触摸液晶显示装置及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107884973A(43)申请公布日2018.04.06(21)申请号201710910688.0(22)申请日2017.09.29(30)优先权数据10-2016-01267982016.09.30KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人朴炳勋表宗尚高东国(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人康建峰陈炜(51)Int.Cl.G02F1/1333(2006.01)G02F1/1362(2006.01)G06F3/041(2006.01)G06F3/044(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图7页(54)发明名称触摸液晶显示装置及其制造方法(57)摘要提供了一种In-cell触摸液晶显示装置(LCD)及其制造方法。该In-cell触摸LCD包括：下阵列基板；具有大于下阵列基板的面积的上阵列基板；在上阵列基板的内表面上的栅极线和数据线以及薄膜晶体管；在上阵列基板的内表面上并且将漏电极的一部分露出的平坦化层；在平坦化层上的公共电极；在平坦化层上并且将漏电极的所述部分漏出的钝化层；在钝化层上的触摸线；层间绝缘层，其在钝化层上，覆盖触摸线，并且将漏电极的所述部分、触摸线和公共电极露出；多个像素电极，其在层间绝缘层上，与公共电极交叠，并且连接至漏电极；以及连接触摸线和像素电极的连接线。CN107884973ACN107884973A权利要求书1/2页1.一种In-cell触摸液晶显示装置，包括：下阵列基板；上阵列基板，所述上阵列基板在所述下阵列基板上并面向所述下阵列基板，并且具有大于所述下阵列基板的面积；栅极线和数据线，所述栅极线和所述数据线在所述上阵列基板的内表面上，并且彼此交叉以限定像素区域；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管在所述上阵列基板的内表面上；平坦化层，所述平坦化层在所述上阵列基板的具有所述薄膜晶体管的内表面上，并且将所述薄膜晶体管的漏电极的一部分露出；公共电极，所述公共电极在所述平坦化层上；钝化层，所述钝化层在所述平坦化层上，并且将所述漏电极的所述一部分露出；触摸线，所述触摸线在所述钝化层上；层间绝缘层，所述层间绝缘层在所述钝化层上，覆盖所述触摸线，并且将所述漏电极的所述一部分、所述触摸线和所述公共电极露出；多个像素电极，所述多个像素电极在所述层间绝缘层上，与所述公共电极交叠，并且连接至所述漏电极；以及连接线，所述连接线连接所述触摸线和所述像素电极。2.根据权利要求1所述的装置，还包括氮化物绝缘层，所述氮化物绝缘层在所述栅极线和所述薄膜晶体管的栅电极下方，并且在所述上阵列基板的内表面上。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述公共电极被形成为板状。4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述公共电极形成在所述像素区域的基本上整个表面上方。5.根据权利要求1所述的装置，还包括在所述下阵列基板的外表面上的透明导电层。6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述下阵列基板是彩色滤光片阵列基板，以及所述上阵列基板是薄膜晶体管阵列基板。7.根据权利要求1所述的装置，其中，通过所述公共电极、形成在所述上阵列基板和所述下阵列基板的侧部处的银点部、以及接地线来产生静电放电路径。8.一种用于制造In-cell触摸液晶显示装置的方法，包括：设置下阵列基板和上阵列基板，所述上阵列基板在所述下阵列基板上并面向所述下阵列基板，并且具有大于所述下阵列基板的面积；形成栅极线和数据线，所述栅极线和所述数据线在所述上阵列基板的内表面上，并且彼此交叉以限定像素区域；形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管在所述上阵列基板的内表面上；形成平坦化层，所述平坦化层在所述上阵列基板的具有所述薄膜晶体管的内表面上，并且将所述薄膜晶体管的漏电极的一部分露出；形成公共电极，所述公共电极在所述平坦化层上；形成钝化层，所述钝化层在所述平坦化层上，并且将所述漏电极的所述一部分露出；形成触摸线，所述触摸线在所述钝化层上；形成层间绝缘层，所述层间绝缘层在所述钝化层上，覆盖所述触摸线，并且将所述漏电2CN107884973A权利要求书2/2页极的所述一部分、所述触摸线和所述公共电极漏出；以及形成多个像素电极和连接线，所述多个像素电极在所述层间绝缘层上，与所述公共电极交叠，并且连接至所述漏电极，所述连接线连接所述触摸线与所述像素电极。9.根据权利要求8所述的方法，还包括形成氮化物绝缘层，所述氮化物绝缘层在所述栅极线和所述薄膜晶体管的栅电极下方，并且在所述上阵列基板的内表面上。10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述公共电极被形成为板状。11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述公共电极形成在所述像素区域的基本上整个表面上方。12.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述下阵列基板