阵列基板及其制造方法、显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113934061A(43)申请公布日2022.01.14(21)申请号202010604942.6(22)申请日2020.06.29(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人合肥京东方显示技术有限公司(72)发明人刘颀于真锟刘泽旭张伟牛露(74)专利代理机构北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138代理人杨广宇(51)Int.Cl.G02F1/1343(2006.01)G02F1/1362(2006.01)G02F1/1333(2006.01)权利要求书3页说明书12页附图9页(54)发明名称阵列基板及其制造方法、显示装置(57)摘要本申请公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域。该阵列基板包括衬底基板，多个公共电极，多条数据线，以及阵列排布的多个像素电极。对于每条数据线，该数据线和第一目标公共电极的间距，与该数据线和第二目标公共电极的间距不同，由此可以使得像素电极的两侧受到的干扰的程度一致，保证阵列基板中该像素电极的两侧对应的显示区域的亮度一致，显示装置的显示效果较好。并且，对于每条数据线，该数据线与位于该数据线两侧的第一目标像素和第二目标像素电极的间距相等，由此可以使得该数据线与位于该数据线两侧的两侧像素电极的耦合电容相同，显示装置的显示效果较好。CN113934061ACN113934061A权利要求书1/3页1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板；多个公共电极，所述多个公共电极位于所述衬底基板的一侧；多条数据线，所述多条数据线位于所述衬底基板的一侧，每条所述数据线在所述衬底基板上的正投影与任一所述公共电极在所述衬底基板上的正投影不重叠，且对于每条所述数据线，所述数据线和第一目标公共电极的间距，与所述数据线和第二目标公共电极的间距不同，所述第一目标公共电极和所述第二目标公共电极分别位于所述数据线的两侧；以及阵列排布的多个像素电极，所述多个像素电极位于所述衬底基板的一侧，且每个所述像素电极在所述衬底基板上的正投影，与任一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影不重叠，其中，每列所述像素电极与一条所述数据线连接，对于每条所述数据线，所述数据线和第一目标像素电极的间距，与所述数据线和第二目标像素电极的间距相等，所述第一目标像素电极和所述第二目标像素电极分别位于所述数据线的两侧。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，对于每条所述数据线，所述数据线和所述第一目标公共电极的间距，大于所述数据线和所述第二目标公共电极的间距，且所述数据线所连接的像素电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一目标公共电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多个公共电极，所述多条数据线，以及所述多个像素电极沿远离所述衬底基板的一侧依次层叠。4.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，对于每条所述数据线，所述数据线和所述第一目标公共电极的间距的范围为3.5微米至4.5微米，所述数据线和第二目标公共电极的间距的范围为0.5微米至1.5微米。5.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：多条栅线和栅极绝缘层；所述多条栅线位于所述衬底基板的一侧，且每条所述栅线的延伸方向与所述多条数据线中的任一所述数据线的延伸方向相交；所述栅极绝缘层位于所述多条栅线远离所述衬底基板的一侧。6.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：钝化层；所述钝化层位于所述多个公共电极远离所述衬底基板的一侧。7.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板的一侧形成多个公共电极，多条数据线，以及阵列排布的多个像素电极；其中，每条所述数据线在所述衬底基板上的正投影与任一所述公共电极在所述衬底基板上的正投影不重叠，且对于每条所述数据线，所述数据线和第一目标公共电极的间距，与所述数据线和第二目标公共电极的间距不同，所述第一目标公共电极和所述第二目标公共电极分别位于所述数据线的两侧；每个所述像素电极在所述衬底基板上的正投影，与任一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影不重叠，其中，每列所述像素电极与一条所述数据线连接，对于每条所述数据2CN113934061A权利要求书2/3页线，所述数据线和第一目标像素电极的间距，与所述数据线和第二目标像素电极的间距相等，所述第一目标像素电极和所述第二目标像素电极分别位于所述数据线的两侧。8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在衬底基板的一侧形成多个公共电极，包括：采用第一掩膜板在所述衬底基板的一侧形成多个公共电极，其中所述第一掩膜板的设置位置相对