一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法.pdf
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一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法.pdf
本发明涉及激光芯片技术领域,尤其涉及一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法,VCSEL芯片包括GaAs衬底和位于GaAs衬底一侧的外延结构,GaAs衬底底部蚀刻出出光孔,GaAs衬底上于出光孔外围蒸镀有N‑contact层,外延结构包括N‑DBR结构、氧化层、量子阱、P‑DBR结构和欧姆接触层,欧姆接触层、P‑DBR结构、量子阱和AlGaAs被蚀刻至N‑DBR结构上表面形成台面,欧姆接触层与出光孔位置相对应,欧姆接触层上生长有ODR层,ODR层上蒸镀有镜面层,台面向上至镜面层上覆盖有SiNx层,SiNx
flip chip型VCSEL芯片及其制造方法.pdf
本发明涉及激光芯片技术领域,尤其涉及flipchip型VCSEL芯片及其制造方法,该VCSEL芯片包括由上至下设置的衬底、外延片,衬底上蚀刻有出光孔,外延片生长在衬底底面,外延片包括依次层叠设置的第一型反射层、量子阱、限制层和第二型反射层,第二型反射层、限制层、量子阱的侧壁被蚀刻至第一型反射层表面形成台柱,台柱上包覆有SiNx层,SiNx层在第二型反射层上成型有孔一,SiNx层的相对两侧分别生长有N‑contact和P‑contact,P‑contact和N‑contact相对设置成型有孔二,P‑con
一种VCSEL芯片及其制造方法.pdf
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单颗可变色阵列型VCSEL芯片及其制造方法.pdf
本发明公开了单颗可变色阵列型VCSEL芯片及其制造方法,VCSEL芯片包括量子阱、第一过渡层和第二过渡层;第一过渡层上设置有第一GaAs柱,第一GaAs柱上独立生长有ODR层,ODR层被蚀刻形成第一台柱,第一台柱蒸镀有镜面层,三个第一台柱的镜面层上覆盖有同一外延片键合层,且外延片键合层覆盖镜面层外侧直至第一过渡层,外延片键合层上设置有Si片、P‑contact;第二过渡层上设置有三个独立的第二GaAs柱,第二GaAs柱上生长有DBR层,DBR层被蚀刻形成第二台柱,第二台柱蒸镀有N‑contact,N‑co