改善SONOS器件自对准接触孔漏电的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103811406103811406A(43)申请公布日2014.05.21(21)申请号201210436223.3(22)申请日2012.11.05(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址201203上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号(72)发明人肖泽龙陆连袁苑(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人高月红(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L21/311(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书3页说明书3页附图4页附图4页(54)发明名称改善SONOS器件自对准接触孔漏电的方法(57)摘要本发明公开了一种改善SONOS器件自对准接触孔漏电的方法，包括：1）进行SONOS器件自对准接触孔刻蚀；2）在接触孔的侧壁和底部以及SONOS器件中的未掺杂氧化膜上方，成长氮化硅膜；3）刻蚀氮化硅膜，使只在接触孔侧壁上保留氮化硅膜；4）用传统湿法流程清洗去除刻蚀产生的聚合物，得到SONOS器件自对准接触孔。本发明可以弥补常规自对准接触孔刻蚀中造成的栅极上侧墙的过度损耗，能够明显增加氮化硅膜侧墙残留的厚度，避免栅极与金属线短路，改善产品的自对准接触孔漏电，提高接触孔击穿电压，扩大SONOS器件自对准接触孔刻蚀工艺窗口。CN103811406ACN103846ACN103811406A权利要求书1/1页1.一种改善SONOS器件自对准接触孔漏电的方法，其特征在于，包括步骤：1）进行SONOS器件自对准接触孔刻蚀；2）在接触孔的侧壁和底部以及SONOS器件中的未掺杂氧化膜上方，成长氮化硅膜；3）刻蚀氮化硅膜，使只在接触孔侧壁上保留氮化硅膜；4）清洗，得到SONOS器件自对准接触孔。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤2）中，成长氮化硅膜的工艺为低压成长氮化硅膜工艺；其中，工艺参数为：低压的压力范围为0.008Kpa～0.0266Kpa，温度为600～800℃，氮化硅膜的厚度为100～300埃。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3）中，刻蚀的方法为干法刻蚀，选用选择比为2～5的氮化硅/氧化硅选择比；其中，该刻蚀的工艺参数包括：射频功率为100～300瓦，腔体压力为20～100毫托，静电吸盘背部压力为0～20托，四氟乙烷流量为0～50sccm，氩气流量为0～600sccm，三氟甲烷流量为0～20sccm，氧气流量为0～20sccm，一氧化碳流量为0～200sccm。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3）中，保留的氮化硅膜的厚度为20～80埃。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤4）中，清洗的方法为采用湿法，清洗去除刻蚀产生的聚合物。2CN103811406A说明书1/3页改善SONOS器件自对准接触孔漏电的方法技术领域[0001]本发明涉及一种改善自对准接触孔漏电的方法，特别是涉及一种改善SONOS（Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）器件自对准接触孔漏电的方法。背景技术[0002]SONOS（硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅）器件，是一种和闪存联系较为紧密的非易失性存储器。[0003]在SONOS器件自对准接触孔工艺中，为了降低光刻的对准难度，缩小芯片面积，提高产品的集成度，取消了作为阻挡层的氮化硅（SiN）阻挡层。在刻蚀穿过花苞状外壳图形时，很容易造成氮化膜侧墙损耗太多，接触孔与栅极（Poly）之间的阻挡过薄，在高电压下容易击穿导致金属线与栅极短路，造成自对准接触孔漏电，降低了器件的击穿电压，最终造成晶圆周边良率低下。其中，图1为清扫后自对准接触孔图形（极端情况），接触孔侧墙损耗过多，容易造成填充的金属与栅极短路，进而造成器件漏电。[0004]因此，需要对SONOS器件自对准接触孔工艺进行进一步的研究改善，以改善自对准接触孔漏电情况。发明内容[0005]本发明要解决的技术问题是提供一种改善SONOS器件自对准接触孔漏电的方法。该方法通过在常规自对准接触孔刻蚀后，增加一步成膜和干法刻蚀的方案，可以改善接触孔漏电，增大SONOS器件自对准接触孔刻蚀工艺窗口。[0006]为解决上述技术问题，本发明的改善SONOS器件自对准接触孔漏电的方法，包括步骤：[0007]1）进行常规的SONOS器件自对准接触孔刻蚀；[0008]2）在接触孔的侧壁和底部以及SONOS器件中的未掺杂氧化膜上方，成长氮化硅膜；[0009]3）刻蚀氮化硅膜，使只在接触孔侧壁上保留氮化硅膜，即在接触孔侧壁上残留部分氮化硅膜；[0010]4）清洗，得到SONOS器件自对准接触孔。[0011]所述步骤2）中，成长氮化硅膜