具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池及其制备方法.pdf
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具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池及其制备方法.pdf
本发明涉及一种具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池电池结构及其制备方法,沿硅基底1厚度方向自上而下依次包括:沿硅基底厚度方向自上而下依次包括:正面钝化及减反射膜、正面掺杂层、n型硅基底、背面钝化隧穿层、背面掺杂层、背面钝化膜和电池电极;所述背面掺杂层由第一掺杂区域和第二掺杂区域组成,第一掺杂区域和第二掺杂区域结构相同且呈指状交叉排列;所述的电池电极包括正电极和负电极,正电极与第二掺杂区域接触,负电极第一掺杂区域接触;该结构可以较好避免了在空间上造成漏电流的可能。提高电池在后期产品的可靠性表现,减少电池
指状交叉背接触太阳电池的制备方法.pdf
本发明提供一种指状交叉背接触太阳电池的制备方法,对硅基底进行去损伤和清洗过程;在背面分别形成局域发射极和背表面场;前表面织构化;前表面场制备;正面钝化减反射及背面钝化;在背面图形化形成包含导电材料的电极浆料层;进行第一热处理过程;进行第二热处理过程,第二热处理过程采用激光局域辐照处理过程,激光局域辐照处理过程为在电极浆料层上进行局域辐照;经过激光局域辐照处理,使得电极和半导体形成局域接触,有效降低了金属复合对电池性能的影响。能够降低烧结温度,拓宽电池烧结工艺窗口,使得钝化性能和接触性能等同时达到最佳,从而
一种指状交叉背接触太阳电池及其制备方法.pdf
本发明涉及一种指状交叉背接触太阳电池电池结构及其制备方法,沿硅基底厚度方向自上而下依次包括:正面钝化及减反射膜、n/p型正面掺杂层、n型硅基底、背面掺杂层、背面钝化膜和电池电极;背面掺杂层由n型掺杂区域和p型掺杂区域组成,n型掺杂区域和p型掺杂区域呈指状交叉形式交错排列;的电池电极包括正电极和负电极,正电极与p型掺杂区域接触,负电极设置在n型掺杂区域接触。该结构可以较好避免了在空间上造成漏电流的可能。提高电池在后期产品的可靠性表现,减少电池组件的工艺难度。
一种具有隔离区域的指状交叉背接触太阳电池及其制备方法.pdf
本发明涉及一种具有隔离区域的指状交叉背接触太阳电池电池结构及其制备方法,沿硅基底厚度方向自上而下依次包括:正面钝化及减反射膜、正面掺杂层、n型硅基底、背面掺杂层、背面钝化膜和电池电极;背面掺杂层由第一掺杂区域和第二掺杂区域组成,第一掺杂区域和第二掺杂区域结构相同且呈指状交叉排列,第一掺杂区域和第二掺杂区域之间设置有隔离区域;电池电极包括正电极和负电极,正电极与第二掺杂区域接触,负电极第一掺杂区域接触;该结构可以较好避免了在空间上造成漏电流的可能。提高电池在后期产品的可靠性表现,减少电池组件的工艺难度。
钝化接触电池及其制备方法和钝化接触结构及其制备装置.pdf
本发明涉及一种钝化接触电池及其制备方法和钝化接触结构及其制备装置。该制备方法包括:S1、对硅片进行预处理,以在硅片表面形成介质层;S2、将硅片放入设置有靶材的PVD工艺腔中,并在PVD工艺腔内通入气体,以在介质层上制备掺杂非晶硅层;其中,靶材的个数为n,n≥2,n个靶材中至多存在一个不含掺杂源的靶材,其余靶材均为含掺杂源靶材,每个含掺杂源靶材的掺杂源浓度各不相同;靶材从工艺腔的炉口到炉尾沿着硅片的前进方向依次排放;掺杂非晶硅层为至少包含两层掺杂非晶硅层的复合掺杂非晶硅层,两层掺杂非晶硅层的掺杂浓度不同;S