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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110289548A(43)申请公布日2019.09.27(21)申请号201910523733.6(22)申请日2019.06.17(71)申请人威科赛乐微电子股份有限公司地址404040重庆市万州区万州经开区高峰园B02(72)发明人窦志珍曹广亮刘留苏小平韩春霞林新茗(74)专利代理机构广州市华学知识产权代理有限公司44245代理人彭啟强(51)Int.Cl.H01S5/022(2006.01)H01S5/183(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图5页(54)发明名称flipchip型VCSEL芯片及其制造方法(57)摘要本发明涉及激光芯片技术领域,尤其涉及flipchip型VCSEL芯片及其制造方法,该VCSEL芯片包括由上至下设置的衬底、外延片,衬底上蚀刻有出光孔,外延片生长在衬底底面,外延片包括依次层叠设置的第一型反射层、量子阱、限制层和第二型反射层,第二型反射层、限制层、量子阱的侧壁被蚀刻至第一型反射层表面形成台柱,台柱上包覆有SiNx层,SiNx层在第二型反射层上成型有孔一,SiNx层的相对两侧分别生长有N-contact和P-contact,P-contact和N-contact相对设置成型有孔二,P-contact和N-contact的表面蒸镀有Sn层。N-contact的材料包括但不限于AuGe、Au,P-contact的材料包括但不限于Ti、Pt、Au。本发明的VCSEL芯片的散热路径无需通过衬底,可实现高效散热,达到热电分离的状态,从而提高了饱和电流,提高了功率效率及斜率效率。CN110289548ACN110289548A权利要求书1/1页1.flipchip型VCSEL芯片,其特征在于,包括由上至下设置的衬底、外延片,所述衬底上蚀刻有出光孔,所述外延片生长在衬底底面,所述外延片包括依次层叠设置的第一型反射层、量子阱、限制层和第二型反射层,所述第二型反射层、限制层、量子阱的侧壁被蚀刻至第一型反射层表面形成台柱,所述台柱的侧壁及所述台柱背离衬底的一面上均包覆有SiNx层,所述SiNx层在第二型反射层上成型有孔一,所述SiNx层的相对两侧分别生长有N-contact和P-contact,所述P-contact和N-contact相对设置且之间设置有孔二,所述P-contact和N-contact的表面蒸镀有Sn层。2.根据权利要求1所述的flipchip型VCSEL芯片,其特征在于,所述SiNx层分为第一SiNx层和第二SiNx层,所述第一SiNx层截面呈L形覆盖在台柱上,所述第二SiNx层截面呈Z字形覆盖在台柱上,所述第一SiNx层和第二SiNx层相对设置并在第二型反射层上形成孔一。3.根据权利要求2所述的flipchip型VCSEL芯片,其特征在于,所述N-contact截面呈Z字形覆盖在第一SiNx层上,所述P-contact覆盖在第二SiNx层上,且所述P-contact完全填充孔一。4.根据权利要求1所述的flipchip型VCSEL芯片,其特征在于,所述限制层包括导电结构和环绕所述导电结构的氧化结构。5.根据权利要求4所述的flipchip型VCSEL芯片,其特征在于,所述导电结构为是由Al0.98GaAs形成的结构,所述氧化结构是由Al0.98GaAs经氧化处理形成的结构。6.根据权利要求1所述的flipchip型VCSEL芯片,其特征在于,所述第一型反射层为N型分布式布拉格反射镜DBR层,所述第二型反射层为P型分布式布拉格反射镜DBR层。7.根据权利要求1-6任一所述的flipchip型VCSEL芯片,其特征在于,所述衬底是厚度为100μm~170μm的GaAs衬底。8.flipchip型VCSEL芯片的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:提供衬底;在衬底上依次生成第一型反射层、量子阱、导电结构、第二型反射层;蚀刻外延片中的第二型反射层、导电结构、量子阱至第一型反射层表面形成台柱,在氧化炉内氧化部分导电结构形成氧化结构,所述氧化结构和未被氧化的导电结构构成限制层,所述第一型反射层、量子阱、限制层和第二型反射层构成外延片;在台柱的侧面和表面上生长一层SiNx层,蚀刻SiNx层在第二型反射层上形成孔一;在SiNx层上蒸镀金属生成N-contact和P-contact,N-contact和P-contact相对设置且形成有孔二;在N-contact和P-contact上镀Sn层;对衬底进行研磨减薄,翻转片源使衬底朝上;在衬底上蚀刻出光孔;固晶。9.根据权利要求8所述的flipchip型VCSEL芯片的制造方法,其特征在于,所述SiNx层的生长条件为300~350℃,生长厚度为3000~5000埃。10.根据权