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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103822806103822806A(43)申请公布日2014.05.28(21)申请号201210466615.4(22)申请日2012.11.16(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号(72)发明人赵燕丽齐瑞娟段淑卿李明(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人屈蘅李时云(51)Int.Cl.G01N1/28(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书6页说明书6页附图4页附图4页(54)发明名称TEM样品的制备方法(57)摘要本发明提供一种TEM样品制备方法,在样品载入FIB机台处理前增加了前处理步骤,即对切割出的第一待处理样品进行背面减薄处理,然后将第一待处理样品和第二待处理样品的正面面对面贴合,然后再按照常规的FIB制备样品的过程进行两个TEM样品的制备。由于背面减薄处理后的第一待处理样品在要形成第一TEM样品的区域会有硅衬底残留,这样在FIB机台上进行TEM样品制备过程中省略镀保护层的步骤,缩短了制样的时间;而且一次可得两个TEM样品,提高了制备效率,同时缩短了单个样品制备的周期。CN103822806ACN103826ACN103822806A权利要求书1/1页1.一种TEM样品的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:从晶片上切割出第一待处理样品和第二待处理样品,所述第一待处理样品包含后续要形成的第一TEM样品,所述第二待处理样品包含后续要形成的第二TEM样品;从所述第一待处理样品的正面确定要形成的第一TEM样品的位置;对所述第一待处理样品进行背面减薄处理;将所述第一待处理样品的正面和第二待处理样品的正面贴合在一起,形成待处理样品;将所述待处理样品载入FIB机台,并从所述第一待处理样品的背面处理所述待处理样品;形成包含第一TEM样品和第二TEM样品两种结构的TEM样品。2.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法,其特征在于,对所述第一待处理样品进行背面减薄处理后,所述第一待处理样品的厚度为3~10μm。3.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法,其特征在于,采用粘合剂将所述第一待处理样品的正面和第二待处理样品的正面贴合在一起。4.如权利要求3所述的TEM样品的制备方法,其特征在于,所述粘合剂的厚度为200~300nm。5.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法,其特征在于,所述第一待处理样品为NMOS、PMOS、接触孔或互连线结构。6.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法,其特征在于,所述第二待处理样品为NMOS、PMOS、接触孔或互连线结构。7.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法,其特征在于,从所述第一待处理样品的背面处理所述待处理样品的步骤包括:用离子束初步切割,在所述第一待处理样品要形成的第一TEM样品的两侧形成两个洞,所述洞的深度能暴露出包含第二TEM样品的第二待处理样品的侧壁;用离子束在两个洞的底部分别形成开口;用离子束分别从每个洞中细切要形成的第一TEM样品和第二TEM样品的侧壁,直到要形成的第一TEM样品和第二TEM样品的厚度均达到要求。8.如权利要求7所述的TEM样品的制备方法,其特征在于,所述洞的宽度3~10μm。9.如权利要求7所述的TEM样品的制备方法,其特征在于,所述第一TEM样品和第二TEM样品的厚度均小于0.1μm。10.如权利要求7所述的TEM样品的制备方法,其特征在于,所述开口为U型开口。11.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法,其特征在于,所述第二待处理样品的横截面面积大于第一待处理样品的横截面面积。12.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法,其特征在于,通过所述第一待处理样品的激光标识位置从所述第一待处理样品的正面确定所述第一待处理样品的要形成的第一TEM样品的位置。13.如权利要求12所述的TEM样品的制备方法,其特征在于,将所述第一待处理样品的正面和第二待处理样品的正面贴合在一起时,使得第一待处理样品的激光标识位置与第二待处理样品的图形对准。2CN103822806A说明书1/6页TEM样品的制备方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种TEM样品的制备方法。背景技术[0002]目前,透射电子显微镜(TEM)是电子显微学的重要工具,TEM通常用于检测组成半导体器件的薄膜的形貌、尺寸和特征等。将TEM样品放入TEM观测室后,TEM的主要工作原理为:高能电子束穿透TEM样品时发生散射、吸收、干涉及衍射等现象,使得在成像平面形成衬度,从而形成TEM样品的图像,后续再对所述TEM样品的图像进行观察、测量以及分析。[0003]现有技术中,聚焦离子束(FIB)机台