TEM 样品载网支持膜及其制备方法、TEM 样品分析方法.pdf

本发明提供一种TEM样品载网支持膜及其制备方法、TEM样品分析方法。其中，所述TEM样品载网支持膜至少包括：承载组件，所述承载组件中设置有镂空区域，所述镂空区域中包括多个镂空部；碳膜，覆盖于所述镂空区域上；其中，至少一个所述镂空部上覆盖的碳膜中设置有一个样品孔。所述TEM样品载网支持膜的碳膜上设置的样品孔适于在进行TEM分析时，避免TEM样品受到碳膜的影响，同时能很牢固的吸附在碳膜上，并得到碳膜足够的支撑力。

2023-05-28

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一种TEM样品以及制备TEM样品的方法.pdf

本发明提供了一种TEM样品以及制备TEM样品的方法，包括：在待制备样品上形成保护层；沿所述保护层的两侧向所述待制备样品的中间部分减薄，并在其中一侧减薄至预设条件时，逐步缩小加工区域，以通过在墩子和薄区之间保留阶梯状的过渡区域来形成厚度均匀的薄区。由于墩子与薄区相连，且墩子位于薄区的两端，因此，通过保留阶梯状的过渡区域，可以逐步改变薄区边缘受到墩子拉力的受力点的位置，从而通过改变受力点位置可以减小薄区远离墩子的中间区域与靠近墩子的边缘区域的拉力差异，进而可以提高大范围薄区的均匀性，使得制备的TEM样品满足T

2023-11-14

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TEM样品的制备方法.pdf

本发明公开了一种TEM样品的制备方法，包括步骤：步骤一、提供具有孔洞的薄膜样品；步骤二、使用FIB对薄膜样品的目标区域进行TEM样品的第一次前后面切割，切割后TEM样品具有第一厚度且孔洞在TEM样品的前面或后面暴露；步骤三、采用ALD沉积工艺形成第一材料层将所述TEM样品中孔洞填满；步骤四、使用FIB对应薄膜样品的目标区域进行TEM样品的第二次前后面切割，切割后TEM样品具有目标厚度。本发明能减少或消除和薄膜样品中的孔洞相关的离子束拉痕，从而能提高TEM样品的质量和制样成功率，还具有操作简单和成本低的优点

2023-07-24

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TEM样品的制备方法.pdf

本发明提供一种TEM样品制备方法，在样品载入FIB机台处理前增加了前处理步骤，即对切割出的第一待处理样品进行背面减薄处理，然后将第一待处理样品和第二待处理样品的正面面对面贴合，然后再按照常规的FIB制备样品的过程进行两个TEM样品的制备。由于背面减薄处理后的第一待处理样品在要形成第一TEM样品的区域会有硅衬底残留，这样在FIB机台上进行TEM样品制备过程中省略镀保护层的步骤，缩短了制样的时间；而且一次可得两个TEM样品，提高了制备效率，同时缩短了单个样品制备的周期。

2023-11-23

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一种TEM样品的制备方法.pdf

本发明提供一种TEM样品的制备方法，至少包括以下步骤：1）于样片中定义分析区域，于所述分析区域的两侧形成凹槽；2）对所述分析区域的两端进行切割使所述分析区的两端与样片分离；3）减薄所述分析区域至预设厚度；4）于所述分析区域两端预留支撑区域，并进行切割使除所述支撑区域以外的分析区域底部与样片分离；5）进行切割使所述分析区域与所述支撑区域分离。本发明在制备TEM样品先将其两端切断，给后续减薄过程的膨胀提供应力释放的空间，使应力能在样品平行的方向伸张，从而可以有效地避免TEM样品的弯曲现象。

2023-11-22

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