一种硅片的制作方法及电池片、光伏组件.pdf
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一种硅片的制作方法及电池片、光伏组件.pdf
本发明公开一种硅片的制作方法及电池片、光伏组件,涉及光伏技术领域,使得利用该硅片制作方法生产的光伏组件可以实现密排,同时可以提高制作硅片过程中对圆形硅棒的利用率,降低成本。该硅片的制作方法包括:提供一圆形硅棒;沿着四边形预设切割路径对圆形硅棒进行切割,获得四边形硅棒。四边形预设切割路径包括第一组对角和第二组对角,其中,第一组对角内接圆形硅棒的横截面,第二组对角位于所述圆形硅棒的横截面以外。对四边形硅棒进行切片,获得具有两个相对弧面倒角的四边形硅片。本发明提供的硅片的制作方法及电池片、光伏组件用于光伏组件的
光伏电池片、光伏组件及光伏电池片的制备方法.pdf
本申请涉及一种光伏电池片、光伏组件及光伏电池片的制备方法。光伏电池片包括半导体衬底,半导体衬底包括沿自身厚度方向相对设置的第一表面和第二表面,第一表面位于半导体衬底朝向太阳光的一侧;第一表面具有多个第一金字塔型微结构,第二表面具有多个平台型微结构,平台型微结构上具有多个第二金字塔型微结构,平台型微结构上还具有隧穿氧化层,隧穿氧化层上具有掺杂导电层。当在第二表面印刷金属浆料制备栅线时,金属浆料能够填充进相邻的第二金字塔型微结构之间的缝隙内,增加了栅线与半导体衬底的接触面积,降低了光伏电池片的串联电阻,同时,
硅片扩散方法、太阳能电池片、电池组件和光伏系统.pdf
本发明适用于太阳能电池技术领域,提供了一种硅片扩散方法、太阳能电池片、电池组件和光伏系统,硅片扩散方法包括:将硅片置于扩散炉中并进行加热抽真空处理;通入氧气、氮气和三氯氧磷在硅片的表面进行第一次沉积;升温并进行无源推进处理;降温至790℃‑810℃且通入氧气650sccm‑670sccm、氮气和三氯氧磷455mg/min‑475mg/min以在硅片的表面进行第二次沉积从而得到扩散后的硅片,其中,扩散后的硅片的方阻为170Ω‑200Ω。如此,通过将第二次沉积中的各个工艺参数调整至上述范围可以有效的将扩散后硅
光伏组件、光伏组件生产设备及电池串的摆片方法.pdf
本发明涉及一种光伏组件、光伏组件生产设备及电池串的摆片方法,能够使得相邻的两个电池片之间的片间距始终恒定,能够消除因电池片的宽度误差造成的影响,避免相邻两个电池片之间的片间距发生波动,保证光伏组件的产品品质。而且,还能准确地缩小片间距,提高屏占比,提高光伏组件的功率和效率。
双玻光伏电池片、制备方法及光伏组件.pdf
本发明的目的在于揭示一种双玻光伏电池片、制备方法及光伏组件,双玻光伏电池片,包括第一硅片和第二硅片,所述第一硅片的光照面与所述第二硅片的非光照面同向,所述第一硅片和所述第二硅片错开分布,所述第一硅片的光照面复合第一镂空铜箔复合材料作为电极,所述第二硅片的光照面复合第二镂空铜箔复合材料作为电极,所述第一镂空铜箔复合材料和第二镂空铜箔复合材料均是由聚丙烯薄膜和镂空铜箔复合而成,本发明的有益效果是:在双玻光伏电池片中,以镂空铜箔替代现有的银浆栅线作为光伏电池片的光照面电极,而铜的电阻率为1.75*10