改良的太阳能硅晶圆的制造方法以及太阳能硅晶圆.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103579411103579411A(43)申请公布日2014.02.12(21)申请号201310302432.3(22)申请日2013.07.18(30)优先权数据1011262302012.07.20TW(71)申请人中美矽晶制品股份有限公司地址中国台湾新竹市科学工业园区工业东二路8号(72)发明人叶展宏徐耀丰郑世隆罗秋梅何思桦徐文庆(74)专利代理机构昆山四方专利事务所32212代理人盛建德(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)B28D5/00(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书5页说明书5页附图4页附图4页(54)发明名称改良的太阳能硅晶圆的制造方法以及太阳能硅晶圆(57)摘要本发明公开了一种改良的太阳能硅晶圆的制造方法以及太阳能硅晶圆，是先移除太阳能硅晶棒的两重工区域以保留一常态区域，然后从太阳能硅晶棒的常态区域分割出太阳能硅晶圆，并经由加热至一反应温度之后持温一反应时间的退火处理后形成本发明的太阳能硅晶圆，本发明的制造方法可有效提升太阳能硅晶圆的硬度及增加抗折强度，减少后续制程中产生硅晶圆裂痕或硅晶圆破片的问题，以增加制程良率及降低生产成本；并且，通过本发明制造方法所制得的太阳能硅晶圆可提高其光电转换效率，达到产生效能更好的太阳能电池的目的。CN103579411ACN1035794ACN103579411A权利要求书1/1页1.一种改良的太阳能硅晶圆的制造方法，其特征在于：按下述步骤进行：一、提供一太阳能硅晶棒；二、移除该太阳能硅晶棒的两重工区域以保留一常态区域；三、对该太阳能硅晶棒的该常态区域进行切片处理，以形成至少一个太阳能硅晶圆；四、将该些太阳能硅晶圆放置于一高温设备中，并将该些太阳能硅晶圆进行退火处理：加热升温至一反应温度之后持温一反应时间，之后进行降温。2.如权利要求1所述的改良的太阳能硅晶圆的制造方法，其特征在于：该太阳能硅晶棒为多晶硅晶棒，该太阳能硅晶圆为多晶硅晶圆。3.如权利要求1所述的改良的太阳能硅晶圆的制造方法，其特征在于：该常态区域的定义为载子寿命高于一预定数值，该预定数值的范围介于2至5微秒之间。4.如权利要求1所述的改良的太阳能硅晶圆的制造方法，其特征在于：该两重工区域分别位于该太阳能硅晶棒的两端。5.如权利要求1所述的改良的太阳能硅晶圆的制造方法，其特征在于：该反应温度为大于330℃。6.如权利要求1所述的改良的太阳能硅晶圆的制造方法，其特征在于：该反应时间为大于30分钟。7.如权利要求1所述的改良的太阳能硅晶圆的制造方法，其特征在于：该加热升温过程中更包括通入纯的惰性气体于该高温设备内，该惰性气体的气体流量范围介于每分钟3至7升之间。8.一种太阳能硅晶圆，其特征在于：其是由一太阳能硅晶棒的一常态区域分割出来，并经由加热至一反应温度之后持温一反应时间的退火处理所形成的该太阳能硅晶圆。9.如权利要求8所述的太阳能硅晶圆，其特征在于：该反应温度为大于330℃。10.如权利要求8所述的太阳能硅晶圆，其特征在于：该反应时间为大于30分钟。2CN103579411A说明书1/5页改良的太阳能硅晶圆的制造方法以及太阳能硅晶圆技术领域[0001]本发明有关于一种太阳能硅晶圆的制造方法以及太阳能硅晶圆，尤其是指一种可提高硬度及增加抗折强度的改良的太阳能硅晶圆的制造方法以及太阳能硅晶圆。背景技术[0002]由于太阳能具有清洁、安全及环保的特性，因此最近成为产生电力的新兴能源。一般太阳能电池即为将太阳能转换成电能的装置，其是通过P型半导体与N型半导体结合形成P-N接面，当太阳光照射至P-N接面上时，由于太阳光的能量将使得半导体内生成电洞及电子。在P-N接面电场作用下，电洞向P型半导体漂移，电子向N型半导体漂移，因此可产生电流。[0003]太阳能电池广义上可划分为晶圆型太阳能电池以及薄膜型太阳能电池。而晶圆型太阳能电池系利用硅晶圆所制成，硅晶圆则是由单晶硅或多晶硅晶棒（Ingot）切割而成。在硅晶棒切割形成硅晶圆的过程，就决定所生产硅晶圆的数量，而且也会影响到太阳能电池后续制程的质量。由于硅晶圆与其所制造而成的太阳能电池均具有薄型化及易脆裂的特性，当外力超出硅晶圆的最大负载或是应力过度集中时就会造成硅晶圆裂痕或硅晶圆破片的问题，而导致生产制程的良率下降。尤其是破片问题对后续制程的太阳能电池（cell）厂有相当大的影响，由于硅晶圆产生破片之后就不能再使用，只能回收与重熔，将会提高其生产成本。因此，有效提高硅晶圆的硬度及抗折强度将成为重要的制程目标。发明内容[0004]为了克服上述缺陷，本发明提供了一种改良的太阳能硅晶圆的制造方法以及太阳能硅晶圆，该改良的太阳能硅晶圆的制造