多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106414325A(43)申请公布日2017.02.15(21)申请号201580029762.7(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司1(22)申请日2015.05.271219代理人满凤金龙河(30)优先权数据2014-1152382014.06.03JP(51)Int.Cl.C01B33/035(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C30B29/06(2006.01)2016.12.02(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2015/0026832015.05.27(87)PCT国际申请的公布数据WO2015/186318JA2015.12.10(71)申请人信越化学工业株式会社地址日本东京都(72)发明人宫尾秀一冈田淳一祢津茂义权利要求书1页说明书5页附图1页按照条约第19条修改的权利要求书1页(54)发明名称多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块(57)摘要通过西门子法合成硅多晶棒(S101)。在反应器内从硅多晶棒的上部覆盖清洗了内表面的塑料制袋而将硅多晶棒收容后(S103)，将硅多晶棒取出到反应器外(S104)，进行热封而在密闭化的状态下保管(S105)。根据本发明，不一定需要清洗、蚀刻、水洗这样的以往被认为必需的工序，因此，能够使残留在表面的氟离子、硝酸根离子、亚硝酸根离子均低于0.2ppbw。另外，通过覆盖塑料制袋，金属污染水平显著地降低。而且，如果进行本发明的操作，则即使长期保管，表面污染也几乎不会加重。CN106414325ACN106414325A权利要求书1/1页1.一种多晶硅棒的制造方法，其具备如下工序：将刚利用西门子法合成后的硅多晶棒在反应器内收容到塑料制袋中，在该收容后将所述硅多晶棒取出到所述反应器外。2.如权利要求1所述的多晶硅棒的制造方法，其中，具备将所述塑料制袋取出到所述反应器外之后进行密封的工序。3.如权利要求1或2所述的多晶硅棒的制造方法，其中，所述塑料制袋的内表面利用稀酸水溶液进行了清洗。4.如权利要求3所述的多晶硅棒的制造方法，其中，所述稀酸水溶液为0.1～10重量％的、稀硝酸水溶液或稀盐酸水溶液。5.一种多晶硅棒，其通过权利要求1或2所述的方法得到。6.一种多晶硅块，其通过将权利要求5所述的多晶硅棒粉碎而得到。7.如权利要求6所述的多晶硅块，其中，所述粉碎在等级1000以上的水平的洁净室内进行。8.如权利要求6或7所述的多晶硅块，其中，残留在表面的氟离子(F-)、硝酸根离子--(NO3)、亚硝酸根离子(NO2)均低于0.2ppbw。2CN106414325A说明书1/5页多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块技术领域[0001]本发明涉及多晶硅棒的表面洁净化技术。背景技术[0002]在半导体器件等的制造中不可欠缺的单晶硅在大多数情况下以通过西门子法制造的多晶硅棒或将其粉碎而得到的多晶硅块作为原料通过FZ法、CZ法来培育。西门子法是指如下的方法：使三氯硅烷、单硅烷等硅烷原料气体与加热后的硅芯线接触，由此，通过CVD(ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积)法使多晶硅在该硅芯线的表面上气相生长(析出)。[0003]对于多晶硅块，将利用西门子法合成的多晶硅棒从反应器中取出后破碎，为了除去附着在该破碎物的表面的污染物，进行利用氟硝酸等的药液蚀刻，形成洁净度高的表面状态而产品化。[0004]在对多晶硅块等硅材料进行蚀刻时，一般使用氢氟酸(HF)与硝酸(HNO3)的酸混合溶液、或者在其中含有过氧化氢(H2O2)的酸混合溶液，这些酸混合液中的各酸浓度根据附着在成为清洗对象的硅材料上的污染物的浓度、除去难度等来选定。[0005]在这种蚀刻后的硅材料的表面残留有酸混合溶液的成分，需要进行水冲洗来除去该残留物，但在残留成分为高浓度的情况下，利用水冲洗难以完全地除去。而且，以在表面存在残留物的多晶硅块作为原料并通过CZ法培育单晶硅时，会引起单晶化的证据即结晶线消失或者紊乱的现象，存在不能担保结晶的完全性的问题。[0006]对于该原因未必明确，但有可能起因于残留在多晶硅块的表面的、上述酸混合溶液中的氮(N)成分和氟(F)。[0007]特别是，在多晶硅块中存在无数的裂纹或裂缝，因此，酸混合溶液成分进入这些间隙时，几乎不可能完全地除去。这种残留成分主要是硝酸根离子成分、亚硝酸根离子成分、氟离子成分这三种，但根据本发明人的测定，也得到了如下结果：即使在40℃左右的纯水中浸渍并进行24小时的超声波清洗，也不能将这些残留成分完全地除去。[0008]现有技术文献[0009]专利文献[0010]专利文献1：日本特开2009-298672号公报发明内容[0011]发明所要解决的问题[0