阵列基板及其制造方法、显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105405852A(43)申请公布日2016.03.16(21)申请号201610006902.5(22)申请日2016.01.05(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人北京京东方显示技术有限公司(72)发明人刘明悬陈曦郭会斌袁剑峰罗丽平孙增标刘会双闵苏(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限公司11002代理人李相雨(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/77(2006.01)G02F1/1362(2006.01)H01L27/32(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称阵列基板及其制造方法、显示装置(57)摘要本发明提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，阵列基板包括设置在衬底上的晶体管；晶体管的形成区域内，同层设置的第一电极图形和第二电极图形分别位于沟道区域的两侧；至少部分第一电极图形连接同层设置的导体线图形；与该部分第一电极图形对应的部分沟道区域的宽度的延伸方向与导体线图形的延伸方向之间具有预定夹角；导体线图形在与第一电极图形的连接位置处设有豁口。该阵列基板通过在导体线图形与第一电极图形的连接位置处设置豁口，在显影后烘干工序中，光刻胶由于受热发生形变，会流向豁口处，使得流向沟道区的光刻胶减少，少量的光刻胶不会阻挡下方的金属被刻蚀，这就使得沟道区不会残留金属，避免沟道短路，提高产品良率。CN105405852ACN105405852A权利要求书1/1页1.一种阵列基板，其特征在于，包括设置在衬底上的晶体管；所述晶体管的形成区域内，同层设置的第一电极图形和第二电极图形分别位于沟道区域的两侧；部分所述第一电极图形连接同层设置的导体线图形；与该部分第一电极图形对应的部分沟道区域的宽度的延伸方向与所述导体线图形的延伸方向之间具有预定夹角；所述导体线图形在与所述第一电极图形的连接位置处设有豁口。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在第一方向上所述豁口的投影长度小于所述导体线图形的投影长度，所述第一方向与所述导体线图形的延伸方向垂直。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述豁口的延伸方向与所述沟道区域的宽度的延伸方向相互平行。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极图形、所述第二电极图形和所述导体线图形在同一次构图工艺中形成。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述晶体管位于用于设置扫描驱动电路的区域内。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极图形的形状为U形，所述第二电极图形的形状为长条形且被所述U形的第一电极图形部分包围。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述U形的开口方向与所述第一方向平行，所述导体线图形在第一方向上的投影长度小于等于所述U形的第一电极图形在第一方向上的投影长度；所述第一方向与所述导体线图形的延伸方向垂直。8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导体线图形的延伸方向与所述部分沟道区域的宽度的延伸方向垂直。9.根据权利要求1至8中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极图形与所述第二电极图形分别为源极图形与漏极图形。10.一种权利要求1至9中任意一项阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：通过一次构图工艺形成包括所述第一电极图形、所述第二电极图形和所述导体线图形的导电层。11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的阵列基板。2CN105405852A说明书1/5页阵列基板及其制造方法、显示装置技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。背景技术[0002]阵列基板行技术(GOA，GateOnArray)是指将栅极驱动电路直接制作在阵列基板上的一种技术，可以省去栅极驱动电路的芯片制作及其绑定工艺，简化液晶显示器(LCD，LiquidCrystalDisplay)制作工艺并降低成本，是目前显示领域内的主流技术之一。而在目前在阵列基板上制作GOA电路的工序中，偶尔会在一连串源电极相连(或者一连串漏电极相连)的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)的第一个TFT的沟道位置处源漏电极短路而引发沟道短路(Channelbridge)不良。对此，现有技术并没有给出合适的解决方案。发明内容[0003]针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，可以减少GOA电路中出现的沟道短路不良的问题。[0004]第一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括设置在衬底上的晶体管；所述晶体管的形成区域内，同层设置的第一电极图形和第二电极图形分别位于沟道区域的两