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表面质量提高的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法.pdf
2023-11-25
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表面质量提高的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法.pdf
本发明涉及表面质量提高的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，该方法包括以下步骤：测量SiC粉体表面的氧含量，并根据3C+SiO2＝SiC+2CO↑计算出所需的碳含量；加入烧结助剂B和C混合浆料，配比如下：烧结助剂与SiC粉体的混合物∶磨球∶分散介质＝1∶3∶1；烘干浆料、过筛，成型后除去粘结剂；在流动惰性气体保护下，以烧结温度为2050-2200℃进行烧结，保温时间1-4小时，生成致密的SiC陶瓷；对所得的致密的SiC陶瓷进行机械加工；对经机械加工的SiC陶瓷进行超声清洗以去除陶瓷表面上的残留粒子和沾污物。
2023-11-25
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2023-06-19
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本发明提供了一种碳化硅陶瓷常压固相烧结过程的数值模拟方法，包括以下步骤：（1）建立碳化硅陶瓷常压固相烧结过程的热粘弹性本构模型；（2）建立有限元分析模型；（3）定义烧结蠕变本构方程；（4）进行瞬态热结构耦合非线性仿真分析，获得碳化硅陶瓷产品上的温度场分布以及致密化收缩量；（5）通过与实时观测炉测得的试验数据对比，验证所述热粘弹性本构模型及有限元分析模型的正确性。本发明解决了目前碳化硅陶瓷常压固相烧结过程中无法实时测量陶瓷产品上的变形及温度分布状态，并且针对不同尺寸及结构形式的碳化硅陶瓷产品不能准确制定有针
2023-06-18
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一种低温液相烧结碳化硅泡沫陶瓷的制备方法，其特征是将下列物质中按重量百分比混均：50%~75%的碳化硅粉、2.2%~11.25%的氧化镁、4%~15.3%的氧化铝、10%~29.7%硅微粉、0.05%~0.2%羧甲基纤维素、0.02%~0.08%聚苯烯酰胺和4%~5%可溶性淀粉，加入去离子水；在行星球磨机上球磨6~12h，配制成固含量质量分数为50%~65%的陶瓷浆料；然后用预处理过的聚氨酯泡沫进行挂浆，置于80~120℃干燥箱内干燥12~24h，随后置于50℃~1465℃的真空电阻炉中进行烧结。本发明制
2023-06-19
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本发明公开一种采用两步法烧结工艺制备钛酸铝复合多孔陶瓷的方法，属于无机非金属材料制造领域。制备方法包括熟料制备、粉末混合、生胚制备和两步法烧结四个关键步骤。其中烧结工艺为两步法固相烧结过程，第一段先采用1～5℃/min的升温速率至1100～1400℃，保温1～30h，随炉冷却；第二段采用5～10℃/min的升温速率快速升至1500～1700℃，保温0～30min，随炉冷却至室温，两步均为空气气氛常压烧结。采用本发明技术制备的钛酸铝复合多孔陶瓷具有高孔隙率、良好力学性能和较低热膨胀系数等优点。本发明提供的钛
2023-06-16
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