一种线性像素界定层结构及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106129090A(43)申请公布日2016.11.16(21)申请号201610585890.6(22)申请日2016.07.22(71)申请人华南理工大学地址510640广东省广州市天河区五山路381号(72)发明人王坚王娟红刘会敏彭俊彪曹镛宋晨郑华(74)专利代理机构北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350代理人赵蕊红(51)Int.Cl.H01L27/32(2006.01)H01L51/56(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种线性像素界定层结构及其制备方法(57)摘要一种线性像素界定层结构的制备方法，包括如下步骤：A.在基板表面沉积疏液性的绝缘层；B.在绝缘层表面打印能够溶解绝缘层的溶剂，形成像素墙和像素限定区；C.进行氧离子轰击处理，将像素限定区内残留的绝缘层除掉，此时整体结构呈亲液状态；D.进行热处理，使得绝缘材料部分恢复疏液性，像素限定区保持亲液状态。本发明通过在绝缘层表面打印溶剂得到像素界定层，其像素限定区具有亲液性，有利于溶液的铺展，像素墙具有疏液性，可以防止溶液溢出，且由于该绝缘材料仅溶于其特定的溶剂，可以防止发光层溶液侵蚀像素界定层。具有制备工艺简单、材料利用率高的特点。CN106129090ACN106129090A权利要求书1/1页1.一种线性像素界定层结构的制备方法，其特征在于，通过如下步骤进行：A.在基板表面沉积疏液性的绝缘层；B.在绝缘层表面打印能够溶解绝缘层的溶剂，打印的溶剂使得溶解的绝缘层因为咖啡环效应堆积形成像素墙，由像素墙围成对应的像素限定区；C.对步骤B形成的结构进行氧离子轰击处理，将像素限定区内残留的绝缘层除掉，此时整体结构呈亲液状态；D.将步骤C形成的结构进行热处理，使得绝缘材料部分恢复疏液性，像素限定区保持亲液状态，得到线性像素界定层结构。2.根据权利要求1所述的线性像素界定层结构的制备方法，其特征在于，所述步骤A中具体采用旋涂法沉积绝缘层。3.根据权利要求2所述的线性像素界定层结构的制备方法，其特征在于，所述步骤A中的绝缘层的材料为cytop。4.根据权利要求3所述的线性像素界定层结构的制备方法，其特征在于：所述步骤B在绝缘层表面具体采用喷墨打印的方法打印溶剂。5.根据权利要求4所述的线性像素界定层结构的制备方法，其特征在于，所述步骤D中的热处理的温度不低于180摄氏度，热处理时间不少于5分钟。6.根据权利要求5所述的线性像素界定层结构的制备方法，其特征在于，所述步骤D中的热处理的温度为190至350摄氏度，热处理时间为6至20分钟。7.根据权利要求6所述的线性像素界定层结构的制备方法，其特征在于，所述步骤D中的热处理的温度为200至300摄氏度，热处理时间为6至10分钟。8.根据权利要求7所述的线性像素界定层结构的制备方法，其特征在于，所述步骤D中的热处理的温度为249摄氏度，热处理时间为7.8分钟。9.根据权利要求1至8任意一项所述的线性像素界定层结构的制备方法，其特征在于，所述步骤A中的基板为ITO或者玻璃或者聚合物薄膜。10.一种线性像素界定层结构，其特征在于，通过权利要求1至9任意一项所述的制备方法制备而成。2CN106129090A说明书1/3页一种线性像素界定层结构及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种线性像素界定层结构及其制备方法。背景技术[0002]有机发光二极管OLED(Organiclightemittingdiode)是一种有机薄膜电致发光器件，为了进行彩色显示，需要将OLED彩色化。彩色化效果最好的是并排排列(side-by-side)的方式。并排排列是在一个像素范围内有红绿蓝三个子像素，每个像素是独立发光单元。可以利用喷墨打印将溶液精确打印到像素区，形成发光层。但是由于打印形成的液滴与像素结构处于同一尺寸量级，为了保证打印的精准性避免溶液溢到相邻像素结构，目前倾向采用像素界定层。[0003]现有技术中，像素界定层由两层组成，第一层(下层)由亲液材料组成，第二层(上层)由疏液材料组成，一般都是通过光刻的方法制备，制备过程复杂，材料利用率低。[0004]因此，针对现有技术不足，提供一种制备工艺简单、用材较少的线性像素界定层结构的制备方法以克服现有技术不足甚为必要。发明内容[0005]本发明的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种线性像素界定层结构及其的制备方法，该线性像素界定层结构的制备方法具有工艺简单、用材较少的特点。[0006]本发明的上述目的通过如下技术手段实现。[0007]提供一种线性像素界定层结构的制备方法，包括如下步骤：[0008]A.在基板表面沉积疏液性的绝缘层；[0009]B.在绝缘