一种TSV多层芯片键合方法.pdf

本发明一种TSV多层芯片键合方法包括，一，将具备TSV及正面图形的第一晶圆的正面与支撑片进行临时键合，形成第一晶圆键合体；二，然后对其进行背面减薄，露出硅通孔，形成背面键合凸点；三，再对该键合体划片，正面保留支撑片，形成第一芯片；四，对具备正面键合凸点的第二晶圆进行划片形成第二芯片；五，将第一芯片与第二芯片进行凸点键合，去除支撑片形成二层键合体；六，将重复1-3形成的芯片依次按步骤5进行凸点键合，实现多层芯片的依次键合叠加，得到TSV多层芯片。或将重复1-3形成的多个芯片，两两分别进行凸点键合后形成两侧均

2023-11-22

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一种热塑性芯片的键合方法.pdf

本发明提供了一种热塑性芯片的键合方法，属于芯片键合技术领域，所述方法包括：通过溶剂键合的方式将两块热塑性芯片进行预键合，获得预键合体；将所述预键合体进行加压并浸没于40～80℃的水中，在0.5～5MPa压力下进行水浴键合，获得键合体。该方法能够有效改善溶剂键合中由于溶剂残留而导致的微通道变形和尺寸损失的问题，进而提高热塑性芯片的键合质量。

2023-11-05

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含TSV结构的3D封装多层堆叠CuSn键合技术.docx

含TSV结构的3D封装多层堆叠CuSn键合技术Abstract3Dpackagingtechnologyhasrevolutionizedthesemiconductorindustrybyenablinghigherintegrationlevelsandimprovedperformance.Oneofthekeytechniquesthathavebeenwidelyusedin3DpackagingistheThrough-Silicon-Via(TSV)structure.TheTSVstruc

2024-11-02

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一种芯片键合结构、方法及设备.pdf

本发明提供了一种芯片键合结构，所述芯片键合结构包括目标基板和若干个芯片；所述若干个芯片中的任一芯片包括设置在底部的电极，所述目标基板上设置有与所述电极相对应的焊盘；所述电极基于导电部与所对应的焊盘键合，所述导电部的材料为导电性压敏胶。该芯片键合结构具有键合工艺简单，键合成功率高等特点。另外，本发明还提供了一种芯片键合方法及设备。

2023-07-25

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一种TSV芯片及其制造方法.pdf

本发明涉及芯片制造领域，特别是涉及一种TSV芯片及其制造方法，通过在TSV芯片前驱体的正面整面覆盖硬掩膜层；在覆盖所述硬掩膜层的TSV芯片前驱体的正面设置TSV电连接开口及假性开口，得到金属前置物；所述TSV电连接开口底部暴露出所述TSV芯片前驱体的次层电路结构层，所述假性开口仅贯穿所述硬掩膜层；在所述金属前置物的正面设置导电填充层；所述导电填充层填充所述TSV电连接开口及所述假性开口，且覆盖所述硬掩膜层；对所述导电填充层进行平坦化，并暴露出所述硬掩膜层，得到TSV构造体；对所述TSV构造体进行封装，得到

2023-06-02

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