半导体产品清洗方法及装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105903713A(43)申请公布日2016.08.31(21)申请号201610414380.2H01L21/67(2006.01)(22)申请日2016.06.13(71)申请人嘉盛半导体(苏州)有限公司地址215027江苏省苏州工业园区西沈浒路88号(72)发明人王超朱健荣时冬钮友华陈武伟(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人李景辉(51)Int.Cl.B08B3/04(2006.01)B08B3/10(2006.01)B08B3/12(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图2页(54)发明名称半导体产品清洗方法及装置(57)摘要本发明提供了一种半导体产品清洗方法，用于对切割成型的芯片单元进行清洗，包括初筛步骤、清洗步骤和烘干步骤。本发明还提供了一种半导体产品清洗装置，包括顺次排列设置的初筛装置、清洗装置及烘干装置。本发明提供的半导体产品清洗方法及装置通过对半导体产品进行初筛、清洗及烘干，能有效将混杂于半导体产品中的残胶屑、铜屑及残留在芯片单元上的胶带丝清理干净，保证半导体产品的质量。CN105903713ACN105903713A权利要求书1/2页1.一种半导体产品清洗方法，用于对切割成型的芯片单元进行清洗，其特征在于，所述半导体产品清洗方法包括：初筛步骤：初步筛除所述芯片单元中混入的杂质，得到初筛后的芯片单元；清洗步骤：清洗所述初筛后的芯片单元，得到清洗后的芯片单元；烘干步骤：烘干所述清洗后的芯片单元，得到烘干后的芯片单元。2.根据权利要求1所述的半导体产品清洗方法，其特征在于，所述初筛步骤包括：一次过筛：将切割成型的所述芯片单元中尺寸大于所述芯片单元的杂质筛除，得到一次过筛后的芯片单元；二次过筛：将所述一次过筛后的芯片单元中尺寸小于所述一次过筛后的芯片单元的杂质筛除，得到所述初筛后的芯片单元。3.根据权利要求1所述的半导体产品清洗方法，其特征在于，所述清洗步骤采用超声波振动清洗，且所述清洗步骤采用的清洗液为浓度为100％的无水酒精，清洗时间为4分钟～6分钟。4.根据权利要求1所述的半导体产品清洗方法，其特征在于，所述烘干步骤包括同步进行的：烘干：烘干所述清洗后的芯片单元；除静电：除去所述清洗后的芯片单元上所带的静电；振动：使所述清洗后的芯片单元上残余的杂质振动脱落；筛除：将振动脱落的杂质从所述清洗后的芯片单元中筛除。5.根据权利要求4所述的半导体产品清洗方法，其特征在于，在所述烘干步骤中：采用红外线加热对所述清洗后的芯片单元进行烘干；采用离子风对所述清洗后的芯片单元进行除静电。6.一种半导体产品清洗装置，用于实施上述权利要求1～5所述的半导体产品清洗方法，其特征在于，所述半导体产品清洗装置包括顺次排列设置的：初筛装置，用于初步筛除芯片单元中混入的杂质，得到初筛后的芯片单元；清洗装置，用于清洗所述初筛后的芯片单元，得到清洗后的芯片单元；烘干装置，用于烘干所述清洗后的芯片单元，得到烘干后的芯片单元。7.根据权利要求6所述的半导体产品清洗装置，其特征在于，所述初筛装置包括由上至下顺次排列设置的上层筛、下层筛及顶部开口的收纳盒，所述上层筛、所述下层筛及所述收纳盒通过纵向设置的支撑杆固定连接。8.根据权利要求7所述的半导体产品清洗装置，其特征在于，所述上层筛的筛孔的尺寸大于芯片单元的尺寸，且所述下层筛的筛孔的尺寸小于所述芯片单元的尺寸。9.根据权利要求7或8所述的半导体产品清洗装置，其特征在于，所述初筛装置还包括围设于所述上层筛、所述下层筛及所述收纳盒外侧的筒体，所述上层筛、所述下层筛及所述收纳盒均能拆装地设置在所述筒体的内部。10.根据权利要求6所述的半导体产品清洗装置，其特征在于，所述清洗装置为超声波振动清洗机。11.根据权利要求6所述的半导体产品清洗装置，其特征在于，所述烘干装置为振动烘干装置，所述振动烘干装置包括振动器、加热器、除静电机、筛子、振动平台及内部具有中空2CN105903713A权利要求书2/2页腔的基板，所述筛子通过卡锁件能拆装地固定在所述振动平台上，所述振动平台通过多个能纵向压缩的弹簧安装于所述基板上，所述振动器与所述振动平台连接，且所述加热器、所述除静电机均设置于所述筛子的上方。12.根据权利要求11所述的半导体产品清洗装置，其特征在于，所述振动器为振动电机，所述加热器为红外线加热灯，所述除静电机为离子风扇。3CN105903713A说明书1/6页半导体产品清洗方法及装置技术领域[0001]本发明涉及半导体生产领域，尤其涉及一种半导体产品清洗方法及装置。背景技术[0002]半导体封装过程中，为了提高生产效率，通常是批量生产作业的，在产品完成最终封装前需要