一种新型的掩模等离子体刻蚀方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106449357A(43)申请公布日2017.02.22(21)申请号201610526312.5(22)申请日2016.07.05(71)申请人无锡中微掩模电子有限公司地址214000江苏省无锡市新区菱湖大道202号(72)发明人尤春周家万张鹏王兴平刘维维沙云峰王凤鸣(74)专利代理机构北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411代理人刘刚(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/027(2006.01)H01L21/3065(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种新型的掩模等离子体刻蚀方法(57)摘要本发明公开了一种新型的掩模等离子体刻蚀方法，其包括以下步骤：S1、利用光刻胶掩模板对涂布在镀有铬金属膜的基板上的光刻胶层进行图案化处理，以在所述光刻胶层上得到光刻胶掩模图形；S2、以经过步骤S1图案化处理后的光刻胶层作为保护层，进行第一次干法刻蚀，去除金属铬膜；S3、使用去离子水进行清洗，去除掩模表面可能存在的残留颗粒；S4、使用SC-1清洗液进行掩模清洗，确保残留颗粒去除彻底；S5、以图案化的光刻胶层作为保护层进行第二次干法刻蚀。本发明有效地避免了二元掩模制造过程中在干法刻蚀过程中因为残料颗粒掉落造成的掩模缺陷。CN106449357ACN106449357A权利要求书1/1页1.一种新型的掩模等离子体刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、利用光刻胶掩模板对涂布在镀有铬金属膜的基板上的光刻胶层进行图案化处理，以在所述光刻胶层上得到光刻胶掩模图形；S2、以经过步骤S1图案化处理后的光刻胶层作为保护层，进行第一次干法刻蚀，去除金属铬膜；S3、使用去离子水进行清洗，去除掩模表面可能存在的残留颗粒；S4、使用SC-1清洗液进行掩模清洗，确保残留颗粒去除彻底；S5、以图案化的光刻胶层作为保护层进行第二次干法刻蚀。2.根据权利要求1所述的新型的掩模等离子体刻蚀方法，其特征在于，在步骤S5中，所述SC-1清洗液的成分以质量份数计包括氢氧化0.5～1.5份；双氧水3～8份；去离子水15～20份。3.根据权利要求2所述的新型的掩模等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述SC-1清洗液的成分以质量份数计包括氢氧化铵1份；双氧水5份；去离子水20份。4.根据权利要求1所述的新型的掩模等离子体刻蚀方法，其特征在于，在步骤S4中，在使用SC-1清洗液进行掩模清洗的同时，配合超声波进行震荡。5.根据权利要求1～4任一所述的新型的掩模等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述的基板包括石英玻璃。6.根据权利要求1～4任一所述的新型的掩模等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述光刻胶层为化学放大型光刻胶或者光学光刻胶。7.根据权利要求1～4任一所述的新型的掩模等离子体刻蚀方法，其特征在于，使用了刻蚀-去离子水清洗-SC-1清洗-刻蚀的工艺流程。8.根据权利要求1～4任一所述的新型的掩模等离子体刻蚀方法，其特征在于，第一次干法刻蚀和第二次干法刻蚀时，反应室内的垂直射频功率范围均为150～500瓦，横向射频功率为0瓦特，压力值为6～10毫托，所述使用氯气与氧气蚀刻比例大于等于2：1。2CN106449357A说明书1/4页一种新型的掩模等离子体刻蚀方法技术领域[0001]本发明涉及一种新型的掩模等离子体刻蚀方法，属于半导体掩模制造的技术领域。背景技术[0002]由于摩尔定律的作用，集成电路条宽变得越来越小，在晶片上形成的图案尺寸也随之减小。为形成微细图案，采用掩模的光刻工艺得到广泛应用。在光刻工艺中，光刻胶涂覆在材料层上，光线通过具有预定的、光屏蔽图案的掩模照射在一部分光刻胶上，随后通过采用显影溶液的显影工艺去除光刻胶层的辐射部分，以形成光刻胶层图案。此后，通过光刻胶层图案来暴露一部分材料层，利用光刻胶层图案作为刻蚀掩模，使得材料层的暴露的部分通过刻蚀工艺去除掉。这样，能够形成材料层的图案，所述材料层的图案对应于掩模的光屏蔽图案。[0003]在掩模制造过程中，使用的基板通常有二进制强度掩模(二元掩模)和衰减式相位偏移掩模。其中二元掩模包括：石英基板、镀于石英基板上的不透光的铬金属膜、镀于铬金属膜上的感光光刻胶。[0004]在制作过程中，二元掩模基板在经过曝光、显影工序后在光刻胶层形成掩模图形的图案化；以图案化的光刻胶层作为保护层以图案化的光刻胶层作为保护层进行湿法刻蚀，去除金属铬膜层。[0005]结合附图1～附图4所示，对现有技术中关于二元掩模制作过程进行说明，具体地：[0006]步骤1、如图1所示，镀有金属铬膜2的基板1上设置有光刻胶层3；对光刻胶层3进行图案化处理，将掩模图形转移到光刻胶层3上，如图2所示；[0007]在本步骤