激光处理装置及其控制方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103170729A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103170729103170729A(43)申请公布日2013.06.26(21)申请号201210559128.2(22)申请日2012.12.20(30)优先权数据10-2011-01387012011.12.20KR(71)申请人AP系统股份有限公司地址韩国京畿道华城市(72)发明人朴宪旭林基锡金圣进崔东奎(74)专利代理机构隆天国际知识产权代理有限公司72003代理人郝新慧张浴月(51)Int.Cl.B23K26/00(2006.01)B23K26/14(2006.01)B23K26/42(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书10页说明书10页附图13页附图13页(54)发明名称激光处理装置及其控制方法(57)摘要本文提供一种激光处理装置及其控制方法，其能够仅对衬底的待进行激光处理的部分选择性地进行激光处理，并且能够防止气体存留在衬底与平台之间直到衬底放置在平台上。该激光处理装置包括：平台，其被放置在反应室内且在该平台上放置衬底；真空单元，被提供给平台以将氧气从位于衬底与平台之间的空间排放到反应室的外部；以及控制器，当衬底放置在平台上时，其将操作信号发送到真空单元，使得从平台的中心部向其外围依序执行氧气排放操作。CN103170729ACN103729ACN103170729A权利要求书1/1页1.一种激光处理装置，包括：平台，其被放置在反应室内，且在该平台上放置衬底；真空单元，被提供给所述平台以将氧气从位于所述衬底与所述平台之间的空间排放到所述反应室的外部；以及控制器，当所述衬底被放置在所述平台上时，将操作信号发送到所述真空单元，使得依序从所述平台的中心部向其外围执行氧气排放操作。2.根据权利要求1所述的激光处理装置，其中，所述真空单元包括：多个真空孔，被提供给所述平台；以及真空泵，被连接到所述真空孔以将氧气排放到所述反应室外部。3.根据权利要求2所述的激光处理装置，其中，所述平台包括：中心部，被设置为穿过所述平台的中心将所述平台分成两个对称部分；第一侧部，邻近所述中心部；第二侧部，邻近所述第一侧部的外侧；第三侧部，邻近所述第二侧部的外侧；以及多个交叉部，被设置为与所述第二侧部交叉。4.根据权利要求2所述的激光处理装置，其中，所述真空孔包括：第一真空孔，形成在所述中心部中；第二真空孔，形成在所述第一侧部中；第三真空孔，形成在所述第二侧部中；第四真空孔，形成在所述第三侧部中；以及第五真空孔，形成在所述交叉部中。5.一种激光处理装置的控制方法，包括：当衬底放置在平台上时，从放置在反应室内的所述平台的中心部排放氧气；当氧气从所述平台的所述中心部完全排放时，从邻近所述平台的所述中心部的第一侧部排放氧气；当氧气从所述第一侧部完全排放时，从邻近所述第一侧部的外侧的第二侧部排放氧气；当氧气从所述第二侧部完全排放时，从邻近所述第二侧部的外侧的第三侧部排放氧气；以及当氧气从所述第三侧部完全排放时，从与所述第二侧部交叉的交叉部排放氧气。2CN103170729A说明书1/10页激光处理装置及其控制方法技术领域[0001]本发明涉及一种激光处理装置及其控制方法，尤其涉及一种激光处理装置及其控制方法，该激光处理装置能够仅对衬底的待进行激光处理的部分选择性地进行激光处理，并且能够防止气体存留在衬底与平台之间直到衬底放置在平台上。背景技术[0002]在制造半导体器件、平板显示器（FPD）器件、或太阳能电池器件等时，当在高温下沉积薄膜时，热化学反应可能造成反应炉污染，或者可能产生不想要的化合物。[0003]因而，使用激光激发的等离子体化学气相沉积在低温下沉积薄膜。[0004]同时，由于随着衬底规格的增大，很难确保薄膜沉积和退火时的均匀性，因此已经提出了包括激光退火处理的各种措施。[0005]反应室设置有进气口/出气口，通过所述进气口/出气口而供应反应气体或从反应室排放反应气体，并且在反应室上端设置有石英玻璃窗口。激光装置放置于该石英玻璃窗口上方，并且从该激光装置发射的激光束经过该石英玻璃窗口并到达反应室中的衬底。[0006]呈帘幕状照射的激光束垂直于衬底或相对于衬底稍微倾斜。[0007]衬底沿相对于激光束的一个方向水平移动，从而使激光束照射至衬底的整个表面。[0008]名称为“用于调节能量束的长度和强度的激光处理装置”的韩国专利申请号10-2010-0138509A（公开于2010年12月31日）公开了本发明的现有技术。[0009]然而，由于通用激光处理装置将激光束照射至整个衬底以执行激光处理，激光束甚至会照射衬底的不需要进行处理的部分，从而很难减少激光处理的时间。[0010]另外，通用激光处理装置没有设