MIM电容器及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102544118A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102544118A(43)申请公布日2012.07.04(21)申请号201010599891.9(22)申请日2010.12.20(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址201203上海市张江路18号(72)发明人牛健李广福杨林宏(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人屈蘅李时云(51)Int.Cl.H01L29/92(2006.01)H01L21/334(2006.01)权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书55页页附图附图22页(54)发明名称MIM电容器及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种MIM电容器，该电容器的第一导电层及第二导电层的金属的晶粒大小为1.2um～2.5um，从而降低了MIM电容器在刻蚀过程中产生的金属残留问题；同时，本发明还公开了一种MIM电容器的制备方法，该方法制备出的MIM电容器，其第一导电层及第二导电层的金属的晶粒大小为1.2um～2.5um，从而降低了MIM电容器在刻蚀过程中产生的金属残留问题；并且该方法在对每批次晶片进行金属溅射之前，首先检测溅射机台的停机时间，从而避免了因溅射机台工艺不稳定而造成溅射金属的晶粒过小，导致在刻蚀过程中产生的金属残留问题。CN102548ACN102544118A权利要求书1/2页1.一种MIM电容器，其特征在于，包括：第一导电层，其中，所述第一导电层的金属的晶粒大小为1.2um～2.5um；绝缘层，位于所述第一导电层上；第二导电层，位于所述绝缘层上，其中，所述第二导电层的金属的晶粒大小为1.2um～2.5um。2.如权利要求1所述的MIM电容器，其特征在于，所述第一导电层的厚度为420nm～460nm，所述第二导电层的厚度为110nm～150nm。3.如权利要求2所述的MIM电容器，其特征在于，所述第一导电层及所述第二导电层的材料为金属铝。4.如权利要求1所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为35nm～40nm。5.如权利要求4所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为二氧化硅。6.一种MIM电容器的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：在半导体衬底上沉积第一导电层，其中，所述第一导电层的金属的晶粒大小为1.2um～2.5um；在所述第一导电层上制备绝缘层；在所述绝缘层上沉积第二导电层，其中，所述第二导电层的金属的晶粒大小为1.2um～2.5um。7.如权利要求6所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述第一导电层的厚度为420nm～460nm，所述第二导电层的厚度为110nm～150nm。8.如权利要求7所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述第一导电层及所述第二导电层的材料为金属铝。9.如权利要求6至8任一项所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述第一导电层及所述第二导电层的沉积方法为溅射。10.如权利要求9所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述第一导电层及所述第二导电层的溅射条件为：溅射功率：10000W～12000W，压力：2mTorr～6mTorr，温度：250℃～280℃。11.如权利要求10所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述第一导电层及所述第二导电层的沉积步骤为：(1)判断溅射机台的停机时间是否超过设定时间，若超过，则进行步骤(2)，若未超过，则进行步骤(3)；(2)利用模拟晶片在所述溅射条件下进行模拟沉积，待溅射机台运行稳定后转到步骤(3)；(3)将所述半导体衬底置于溅射机台中，在所述溅射条件下沉积第一导电层或第二导电层。12.如权利要求11所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述设定时间为3分钟。13.如权利要求10所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述第一导电层及所2CN102544118A权利要求书2/2页述第二导电层的溅射条件为：溅射功率：11500W，压力：2mTorr～6mTorr，温度：250℃～280℃。14.如权利要求6所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为35nm～40nm。15.如权利要求14所述的MIM电容器的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为二氧化硅。3CN102544118A说明书1/5页MIM电容器及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及半导体集成电路制备技术领域，尤其涉及一种MIM电容器及其制备方法。背景技术[0002]电容、电阻等被动元件(PassiveCircuitElement)被广泛应用于集成电路制作技术中，这些器件通常采用标准的集成电路工艺，利用掺杂单晶硅、掺杂多晶硅以及氧化膜或氮氧化膜等制成，比如多晶硅-介质膜-多晶硅(