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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111479949A(43)申请公布日2020.07.31(21)申请号201880080309.2(74)专利代理机构北京允天律师事务所11697(22)申请日2018.12.11代理人董文国(30)优先权数据(51)Int.Cl.PCT/IB2017/0579462017.12.14IBC23C14/24(2006.01)C23C14/56(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2020.06.12(86)PCT国际申请的申请数据PCT/IB2018/0598582018.12.11(87)PCT国际申请的公布数据WO2019/116215EN2019.06.20(71)申请人安赛乐米塔尔公司地址卢森堡卢森堡市(72)发明人埃里奇·西尔伯贝格布鲁诺·施米茨塞尔焦·帕切雷米·邦内曼迪迪埃·马尔内夫权利要求书2页说明书6页附图2页(54)发明名称真空沉积设备和用于涂覆基底的方法(57)摘要本发明涉及真空沉积设备,其用于在移动的基底上连续地沉积由金属或金属合金形成的涂层,并且包括:-中央壳体,所述中央壳体包括蒸气喷射涂布机,所述中央壳体的内壁适合于被加热至高于金属或金属合金蒸气的冷凝温度的温度,-蒸气捕集器,所述蒸气捕集器位于中央壳体的基底出口处,蒸气捕集器的内壁适合于保持在低于金属或金属合金蒸气的冷凝温度的温度下,-通道,所述通道将中央壳体连接至蒸气捕集器,包括至少从中央壳体的内壁延伸至蒸气捕集器的内壁的至少一个热连接器。CN111479949ACN111479949A权利要求书1/2页1.一种真空沉积设备(1),所述真空沉积设备(1)用于在移动的基底(S)上连续地沉积由金属或金属合金形成的涂层,所述设备包括真空室(2),所述基底(S)能够沿给定路径(P)移动穿过所述真空室(2),其中所述真空室(2)还包括:-中央壳体(4),所述中央壳体(4)包括位于所述中央壳体的两个相对侧上的基底入口(5)和基底出口(6)以及蒸气喷射涂布机(7),所述中央壳体的内壁适合于被加热至高于所述金属或所述金属合金蒸气的冷凝温度的温度,-蒸气捕集器(8),所述蒸气捕集器(8)位于所述中央壳体的所述基底出口(6)处呈外部壳体的形式,所述蒸气捕集器的内壁适合于保持在低于所述金属或所述金属合金蒸气的冷凝温度的温度下,-通道,所述通道将所述中央壳体连接至所述蒸气捕集器,所述通道包括至少从所述中央壳体的内壁延伸至所述蒸气捕集器的内壁的至少一个热连接器(11)。2.根据权利要求1所述的真空沉积设备,其中所述热连接器(11)包括整体金属件。3.根据权利要求2所述的真空沉积设备,其中所述金属件由热导率大于20W.m-1K-1的金属制成。4.根据权利要求3所述的真空沉积设备,其中所述金属件为铜的。5.根据权利要求1至4中任一项所述的真空沉积设备,其中所述热连接器(11)的厚度为6mm至18mm。6.根据权利要求1至5中任一项所述的真空沉积设备,其中所述热连接器(11)具有均匀的形状并且在所述中央壳体的所述基底出口(6)的整个宽度上延伸。7.根据权利要求1至6中任一项所述的真空沉积设备,其中所述热连接器(11)具有矩形截面。8.根据权利要求1至7中任一项所述的真空沉积设备,其中所述热连接器(11)突出到所述中央壳体中并且与所述蒸气捕集器的壁接触。9.根据权利要求8所述的真空沉积设备,其中所述热连接器(11)从所述中央壳体的内壁向内突出至少4mm。10.根据权利要求8或9中任一项所述的真空沉积设备,其中所述蒸气捕集器(8)包括向内侧,并且其中所述热连接器(11)不延伸超过所述蒸气捕集器的所述向内侧的内壁的平面。11.根据权利要求8至10中任一项所述的真空沉积设备,其中所述蒸气捕集器(8)包括旨在与所述中央壳体接触的向内侧,所述热连接器从所述向内侧沿向内方向突出并且适合于插置在所述中央壳体的腔中。12.根据权利要求8至10中任一项所述的真空沉积设备,其中所述中央壳体的所述基底出口(6)包括从所述基底出口突出并且适合于与所述蒸气捕集器的壁接触的热连接器(11)。13.根据权利要求1至12中任一项所述的真空沉积设备,其中所述中央壳体(4)包括与所述热连接器(11)相邻的局部加热器(14)。14.根据权利要求1至13中任一项所述的真空沉积设备,还包括位于所述中央壳体的所述基底入口(5)处的第二蒸气捕集器。15.根据权利要求1至14中任一项所述的真空沉积设备,其中将所述中央壳体连接至所2CN111479949A权利要求书2/2页述蒸气捕集器的所述通道包括两个热连接器(11),一个在基底路径(P)的下方,另一个在所述基底路径(P)的上方。16.根据权利要求1至15中任一项所述的真空沉积设备,其