薄膜晶体管阵列基板及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107195635A(43)申请公布日2017.09.22(21)申请号201710335301.3(22)申请日2017.05.12(71)申请人深圳市华星光电技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人宋利旺(74)专利代理机构深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300代理人黄威(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)G02F1/1362(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图6页(54)发明名称薄膜晶体管阵列基板及其制备方法(57)摘要本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法，方法包括：提供衬底基板，在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层、源/漏极及绝缘层；在绝缘层上涂布光阻层；对光阻层进行曝光，使光阻层图案化，在欲形成像素电极的对应位置暴露绝缘层，并且形成分布在暴露的绝缘层周缘的第一光阻区域及分布在第一光阻区域外围的第二光阻区域，第一光阻区域光阻层的厚度小于第二光阻区域光阻层的厚度；通过蚀刻制程移除暴露的绝缘层，形成过孔，暴露出漏极，第一光阻区域对应过孔上方边缘；对光阻层进行灰化处理，去除第一光阻区域，暴露出过孔侧壁，保留部分第二光阻区域；在过孔中形成像素电极，像素电极覆盖过孔侧壁，形成薄膜晶体管阵列基板。CN107195635ACN107195635A权利要求书1/1页1.一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底基板，在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层、源/漏极及绝缘层；在所述绝缘层上涂布光阻层；对该光阻层进行曝光，使该光阻层图案化，在欲形成像素电极的对应位置暴露出绝缘层，并且形成分布在暴露的绝缘层周缘的第一光阻区域及分布在第一光阻区域外围的第二光阻区域，所述第一光阻区域的光阻层的厚度小于所述第二光阻区域的光阻层的厚度；通过蚀刻制程移除暴露的绝缘层，形成过孔，暴露出漏极，所述第一光阻区域对应过孔上方边缘；对光阻层进行灰化处理，去除所述第一光阻区域，暴露出所述过孔侧壁，保留部分第二光阻区域；在所述过孔中形成像素电极，所述像素电极覆盖所述过孔侧壁，形成薄膜晶体管阵列基板。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一光阻区域朝向过孔的边缘与所述过孔的边缘齐平。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一光阻区域朝向过孔的边缘突出于所述过孔的边缘。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，在图案化光阻层的步骤中，采用灰阶色调光罩图案化所述光阻层。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，在图案化光阻层的步骤中，采用半色调光罩图案化所述光阻层。6.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层、源/漏极及绝缘层，所述绝缘层具有一过孔，所述过孔暴露出所述漏极，像素电极设置在所述过孔中，且所述像素电极覆盖所述过孔侧壁。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述像素电极延伸至所述过孔边缘且覆盖部分绝缘层表面。2CN107195635A说明书1/4页薄膜晶体管阵列基板及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及液晶显示器制备领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法。背景技术[0002]信息社会，平板显示无处不在，无论是电视、电脑、智能手机等，都离不开液晶显示面板的支撑。人们对显示设备的需求不断增长，因而也推动了液晶显示面板行业的快速发展，液晶面板的产量不断提升，对产品的品质及良率也有了更高的要求，提升产品质、降低不良率、节约成本成为液晶面板行业共同努力的目标。[0003]目前液晶显示面板上常规的制备透明薄膜电极的方法为剥离工艺(Liftoff)。例如，现有的薄膜晶体管的制备工艺流程为：参见图1A所示，在衬底基板10上依次形成栅极11、栅极绝缘层12、有源层13、欧姆接触层14、源/漏极15及绝缘层16；参见图1B所示，在所述绝缘层16上形成光阻层17，蚀刻所述绝缘层16，形成过孔18；参见图1C，沉积透明导电薄膜后去除光阻层17及其上沉积的透明导电薄膜，在过孔18中形成像素电极19。[0004]现有的剥离工艺的缺点在于，在剥离制程中采用正常过孔设计，透明导电薄膜(ITO)并不能够完全覆盖过孔，如图1C所示，过孔位置电性连接处漏极的金属部分裸露，后续制程中可能造成金属腐蚀，导致接触电阻增大，形成暗点或暗线，增加产品缺陷，降低产品品质和可靠性。发明内容[0005]本发明所要解决的技术问题是，提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法，其能够使像素电极