将原子层沉积涂层涂覆到多孔非陶瓷基底上的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102575346102575346B(45)授权公告日2015.01.28(21)申请号201080042180.XC23C16/54(2006.01)(22)申请日2010.09.15C23C16/30(2006.01)C23C16/06(2006.01)(30)优先权数据(56)对比文件61/244,7132009.09.22US61/244,6962009.09.22USUS2002/0076491A1,2002.06.20,权利要求1-12.(85)PCT国际申请进入国家阶段日CN2006/0156986A1,2006.07.20,权利要求2012.03.221-18.(86)PCT国际申请的申请数据US2004/0213918A1,2004.10.28,说明书第PCT/US2010/0489022010.09.15[0026]-[0032]段.(87)PCT国际申请的公布数据US2008/0274282A1,2008.11.06,权利要求WO2011/037798EN2011.03.311-20.何俊鹏等.原子层沉积技术及其在光学薄膜(73)专利权人3M创新有限公司中的应用.《真空科学与技术学报》.2009,第29地址美国明尼苏达州卷(第2期),第173-179页.(72)发明人比尔·H·道奇审查员赵亚斌(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司11219代理人张爽樊卫民(51)Int.Cl.C23C16/455(2006.01)C23C16/00(2006.01)H01L21/205(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书9页说明书9页附图1页附图1页(54)发明名称将原子层沉积涂层涂覆到多孔非陶瓷基底上的方法(57)摘要本发明公开了一种将保角涂层沉积在多孔非陶瓷基底上的方法，所述方法需要反应性气体流动经过所述基底从而在其后留下保角涂层。所述方法可用于在所述基底的内孔上留下亲水表面，即使当所述基底是天然疏水性的，例如烯属的材料。所述方法可用于卷对卷法方法中，或用于批量方法中。在后一种情况的一些方便的实施例中，批量反应器和适形涂覆的基底或多个基底可一起成为最终产品的组件，所述组件例如分别为过滤器CN102575346BCN10257346B主体和过滤器元件。CN102575346B权利要求书1/2页1.一种用于在多孔非陶瓷基底上沉积保角涂层的方法，其包括以下步骤：提供具有入口和出口的反应器；将至少一个多孔非陶瓷基底的至少一部分定位为使得所述多孔非陶瓷基底将所述入口与所述出口分离；执行至少一次如下反复，顺序地将第一和第二反应性气体在所述入口引入使得所述第一和第二反应性气体流动穿过所述多孔非陶瓷基底到达所述出口，从而在所述多孔非陶瓷基底的内表面上执行两个或更多个自限制反应的序列，以在所述内表面的至少一部分上形成保角涂层，其中“保角涂层”意指很好地附着并紧密贴合下层基底形状的相对薄的材料涂层，“非陶瓷”意指基底基本不包含无机金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物或其它陶瓷材料，以及“多孔的”意味着基底包含充足的开口，即，“孔”，使得至少气体可穿过其。2.根据权利要求1所述的方法，其中至少8次反复之后完成所述执行步骤。3.根据权利要求2所述的方法，其中至少20次反复之后完成所述执行步骤。4.根据权利要求1所述的方法，其中重复所述执行步骤直至所述内表面的表面能量大于72达因/厘米。5.根据权利要求4所述的方法，其中最靠近所述出口的所述多孔非陶瓷基底的外表面的表面能量小于72达因/厘米。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述多孔非陶瓷基底是多孔聚合物基底，并且其中所述引入步骤在低于所述多孔聚合物基底的熔融温度的温度下进行。7.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括将至少第二多孔非陶瓷基底的至少一部分定位为使得所述第二多孔非陶瓷基底也将所述入口与所述出口分离。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述多孔非陶瓷基底采取无限长的幅材的形式，并且所述定位手段允许卷对卷法。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述卷对卷法是一种分步重复方法。10.根据权利要求8所述的方法，其中所述卷对卷法是一种连续运动方法。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述反应器采取过滤器主体的形式。12.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一或第二反应性气体的至少一种包括非反应性载气成分。13.根据权利要求1所述的方法，其中所述多孔非陶瓷基底是多孔聚合物基底。14.根据权利要求13所述的方法，其中所述多孔聚合物基底是TIPS基底。15.根据权利要求13所述的方法，其中所述多孔聚合物基底是非织造基底。16.根据权利要求1所述的方法，其中所述保角涂层包括金