触摸液晶显示装置及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107885406A(43)申请公布日2018.04.06(21)申请号201710915992.4(22)申请日2017.09.30(30)优先权数据10-2016-01268982016.09.30KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人表宗尚申澈相车帝宪(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人康建峰杨华(51)Int.Cl.G06F3/047(2006.01)G06F3/045(2006.01)G06F3/044(2006.01)G02F1/1333(2006.01)权利要求书2页说明书13页附图7页(54)发明名称触摸液晶显示装置及其制造方法(57)摘要本发明公开了触摸液晶显示装置及其制造方法。in-cell式触摸液晶显示装置可以通过薄膜晶体管衬底实现屏幕显示和屏幕触摸，薄膜晶体管衬底的面积大于滤色器衬底的面积，从而提高了触摸性能和静电释放性能。因此，可以通过采用四边无边框设计来去除在常规技术中用于实现触摸的高电阻导电层，从而简化了制造工艺并且降低了制造成本。CN107885406ACN107885406A权利要求书1/2页1.一种in-cell式触摸液晶显示装置，包括：下衬底；上衬底，所述上衬底被布置在所述下衬底上方以面对所述下衬底，所述上衬底的面积大于所述下衬底的面积；公共电极，所述公共电极被设置在所述上衬底上方；栅极线和数据线，所述栅极线和所述数据线被设置在所述上衬底上方并且被布置成彼此交叉以限定像素区域；触摸线，所述触摸线平行于所述数据线而布置在所述上衬底上方；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管被设置在所述栅极线和所述数据线的交叉点处；保护层，所述保护层被设置在包括所述薄膜晶体管的所述上衬底上方，所述保护层被配置成暴露所述触摸线和所述公共电极中的每一个的一部分以及所述薄膜晶体管的漏电极的一部分；像素电极，所述像素电极被设置在所述保护层上方并且耦接至所述漏电极；以及耦接线，所述耦接线耦接至所述触摸线和所述公共电极。2.根据权利要求1所述的in-cell式触摸液晶显示装置，还包括：基于氮化物的绝缘层，所述基于氮化物的绝缘层被设置在所述上衬底上方、所述公共电极下方。3.根据权利要求1所述的in-cell式触摸液晶显示装置，其中，所述公共电极以大面积板的形状形成。4.根据权利要求1所述的in-cell式触摸液晶显示装置，其中，所述公共电极形成在所述栅极线和所述数据线彼此交叉而形成的像素区域的整个表面上。5.根据权利要求1所述的in-cell式触摸液晶显示装置，其中，所述下衬底是滤色器衬底，并且所述上衬底是薄膜晶体管衬底。6.根据权利要求1所述的in-cell式触摸液晶显示装置，其中，通过所述公共电极和耦接至所述公共电极的印刷电路板的地线形成有静电释放路径。7.根据权利要求6所述的in-cell式触摸液晶显示装置，还包括：电阻器，所述电阻器被设置在形成所述静电释放路径的所述印刷电路板的所述地线上。8.根据权利要求1所述的in-cell式触摸液晶显示装置，还包括：透明导电层，所述透明导电层被设置在所述下衬底的后表面上。9.根据权利要求8所述的in-cell式触摸液晶显示装置，其中，通过所述透明导电层、点银部和地线形成有静电释放路径。10.一种制造in-cell式触摸液晶显示装置的方法，包括：设置下衬底以及被布置在所述下衬底上方以面对所述下衬底的上衬底，所述上衬底的面积大于所述下衬底的面积；在所述上衬底上方形成公共电极；在所述上衬底上方形成被布置成彼此交叉以限定像素区域的栅极线和数据线；形成平行于所述数据线而布置在所述上衬底上方的触摸线；在所述栅极线和所述数据线的交叉点处形成薄膜晶体管；2CN107885406A权利要求书2/2页在包括所述薄膜晶体管的所述上衬底上方形成保护层，所述保护层被配置成暴露所述触摸线和所述公共电极中的每一个的一部分以及所述薄膜晶体管的漏电极的一部分；在所述保护层上方形成耦接至所述漏电极的像素电极；以及形成耦接至所述触摸线和所述公共电极的耦接线。11.根据权利要求10所述的方法，还包括：在所述上衬底上方、所述公共电极下方形成基于氮化物的绝缘层。12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述公共电极以大面积板的形状形成。13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述公共电极形成在所述栅极线和所述数据线彼此交叉而形成的像素区域的整个表面上。14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述下衬底是滤色器衬底，并且所述上衬底是薄膜晶体管衬底。15.根据权利要求10所述的方法，其中，通过所述公共电极和耦接至所述公共电极的印刷电路板的地线形成静电释放路径。16.根据权利要求15所述的方法，还包括：在形成所述静