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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115502584A(43)申请公布日2022.12.23(21)申请号202211479159.7(22)申请日2022.11.24(71)申请人四川富乐华半导体科技有限公司地址641099四川省内江市内江经济技术开发区汉晨路888号8幢(72)发明人朱锐贺贤汉陆玉龙李炎马敬伟(74)专利代理机构北京华际知识产权代理有限公司11676专利代理师张强(51)Int.Cl.B23K26/38(2014.01)B23K26/402(2014.01)B23K26/70(2014.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称覆铜陶瓷基板的分片工艺(57)摘要本发明公开了一种覆铜陶瓷基板的分片工艺,涉及陶瓷基板加工领域,旨在解决覆铜陶瓷基板在分片切割时会产生锥度的问题,其技术方案要点是:一种覆铜陶瓷基板的分片工艺,由以下步骤组成:激光器出光,射出光束达到扩束镜,所述扩束镜将激光光斑从15微米扩大到50微米;扩大后的光束经过至少一次的反射镜片,将激光从激光器引导至加工位置;经过反射器的光束通过扫描振镜,生成所需要加工的图形;然后光束通过远心石英场镜,将激光投射至覆铜陶瓷基板上进行分割。本发明的一种覆铜陶瓷基板的分片工艺,通过振镜配合远心石英场镜,能够使覆铜陶瓷基板切割时不会产生斜边锥度,良品率高。CN115502584ACN115502584A权利要求书1/1页1.一种覆铜陶瓷基板的分片工艺,其特征在于,由以下步骤组成:激光器出光,射出光束达到扩束镜,所述扩束镜将激光光斑从15微米扩大到50微米;扩大后的光束经过至少一次的反射镜片,将激光从激光器引导至加工平台;经过反射器的光束通过扫描振镜,生成所需要加工的图形;然后光束通过远心石英场镜,将激光投射至覆铜陶瓷基板上进行分割。2.根据权利要求1所述的覆铜陶瓷基板的分片工艺,其特征在于,所述激光器为红外皮秒激光器。3.根据权利要求2所述的覆铜陶瓷基板的分片工艺,其特征在于,所述场镜焦距在F330以上。4.根据权利要求3所述的覆铜陶瓷基板的分片工艺,其特征在于,所述覆铜陶瓷基板的切割范围大于190*190mm。5.根据权利要求1或4所述的覆铜陶瓷基板的分片工艺,其特征在于,所述覆铜陶瓷基板为覆铜氧化铝陶瓷基板。6.根据权利要求5所述的覆铜陶瓷基板的分片工艺,其特征在于,所述覆铜氧化铝陶瓷基板的厚度大于0.5mm。7.根据权利要求1所述的覆铜陶瓷基板的分片工艺,其特征在于,所述加工平台上设置有至少三个激光测距仪,所述激光测距仪实时检测加工平台至远心石英场镜的距离,至少三个所述的激光测距仪并不位于同一直线上。8.根据权利要求7所述的覆铜陶瓷基板的分片工艺,其特征在于:所述加工平台设置有调整加工平台相对远心石英场镜保持完全平行的调节机构。9.根据权利要求8所述的覆铜陶瓷基板的分片工艺,其特征在于:所述调节机构包括相互套合的球型摩擦件,所述加工平台通过球型摩擦件之间的摩擦力保持稳定。10.根据权利要求9所述的覆铜陶瓷基板的分片工艺,其特征在于:所述加工平台还具有水平仪。2CN115502584A说明书1/3页覆铜陶瓷基板的分片工艺技术领域[0001]本发明涉及覆铜陶瓷基板的切割设计领域,特别是涉及一种覆铜陶瓷基板的分片工艺。背景技术[0002]覆铜陶瓷基板(DBC基板)是使用DBC(DirectBondCopper)技术将铜箔直接烧结在陶瓷表面而制成的一种电子基础材料。覆铜陶瓷基板具有极好的热循环性、形状稳定、刚性好、导热率高、可靠性高,覆铜面可以刻蚀出各种图形的特点,并且它是一种无污染、无公害的绿色产品,使用温度相当广泛,可以从‑55℃~850℃,热膨胀系数接近于硅,其应用领域十分广泛。[0003]覆铜陶瓷基板在制备过程中,通常会将蚀刻好图形的产品用激光机进行切割,从而分割成单枚产品。陶瓷属于典型的硬脆难加工材料,而带有曲率的复杂结构的氧化铝陶瓷型芯更进一步增加了其加工的难度,至今仍为加工行业的难题。皮秒激光以其良好的“冷加工”的特点,为研究解决这一难题的方法提供了良好的途径。目前利用皮秒激光机加工氧化铝陶瓷的研究相对较少,最新的研究为江苏大学的卢海强利用波长为1064nm的皮秒激光器,对氧化铝平板进行了阈值的试验与计算,在平板上进行了打孔,其加工的微孔存在粗糙度大,入口处有熔融层,锥度较大的缺点(卢海强.工程陶瓷的热力效应微细加工技术研究[D].江苏大学,2017.)。华中科技大学的周翔也利用波长为1064nm的皮秒激光器在28mmX21mmX0.6mm的氧化铝薄平板上,进行了打孔的研究(周翔.皮秒激光加工脆性材料工艺与机理研究[D].华中科技大学,2017.)。仅仅打孔已经远远不能满足复杂陶瓷型芯加工的需求。目前,利用波长为