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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108039375A(43)申请公布日2018.05.15(21)申请号201711050571.6(22)申请日2017.10.31(71)申请人泰州隆基乐叶光伏科技有限公司地址225300江苏省泰州市兴泰南路268号(72)发明人李华靳玉鹏(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243代理人文雯(51)Int.Cl.H01L31/0216(2014.01)H01L31/0224(2006.01)H01L31/0236(2006.01)H01L31/068(2012.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称指状交叉背接触太阳电池的制备方法(57)摘要本发明提供一种指状交叉背接触太阳电池的制备方法,对硅基底进行去损伤和清洗过程;在背面分别形成局域发射极和背表面场;前表面织构化;前表面场制备;正面钝化减反射及背面钝化;在背面图形化形成包含导电材料的电极浆料层;进行第一热处理过程;进行第二热处理过程,第二热处理过程采用激光局域辐照处理过程,激光局域辐照处理过程为在电极浆料层上进行局域辐照;经过激光局域辐照处理,使得电极和半导体形成局域接触,有效降低了金属复合对电池性能的影响。能够降低烧结温度,拓宽电池烧结工艺窗口,使得钝化性能和接触性能等同时达到最佳,从而达到更好的电池转换效率;免去了提前开孔等复杂的工艺流程。CN108039375ACN108039375A权利要求书1/1页1.一种指状交叉背接触太阳电池的制备方法,其特征在于:包括以下步骤,步骤1、对硅基底进行去损伤和清洗过程;步骤2、在背面分别形成局域发射极和背表面场;步骤3、前表面织构化;步骤4、前表面场制备;步骤5、正面钝化减反射及背面钝化;步骤6、在背面图形化形成包含导电材料的电极浆料层;步骤7、进行第一热处理过程;步骤8、进行第二热处理过程,第二热处理过程采用激光局域辐照处理过程,激光局域辐照处理过程为在电极浆料层上进行局域辐照,电极浆料层经过激光辐照的区域穿透介质膜和硅基底直接形成接触,未经过激光辐照的区域不穿透介质膜,电极浆料层上经过辐照区域的面积小于电极浆料层的面积。2.如权利要求1所述的指状交叉背接触太阳电池的制备方法,其特征在于:步骤1-5中的各步骤进行一次或多次。3.如权利要求1所述的指状交叉背接触太阳电池的制备方法,其特征在于:第一热处理过程使用的峰值温度为500~750℃。4.如权利要求1所述的指状交叉背接触太阳电池的制备方法,其特征在于:激光局域辐照处理过程使用的激光器的波长是300~1100nm。5.如权利要求1-4任一项所述的指状交叉背接触太阳电池的制备方法,其特征在于:激光局域辐照处理过程的光斑行进方向采用沿着栅线方向进行或垂直于栅线方向进行。6.如权利要求1-4任一项所述的指状交叉背接触太阳电池的制备方法,其特征在于:激光辐照方法中,激光辐照的光斑大小采用小于或等于太阳能电池栅线宽度的光斑进行扫描式辐照,或者采用大于太阳能电池栅线的宽度进行扫描式辐照,辐照次数采用一次以上。7.如权利要求1-4任一项所述的指状交叉背接触太阳电池的制备方法,其特征在于:在电极浆料层上经过激光辐照的区域不连续。2CN108039375A说明书1/4页指状交叉背接触太阳电池的制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种指状交叉背接触太阳电池的制备方法。背景技术[0002]目前,随着化石能源的逐渐耗尽,太阳电池作为新的能源替代方案,使用越来越广泛。太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳电池利用光生伏特原理产生载流子,然后使用电极将载流子引出,从而利于将电能有效利用。[0003]指状交叉背接触电池,又称为IBC电池。其中IBC是指Interdigitatedbackcontact指状交叉背接触。IBC电池最大的特点是发射极和金属接触都处于电池的背面,正面没有金属电极遮挡的影响,因此具有更高的短路电流Jsc,同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻Rs从而提高填充因子FF;并且这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高,而且看上去更美观,同时,全背电极的组件更易于装配。IBC电池是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。[0004]目前使用的指状交叉背接触太阳电池的制备方法的步骤中,在形成图形化导电浆料的涂布需要通过激光开膜或化学腐蚀等方法在电池的发射极和背面场的相应位置形成电池正负极的接触开口,工艺流程较为复杂,稳定性也较难控制。发明内容[0005]本发明的目的是提供一种指状交叉背接触太阳电池的制备方法解决现有技术中存在的在形成图形化导电浆料的涂布需要通过激光开膜或化学腐蚀等方法在电池的发射极和背面场的相应位置形成电池正负极的接触开口,