集成半导体设备和制造该集成半导体设备的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN101853860A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CNCN101853860101853860A(43)申请公布日2010.10.06(21)申请号201010150500.5(22)申请日2010.03.25(30)优先权数据2009-0874762009.03.31JP(71)申请人三垦电气株式会社地址日本埼玉县(72)发明人青木宏宪吉川英一(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人张敬强(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/762(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图7页(54)发明名称集成半导体设备和制造该集成半导体设备的方法(57)摘要一种集成半导体设备和制造该集成半导体设备的方法包括保留半导体层的一个部分使得当在SOI晶片上形成槽时在槽上形成倾斜表面。沿着该倾斜表面形成厚的二氧化硅膜(第二绝缘膜)。该厚的二氧化硅膜防止氧气进入槽内SOI晶片的绝缘层和半导体层之间的边界表面。CN108536ACN101853860ACCNN110185386001853862A权利要求书1/2页1.一种集成半导体设备，包括：基板；第一绝缘膜，布置在所述基板上；半导体层，布置在所述第一绝缘膜上并且包括由槽分开的多个半导体部件区；以及第二绝缘膜，形成在所述槽中；其中，所述多个半导体部件区中的每个具有边缘部分，所述边缘部分具有比半导体部件区的主表面和所述第一绝缘膜之间的间隔更小的厚度并且在所述槽下延伸，并且所述第二绝缘膜形成在所述槽的壁表面上且与所述第一绝缘膜接触。2.根据权利要求1所述的集成半导体设备，其中所述第二绝缘膜具有覆盖所述槽的主侧表面的第一部分以及覆盖所述边缘部分的第二部分，并且所述第二部分的最大厚度大于所述第一部分的最大厚度。3.一种制造集成半导体设备的方法，所述方法包括：在由基板、布置在所述基板上的第一绝缘膜、以及布置在所述第一绝缘膜中的半导体层组成的晶片中，在所述半导体层上形成槽并且所述槽从所述半导体层的主表面朝向所述第一绝缘膜延伸从而分开为多个半导体部件区，从而具有比所述半导体层的主表面与所述第一绝缘膜之间的所述半导体层的厚度小的厚度的部分保留在所述第一绝缘膜之间；以及通过氧化暴露在所述半导体层的所述槽上的部分，形成覆盖所述槽的壁表面且接触所述第一绝缘膜的第二绝缘膜。4.根据权利要求3所述的制造集成半导体设备的方法，其中形成所述第二绝缘膜包括用于沿从所述半导体层的所述槽的入口至具有小的厚度的剩余部分的所述槽的主侧表面引入具有第一浓度的杂质和/或沿具有小的厚度的所述剩余部分引入具有比所述第一浓度高的第二浓度的杂质的工序，以及用于通过在氧化环境中在引入具有所述杂质的所述半导体层上执行加热工序而形成所述第二绝缘膜的工序。5.根据权利要求4所述的制造集成半导体设备的方法，其中用于将杂质引入到所述半导体层的所述工序是用于将杂质离子以特定角度注入所述槽的壁表面的工序。6.根据权利要求4所述的制造集成半导体设备的方法，其中用于通过在氧化环境中在所述半导体层上执行加热工序而形成所述第二绝缘膜的工序包括下述工序：在所述半导体层上执行第一温度的热氧化工序，其中引入具有所述第二浓度的杂质的区域的氧化速度大于引入具有所述第一浓度的杂质的区域的氧化速度，和在引入具有所述第二浓度的杂质的区域上形成比引入具有所述第一浓度的杂质的区域上的氧化膜更厚的氧化膜；并且还包括下述工序：在所述半导体层上执行比所述第一温度高的第二温度的热氧化工序。7.根据权利要求3所述的制造集成半导体设备的方法，其中用于在所述半导体层上形成槽的所述工序包括：第一工序，用于形成具有从所述半导体层的主表面至没有到达所述第一绝缘膜的地方的深度的第一槽；以及第二工序，其中进一步移除所述第一槽下面的所述半导体层并且形成具有到达所述第一绝缘膜的锥形端部分的第二槽。2CCNN110185386001853862A权利要求书2/2页8.根据权利要求3所述的制造集成半导体设备的方法，其中用于在所述半导体层上形成槽的所述工序是下述工序：用于形成槽，从而在所述槽的所述底部与所述第一绝缘膜之间产生所述半导体层的剩余部分，所述剩余部分具有在用于形成所述第二绝缘膜的所述工序中能够被改变为氧化材料的厚度。9.根据权利要求3所述的制造集成半导体设备的方法，其中从所述槽的所述半导体层的所述主表面至具有小的厚度的所述半导体层的部分的所述主侧表面沿几乎垂直于所述半导体层的所述主表面的方向延伸。10.根据权利要求3所述的制造集成半导体设备的方法，其中具有小的厚度的所述半导体层的所述部分包括倾斜的或弯曲的表面。11.一种制造集成半导体设备的方法，所述方法包括：在由基板、布置在所述基板上的第一绝缘膜、以及布