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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109904172A(43)申请公布日2019.06.18(21)申请号201810575575.4(22)申请日2018.06.06(30)优先权数据10-2017-01691932017.12.11KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人金延燮沈鍾植姜秉旭黄盛焕(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人徐金国(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L27/32(2006.01)权利要求书2页说明书18页附图12页(54)发明名称接触结构和包括该接触结构的显示装置(57)摘要在根据本发明示例性实施方式的接触结构和包括该接触结构的显示装置中,通过将接触孔的尺寸(或面积)设计成大于接触面积并根据下部层的特性应用不同的结构,可与接触孔的尺寸无关地设计像素。因此,接触孔的尺寸增加,使得可很容易应用半色调掩模,且可有利地减少掩模的数量。此外,像素设计中金属的自由度增加,使得可以以高分辨率模式设计像素,且在不需要电极裕度的条件增加了下开口率。接触结构包括:下部层;位于下部层上的至少第一绝缘层,第一绝缘层具有预定接触孔以暴露下部层的一部分;和位于第一绝缘层上以通过接触孔与下部层接触的上部层,其中接触孔具有比接触面积相对大的面积,其中接触面积为上部层和下部层彼此接触的接触面积。CN109904172ACN109904172A权利要求书1/2页1.一种接触结构,包括:下部层;位于所述下部层上的至少第一绝缘层,所述第一绝缘层具有预定接触孔以暴露所述下部层的一部分;和位于所述第一绝缘层上以通过所述接触孔与所述下部层接触的上部层,其中所述接触孔具有比接触面积相对大的面积,其中所述接触面积为所述上部层和所述下部层彼此接触的接触面积。2.根据权利要求1所述的接触结构,还包括:位于所述下部层的下方的第二绝缘层。3.根据权利要求2所述的接触结构,其中所述下部层由半导体构成,并且所述上部层由导电材料构成。4.根据权利要求3所述的接触结构,其中所述接触孔暴露所述下部层的上表面的一部分和侧部、以及所述第二绝缘层的上表面的一部分。5.根据权利要求4所述的接触结构,其中所述上部层与所述下部层的上表面的暴露部分和侧部、以及所述第二绝缘层的上表面的暴露部分接触。6.根据权利要求1所述的接触结构,其中所述下部层由第一导电材料构成,并且所述上部层由第二导电材料构成。7.根据权利要求6所述的接触结构,其中所述下部层构成两条相邻配线,并且所述上部层构成通过所述接触孔分别与所述配线连接的两个电极。8.根据权利要求7所述的接触结构,其中所述接触孔暴露每条配线的上表面的一部分和侧部、以及位于两条配线之间的所述基板的上表面。9.根据权利要求8所述的接触结构,其中每个电极与每条配线的上表面的暴露部分接触。10.根据权利要求9所述的接触结构,其中所述配线的未与所述上部层接触的一个侧部被暴露。11.根据权利要求6至10的任一项所述的接触结构,还包括:插入在所述下部层与所述第一绝缘层之间的第二绝缘层。12.一种接触结构,包括:位于基板上的至少第一绝缘层,所述第一绝缘层具有预定接触孔;和位于所述接触孔的内部并且依次叠置且彼此接触的下部层和上部层,其中所述接触孔具有比接触面积相对大的面积,其中所述接触面积为所述上部层和所述下部层彼此接触的接触面积。13.根据权利要求12所述的接触结构,还包括位于所述基板上且位于所述第一绝缘层的下方的第二绝缘层,其中所述接触孔暴露所述上部层的上表面和两个侧部、以及所述第二绝缘层的上表面的一部分。14.根据权利要求13所述的接触结构,其中所述上部层与所述下部层的暴露上表面和两个侧部、以及所述第二绝缘层的上表面的暴露部分接触。15.根据权利要求13所述的接触结构,其中所述上部层由包覆结构构成,所述包覆结构覆盖并包围所述下部层的上表面以及所述下部层的两个侧部。2CN109904172A权利要求书2/2页16.根据权利要求13所述的接触结构,还包括位于所述下部层的下方的第三绝缘层,其中所述接触孔暴露所述下部层的上表面的一部分和侧部、所述第二绝缘层的上表面的一部分、以及所述第三绝缘层的侧部的一部分。17.根据权利要求16所述的接触结构,其中所述上部层与所述下部层的上表面的暴露部分和侧部、所述第二绝缘层的暴露部分、以及所述第三绝缘层的侧部的暴露部分接触。18.一种显示装置,包括根据权利要求1至17的任一项所述的接触结构。3CN109904172A说明书1/18页接触结构和包括该接触结构的显示装置[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求于2017年12月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0169