薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106384714A(43)申请公布日2017.02.08(21)申请号201610894758.3(22)申请日2016.10.13(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人王珂胡合合(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人柴亮张天舒(51)Int.Cl.H01L21/027(2006.01)H01L21/34(2006.01)H01L29/786(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板(57)摘要本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，属于薄膜晶体管制备技术领域，可解决至少部分现有薄膜晶体管制备工艺复杂或接触电阻大的问题。该薄膜晶体管制备方法包括：形成半导体层和光刻胶层；对光刻胶层进行阶梯曝光后显影，形成光刻胶层完全去除的第一区域，光刻胶层部分保留的第二区域，和光刻胶层完全保留的第三区域；除去第一区域的半导体层，形成包括有源区的图形；减薄光刻胶层，将第二区域的光刻胶层完全除去，而第三区域保留部分光刻胶层；使第二区域的有源区导体化，形成欧姆接触层；剥离第三区域的光刻胶层；通过构图工艺至少在第三区域形成包括源极、漏极的图形。CN106384714ACN106384714A权利要求书1/1页1.一种薄膜晶体管制备方法，其特征在于，包括：在基底上依次形成半导体层和光刻胶层；对所述光刻胶层进行阶梯曝光，之后显影，形成光刻胶层完全去除的第一区域，光刻胶层部分保留的第二区域，和光刻胶层完全保留的第三区域；除去所述第一区域的半导体层，形成包括有源区的图形；减薄所述光刻胶层，将所述第二区域的光刻胶层完全除去，而所述第三区域保留部分光刻胶层；使所述第二区域的有源区导体化，形成欧姆接触层；剥离所述第三区域的光刻胶层；通过所述构图工艺至少在第三区域形成包括源极、漏极的图形。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述在基底上依次形成半导体层和光刻胶层前，还包括：在基底上依次形成栅极和栅绝缘层。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述对所述光刻胶层进行阶梯曝光包括：利用半色调掩膜版对所述光刻胶层进行阶梯曝光；所述除去所述第一区域的半导体层包括：通过刻蚀工艺除去所述第一区域的半导体层；所述减薄所述光刻胶层包括：通过灰化工艺减薄所述光刻胶层。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述使所述第二区域的有源区导体化包括：通过离子注入工艺使所述第二区域的有源区导体化。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述离子注入工艺注入的是钼离子和/或铝离子。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述离子注入工艺的注入深度为5～10nm；所述离子注入工艺中采用加速电压为5～10kV。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述半导体层的材料为金属氧化物半导体。8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述源极、漏极的材料为铝。9.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管通过权利要求1至8中任意一项所述的薄膜晶体管制备方法形成；所述薄膜晶体管的有源区与源极、漏极接触的部分形成有欧姆接触层，而有源区其它位置无欧姆接触层和刻蚀阻挡层。10.一种阵列基板，其特征在于，包括：权利要求9所述的薄膜晶体管。2CN106384714A说明书1/5页薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板技术领域[0001]本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管。背景技术[0002]在显示装置的阵列基板中，金属氧化物薄膜晶体管(MOS-TFT，用金属氧化物半导体为有源区的薄膜晶体管)获得了广泛应用。由于金属氧化物半导体的刻蚀性能与源极、漏极的金属材料相似，故在刻蚀形成源极、漏极时有源区沟道(有源区除对应源极、漏极部分外的部分)容易被刻蚀。[0003]为此，现有的一种方式是在沟道上方先形成刻蚀阻挡层(ESL)，以在后续形成源极、漏极的过程中保护沟道。在刻蚀形成刻蚀阻挡层的过程中，刻蚀环境对暴露的有源区有导体化作用，故有源区与源极、漏极对应的部分会形成欧姆接触层，从而降低与源极、漏极的接触电阻。但这种方式需增加单独的曝光步骤以形成刻蚀阻挡层，导致工艺复杂。[0004]为此，现有的另一种方式是背沟道(BCE)技术，其不形成刻蚀阻挡层，而是在形成源极、漏极时控制工艺参数，保证既可形成源极、漏极，又不会损伤沟道。但这种方式中并无工艺可形成欧姆接触层，导致有源区与源极、漏极的接触电阻大，降低产品性能。尤其对采用铝作为源极、漏极材料的薄膜晶体管，由于铝扩散性能差，导