指状交叉背接触太阳电池的制备方法.pdf
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指状交叉背接触太阳电池的制备方法.pdf
本发明提供一种指状交叉背接触太阳电池的制备方法,对硅基底进行去损伤和清洗过程;在背面分别形成局域发射极和背表面场;前表面织构化;前表面场制备;正面钝化减反射及背面钝化;在背面图形化形成包含导电材料的电极浆料层;进行第一热处理过程;进行第二热处理过程,第二热处理过程采用激光局域辐照处理过程,激光局域辐照处理过程为在电极浆料层上进行局域辐照;经过激光局域辐照处理,使得电极和半导体形成局域接触,有效降低了金属复合对电池性能的影响。能够降低烧结温度,拓宽电池烧结工艺窗口,使得钝化性能和接触性能等同时达到最佳,从而
具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池及其制备方法.pdf
本发明涉及一种具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池电池结构及其制备方法,沿硅基底1厚度方向自上而下依次包括:沿硅基底厚度方向自上而下依次包括:正面钝化及减反射膜、正面掺杂层、n型硅基底、背面钝化隧穿层、背面掺杂层、背面钝化膜和电池电极;所述背面掺杂层由第一掺杂区域和第二掺杂区域组成,第一掺杂区域和第二掺杂区域结构相同且呈指状交叉排列;所述的电池电极包括正电极和负电极,正电极与第二掺杂区域接触,负电极第一掺杂区域接触;该结构可以较好避免了在空间上造成漏电流的可能。提高电池在后期产品的可靠性表现,减少电池
一种指状交叉背接触太阳电池及其制备方法.pdf
本发明涉及一种指状交叉背接触太阳电池电池结构及其制备方法,沿硅基底厚度方向自上而下依次包括:正面钝化及减反射膜、n/p型正面掺杂层、n型硅基底、背面掺杂层、背面钝化膜和电池电极;背面掺杂层由n型掺杂区域和p型掺杂区域组成,n型掺杂区域和p型掺杂区域呈指状交叉形式交错排列;的电池电极包括正电极和负电极,正电极与p型掺杂区域接触,负电极设置在n型掺杂区域接触。该结构可以较好避免了在空间上造成漏电流的可能。提高电池在后期产品的可靠性表现,减少电池组件的工艺难度。
一种具有隔离区域的指状交叉背接触太阳电池及其制备方法.pdf
本发明涉及一种具有隔离区域的指状交叉背接触太阳电池电池结构及其制备方法,沿硅基底厚度方向自上而下依次包括:正面钝化及减反射膜、正面掺杂层、n型硅基底、背面掺杂层、背面钝化膜和电池电极;背面掺杂层由第一掺杂区域和第二掺杂区域组成,第一掺杂区域和第二掺杂区域结构相同且呈指状交叉排列,第一掺杂区域和第二掺杂区域之间设置有隔离区域;电池电极包括正电极和负电极,正电极与第二掺杂区域接触,负电极第一掺杂区域接触;该结构可以较好避免了在空间上造成漏电流的可能。提高电池在后期产品的可靠性表现,减少电池组件的工艺难度。
一种P型叉指背接触太阳电池制备方法.pdf
本专利提供了一种P型叉指背接触太阳电池制备方法,选择P型单晶硅片作为基体,并进行双面制绒处理;对电池正面进行沉积三氧化二铝(AL2O3)做钝化层;对电池背面进行离子注入磷;在硅片正面沉积氮化硅减反射膜;使用激光开槽设备对硅片背表面P区进行开槽;进行RCA清洗;对电池背面P区使用高温扩散炉对硅片进行背面硼扩散;对电池背面P区沉积三氧化二铝(AL2O3)钝化层;进行丝网印刷银浆和铝浆形成正负电极;放入烧结炉进行烧结,最终得到IBC电池。通过在电池背面先进行离子注入磷,再通过掩膜工艺使用激光开槽设备对P+区进行