去除LED衬底的方法及以其方法制得的LED芯片.pdf
听容****55
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去除LED衬底的方法及以其方法制得的LED芯片.pdf
本发明涉及去除LED衬底的方法及以其方法制得的LED芯片,涉及LED基片的去除加工方法,其包括如下步骤:制作治具并将LED芯片放入治具固定位置;设置喷砂机,移动喷砂机的喷嘴正对需要去除衬底的LED衬底表面;选用目数为200~400的砂进行粗喷砂;对粗喷砂后的LED衬底表面进行吹砂及砂粒的回砂;选用目数为500~650的砂进行细喷砂;对细喷砂后的LED衬底表面进行吹砂及砂粒的回砂;判断LED衬底是否已去除。本发明应用喷砂技术的方式对LED的衬底进行减薄、去除并同时表面粗化,其利用二次喷砂的方式,第一次使用粗
去除GaN基LED芯片蓝宝石衬底的方法.pdf
本发明提供了一种去除GaN基LED芯片的蓝宝石衬底的方法,包括步骤:(1)采用圆片键合的方式制作导热基座;(2)机械研磨蓝宝石衬底;(3)ICP刻蚀蓝宝石衬底,采用本发明提供的方法,可以在蓝宝石衬底相对较厚时采用砂轮减薄蓝宝石衬底的方法,当蓝宝石衬底相对较薄时钻石研磨的方法,既有利于去除蓝宝石衬底的速度,也可避免高温,有利于保证器件可靠性,而采用ICP刻蚀蓝宝石,有助于保证去除蓝宝石衬底后,GaN基外延层厚度均匀一致,同时采用本方法,可以方便地实现衬底转移,不需专门的激光刻蚀设备,所用设备与普通的GaN基
蓝宝石衬底LED芯片的切割方法.pdf
本发明公开了一种蓝宝石衬底LED芯片的切割方法,该方法包括划片槽光刻;两步感应耦合等离子体干法刻蚀分别对氮化镓和蓝宝石衬底进行刻蚀,形成划片槽;以及去除剩余的光刻胶,并对所述LED芯片进行清洗;从而避免了在划片过程中造成划片槽侧壁步平整及损伤,并且在划片槽内没有残留微粒,从而不会影响LED芯片的发光效率。
LED倒装芯片的图形化衬底及制备方法.pdf
一种LED倒装芯片的图形化衬底及其制备方法,所述图形化衬底包括基本衬底和分布在所述基本衬底背面或者所述基本衬底背面和正面的图形化结构层。所述制备方法,包括:在基本衬底的正面形成保护层,并在所述基本衬底的背面形成掩膜层;将所述掩膜层图形化,形成掩膜图形;刻蚀所述基本衬底的背面,将所述掩膜层的图形转移到所述基本衬底的背面,形成图形化结构层;去除残留的所述掩膜层和所述保护层,形成图形化衬底。本发明可在有效提高LED光提取效率的同时,避免图形化过程对外延层及LED芯片带来沾污和损伤,降低流片工艺复杂程度。
LED芯片及LED芯片制造方法.pdf
本发明提供一种LED芯片及LED芯片制造方法,LED芯片包括衬底和设于其上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电层、N电极和P电极,透明导电层设有第一窗口区,第一窗口区设于N型半导体层上方,暴露出N型半导体层;于第一窗口区内,N型半导体层上设有金属层,金属层上方设有绝缘层,金属层与透明导电层电性连接;N电极包括N电极焊盘部和N电极扩展部,N电极焊盘部设于绝缘层上方,N电极扩展部电性连接至N型半导体层。保留了位于N电极下方的发光层,在绝缘层下方区域采用金属层代替透明导电层,具有优良粘附性的金属层稳固