/31页电子照相感光体、处理盒以及图像形成装置技术领域[0001]本发明涉及一种电子照相感光体、处理盒以及图像形成装置。背景技术[0002]电子照相图像形成装置使高速、高质量打印成为可能，因此应用于诸如复印机和激光打印机的图像形成装置中。图像形成装置中使用的电子照相感光体的主流为含有有机感光材料的有机感光体。例如，在所述有机感光体的一般生产中，在诸如铝基底的导电基底上形成底涂层(也称为“中间层”)，然