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半导体装置的制造方法以及衬底处理装置.pdf
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半导体装置的制造方法以及衬底处理装置.pdf
本发明提供一种能够在短时间内将吸附在衬底表面等上的多余的原料分子除去的、生产效率高的半导体装置的制造方法、以及衬底处理装置。包括以下工序：第一工序，向收容有衬底的衬底处理室内供给包含规定元素的原料气体，而在衬底上形成包含规定元素的膜；第二工序，向衬底处理室内供给惰性气体来除去残留在衬底处理室内的原料气体；第三工序，向衬底处理室内供给与所述规定元素反应的改质气体，而将通过第一工序在衬底上形成的包含规定元素的膜改质；第四工序，向衬底处理室内供给惰性气体来除去残留在衬底处理室内的改质气体。在进行衬底处理时，在进
2023-11-26
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