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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106334855A(43)申请公布日2017.01.18(21)申请号201611011865.3(22)申请日2016.11.17(71)申请人深圳市劲拓自动化设备股份有限公司地址518000广东省深圳市宝安区西乡街道广深高速公路北侧鹤洲工业区劲拓自动化工业厂区(72)发明人陈洁欣李志华陈柏林(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人王宝筠(51)Int.Cl.B23K3/08(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图4页(54)发明名称一种氮气保护装置(57)摘要本发明实施例公开了一种氮气保护罩,用于提高喷嘴四周氮气的均匀性。该氮气保护装置包括:气体入口接口、气体气罩、气体导流罩、上密封圈、纳米孔状环、下密封圈、压紧密封座;其中,气体气罩包括进气管和气体内压腔,进气管的一端与气体内压腔连通,进气管的另一端的第一安装孔与气体入口接口连接;气体内压腔的上方设有用于套设在波峰产生装置的喷嘴四周,并在喷嘴四周留有预定间隙的气体导流罩;纳米孔状环设于气体内压腔的内部,且纳米孔状环与气体内压腔之间留有预定空隙;纳米孔状环的上端面与气体内压腔之间设有上密封圈,纳米孔状环的下端面与压紧密封座之间设有下密封圈;气体内压腔的下方设有压紧密封座。CN106334855ACN106334855A权利要求书1/1页1.一种氮气保护装置,其特征在于,包括:气体入口接口、气体气罩、气体导流罩、上密封圈、纳米孔状环、下密封圈、压紧密封座;其中,所述气体气罩包括进气管和气体内压腔,所述进气管的一端与所述气体内压腔连通,所述进气管的另一端的第一安装孔与所述气体入口接口连接;所述气体内压腔的上方设有用于套设在波峰产生装置的喷嘴四周,并在s所述喷嘴四周留有预定间隙的所述气体导流罩;所述纳米孔状环设于所述气体内压腔的内部,且所述纳米孔状环与所述气体内压腔之间留有预定空隙;所述纳米孔状环的上端面与所述气体内压腔之间设有上密封圈,所述纳米孔状环的下端面与所述压紧密封座之间设有下密封圈;所述气体内压腔的下方设有所述压紧密封座。2.根据权利要求1所述的氮气保护装置,其特征在于,所述进气管与所述气体内压腔连通的一端设有多个用于发散氮气的气孔。3.根据权利要求1所述的氮气保护装置,其特征在于,所述气体气罩还包括加热装置,所述加热装置设于所述进气管的内部。4.根据权利要求3所述的氮气保护装置,其特征在于,所述进气管的另一端还设有第二安装孔,所述第二安装孔用于将所述加热装置设于所述进气管的内部。5.根据权利要求1至4中任一项所述的氮气保护装置,其特征在于,所述气体内压腔的内部上方设有与所述气体导流罩的下端部外径适配的第一台阶。6.根据权利要求1至4中任一项所述的氮气保护装置,其特征在于,所述气体内压腔的内部上方设有与所述纳米孔状环的外径适配的第二台阶;所述气体内压腔的内部下方设有与所述纳米孔状环的外径适配的第三台阶。7.根据权利要求1至4中任一项所述的氮气保护装置,其特征在于,所述压紧密封底座的上方设有与所述下密封圈的外径适配的安装槽。8.根据权利要求7所述的氮气保护装置,其特征在于,所述气体内压腔的内部下方设有与所述压紧密封座的上端部外径适配的第四台阶;所述压紧密封座与所述气体内压腔对应的连接方式为螺纹连接。9.根据权利要求7所述的氮气保护装置,其特征在于,所述压紧密封座与所述气体内压腔对应的连接方式为螺钉连接。10.根据权利要求8或9所述的氮气保护装置,其特征在于,所述进气管为折弯结构。2CN106334855A说明书1/6页一种氮气保护装置技术领域[0001]本发明涉及选择性波峰焊的氮气保护领域,尤其涉及一种氮气保护装置。背景技术[0002]众所周知,氮气由于化学性质不活泼,且常温下很难跟其他物质发生反应,通常可以被用作保护气体应用于不同的领域。[0003]在选择性波峰焊中的应用过程中,可以利用选择焊焊嘴进行焊接,其中,点焊锡嘴可以通过喷腔将液态锡喷出,在点焊锡嘴位置形成锡柱,并可以通过点焊锡嘴四周向下流,在这个过程中,如果没有保护气体保护对点焊锡嘴进行保护,点焊锡嘴喷出的液态锡会和空气中的氧气接触,并与氧气发生氧化反应而容易在表层形成氧化膜,使得液态锡在向下流的过程中,由于流动性减弱导致流速减慢而形成不均匀的氧化膜,且氧化膜很容易沾到PCB板(PrintedCircuitBoard,印制电路板)板底,从而对焊点外观和焊接品质造成严重的影响。因此,为了避免上述情况的发生,在选择焊焊嘴焊接过程中都采用了氮气保护的措施,以减少液态锡氧化,提高液态锡的流动性,提升焊接品质。[0004]然而,在现有选择焊锡嘴的焊接过程中,由于氮气保护装置中的氮气在出气口的四周扩散不均匀,导致在