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多晶硅棒的制造方法和多晶硅棒.pdf
2023-06-18
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一只****懿呀
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相关资料
多晶硅棒和多晶硅棒的制造方法.pdf
本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅棒和多晶硅棒的制造方法。在通过基于化学气相法的析出而制造直径为150mm以上的多晶硅棒时，在反应炉内配置多对硅芯线，将所述多晶硅棒的最终直径的平均值设为D(mm)、将所述多对硅芯线的相互间隔设为L(mm)时，将D/L的值设定为小于0.40的范围。
2023-06-17
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多晶硅棒的制造方法和多晶硅棒.pdf
在本发明中，通过西门子法制造多晶硅棒时，在将进行多晶硅的析出反应时的反应温度设定于例如1100℃～1150℃的范围且将反应炉内控制于0.45～0.9MPa的压力范围的状态下使多晶硅析出。通过控制于这样的压力范围，可以得到在任意部位在利用EBSD法进行评价的情况下的结晶粒径的平均值为6μm以下的多晶硅棒。另外，在将压力范围控制于0.6～0.9MPa的情况下，可以得到在任意部位在利用EBSD法进行评价的情况下的结晶粒径的平均值为2μm以下的多晶硅棒。
2023-06-18
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多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块.pdf
本发明涉及多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块。通过西门子法合成硅多晶棒(S101)。在反应器内从硅多晶棒的上部覆盖清洗了内表面的塑料制袋而将硅多晶棒收容后(S103)，将硅多晶棒取出到反应器外(S104)，进行热封而在密闭化的状态下保管(S105)。根据本发明，不一定需要清洗、蚀刻、水洗这样的以往被认为必需的工序，因此，能够使残留在表面的氟离子、硝酸根离子、亚硝酸根离子均低于0.2ppbw。另外，通过覆盖塑料制袋，金属污染水平显著地降低。而且，如果进行本发明的操作，则即使长期保管，表面污染也几乎不会加
2023-11-15
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多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块.pdf
本发明涉及多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块。通过西门子法合成硅多晶棒(S101)。在反应器内从硅多晶棒的上部覆盖清洗了内表面的塑料制袋而将硅多晶棒收容后(S103)，将硅多晶棒取出到反应器外(S104)，进行热封而在密闭化的状态下保管(S105)。根据本发明，不一定需要清洗、蚀刻、水洗这样的以往被认为必需的工序，因此，能够使残留在表面的氟离子、硝酸根离子、亚硝酸根离子均低于0.2ppbw。另外，通过覆盖塑料制袋，金属污染水平显著地降低。而且，如果进行本发明的操作，则即使长期保管，表面污染也几乎不会加
2023-11-15
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多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块.pdf
通过西门子法合成硅多晶棒(S101)。在反应器内从硅多晶棒的上部覆盖清洗了内表面的塑料制袋而将硅多晶棒收容后(S103)，将硅多晶棒取出到反应器外(S104)，进行热封而在密闭化的状态下保管(S105)。根据本发明，不一定需要清洗、蚀刻、水洗这样的以往被认为必需的工序，因此，能够使残留在表面的氟离子、硝酸根离子、亚硝酸根离子均低于0.2ppbw。另外，通过覆盖塑料制袋，金属污染水平显著地降低。而且，如果进行本发明的操作，则即使长期保管，表面污染也几乎不会加重。
2023-11-20
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