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高复合效率的VCSEL芯片及其制造方法.pdf
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高复合效率的VCSEL芯片及其制造方法.pdf
本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及高复合效率的VCSEL芯片及其制造方法，VCSEL芯片包括衬底、外延层和N‑contact，外延层包括N‑DBR、量子阱、氧化层和P‑DBR，P‑DBR、氧化层、量子阱被蚀刻至N‑DBR表面形成台面，量子阱包括多对量子阱复合层，量子阱复合层包括重叠生长的Al
2023-12-04
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VCSEL芯片制造方法及VCSEL阵列.pdf
本发明公开了一种VCSEL芯片制造方法，属于半导体激光器制造技术领域。本发明VCSEL芯片制造方法包括：在外延片上形成多个具有氧化限制型结构的主动区平台的步骤，所述制造方法还包括：在所形成的多个主动区平台之间的沟槽底部沉积具有拉应力的应力补偿层的步骤。本发明还公开了一种VCSEL阵列。针对VCSEL芯片制造过程中由于叠层DBR压应力所导致的翘曲问题，本发明对现有制造工艺进行改进，在氧化限制型的主动区平台制作完成后，在主动区平台之间的沟槽底部沉积具有拉应力的应力补偿层，以对叠层DBR所产生的压应力进行抵消，
2023-06-12
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flip chip型VCSEL芯片及其制造方法.pdf
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2023-11-13
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2023-12-04
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