一种制备高储能电容器的介电薄膜的方法.pdf
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一种制备高储能电容器的介电薄膜的方法.pdf
本发明公开了一种制备高储能电容器的介电薄膜的方法,其步骤如下:一、以钛金属化合物为主要原料,滴加水和抑制水解的酸进行水解反应,得到溶胶化和水解后的化合物;二、将溶胶化和水解后的化合物与具有骨架作用的聚合物单体、偶联剂和引发剂进行共缩聚反应,形成凝胶;三、对凝胶进行高温化处理,得到聚合物基纳米复合材料;四.将聚合物基纳米粉末、PVDF粉体与DMF溶液混合;五、将混合好的溶液抽真空,涂膜,烘干;六、烘干加热,去除残留溶剂并提高薄膜结晶度;七、冷却至室温,取下薄膜即可。本发明可以大幅度地提升薄膜的介电常数和介电
一种具有高储能密度的铁电陶瓷电容器及其制备方法.pdf
本发明公开了一种具有高储能密度的铁电陶瓷电容器及其制备方法,所述陶瓷成分为氧化锰掺杂钛酸钡‑钛镁酸铋,采用的制备方法是高温固相反应法,在陶瓷样品上下两面分别蒸镀上顶电极与底电极,测试结果显示此无铅铁电陶瓷具有较高的储能密度和能量转换效率。其突出的优点是:制备条件易得、工艺简单、结构简单、性能稳定、储能密度高、适合批量生产。
高介电氧化钽薄膜制备与介电性能分析.docx
高介电氧化钽薄膜制备与介电性能分析一、绪论高介电常数的材料在电子行业有着广泛的应用,因此高介电金属氧化物具有潜在的应用前景。其中,氧化钽是一种重要的高介电材料,其在电子行业中的应用非常广泛,如电容器、微电感器、滤波器、振荡器等。钽具有较高的电子云密度和较强的d-轨道分裂能力,这使得钽可以形成高密度和多级的氧化物层。高介电氧化钽薄膜是目前研究的热点之一,其制备方法有多种,如化学气相沉积、物理气相沉积、电化学沉积等。本文主要探讨物理气相沉积在制备高介电氧化钽薄膜中的应用及其介电性能分析。二、高介电氧化钽薄膜制
一种高介电常数、低介电损耗复合薄膜的制备方法.pdf
本发明公开了一种高介电常数、低介电损耗复合薄膜的制备方法,为:S1:将PTFE粉末、功能材料及填料分别进行烘干,烘干后PTFE粉末捣碎60目过筛,将烘干后的功能材料和填料捣碎分别用140目振动筛过筛,备用;S2:取稀土粉末将其溶于乙醇溶剂,将得到的PTFE粉末加入到稀土溶液中,再加入功能材料和填料,加热搅拌,在溶液蒸干后,烘干,然后取出备用;S3:将混合后的复合粉体放入模具中,预先成型为圆柱型毛坯;S4:将圆柱型毛坯放入烧结炉中烧结;S5:将S4所得圆柱型毛坯放入烘箱中进行预热,使坯料的内、外温度一致后,
耐高压、高储能密度钛酸钡薄膜电容器的中温制备.docx
耐高压、高储能密度钛酸钡薄膜电容器的中温制备摘要:本文介绍了一种耐高压、高储能密度钛酸钡薄膜电容器的中温制备方法。该方法采用溶胶-凝胶法制备钛酸钡溶胶,然后采用旋涂法制备钛酸钡薄膜,最后通过烧结和电极制备得到电容器。通过XRD、SEM、EDS等表征手段对制备的材料进行了表征和分析,结果表明,制备得到的钛酸钡薄膜具有良好的晶体结构和致密的微观结构,同时电容器具有较高的储能密度和良好的耐高压性能。本文的研究成果有望为中温下制备高性能电容器提供一种新方法。关键词:钛酸钡薄膜电容器;中温制备;高储能密度;耐高压性