图像传感器及图像传感器的读取方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106470321A(43)申请公布日2017.03.01(21)申请号201510515490.3(22)申请日2015.08.21(71)申请人比亚迪股份有限公司地址518118广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号(72)发明人姚慧君(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201代理人张大威(51)Int.Cl.H04N5/374(2011.01)H04N5/3745(2011.01)H04N5/378(2011.01)权利要求书1页说明书8页附图6页(54)发明名称图像传感器及图像传感器的读取方法(57)摘要本发明公开了一种图像传感器及图像传感器的读取方法，图像传感器包括由多个像素单元构成的像素阵列，每个像素单元包括光电二极管和浮置扩散节点，方法包括以下步骤：S1：获取预设的伪读取次数；S2：在每个读取周期内，对像素阵列进行正常读取操作以使采样保持电路读取从光电二极管中导出到浮置扩散节点的电荷；S3：在正常读取操作完成后，执行伪读取操作以将光电二极管中的残留电荷导出到浮置扩散节点，直至执行伪读取操作的次数达到预设的伪读取次数。由此，通过在每个读取周期的空闲时间中进行额外的多次伪读取，可以消除图像拖影现象，改善图像质量，无需对相关图像传感器的基本结构进行修改，并且不会影响图像输出的帧速率。CN106470321ACN106470321A权利要求书1/1页1.一种图像传感器的读取方法，其特征在于，所述图像传感器包括由多个像素单元构成的像素阵列，每个所述像素单元包括光电二极管和浮置扩散节点，所述方法包括以下步骤：S1：获取预设的伪读取次数；S2：在每个读取周期内，对所述像素阵列进行正常读取操作以使采样保持电路读取从所述光电二极管中导出到所述浮置扩散节点的电荷；S3：在所述正常读取操作完成后，执行伪读取操作以将所述光电二极管中的残留电荷导出到所述浮置扩散节点，直至执行所述伪读取操作的次数达到所述预设的伪读取次数。2.根据权利要求1所述的图像传感器的读取方法，其特征在于，执行伪读取操作以将所述光电二极管中的残留电荷导出到所述浮置扩散节点，具体包括：控制复位门导通以使所述浮置扩散节点的电位复位到预设电压；控制所述复位门关闭，并控制传输门打开以将所述光电二极管中的残留电荷导出到所述浮置扩散节点；控制所述传输门关闭。3.根据权利要求1或2所述的图像传感器的读取方法，其特征在于，在步骤S3中，在所述正常读取操作完成后，还将行选择门关断以在所述伪读取操作时所述采样保持电路无法读取从所述光电二极管中导出到所述浮置扩散节点的残留电荷。4.根据权利要求1所述的图像传感器的读取方法，其特征在于，所述预设的伪读取次数由所述图像传感器的工艺和像素结构确定。5.一种图像传感器，其特征在于，包括：由多个像素单元构成的像素阵列，其中，每个所述像素单元包括光电二极管和浮置扩散节点；以及控制器，所述控制器用于获取预设的伪读取次数，并在每个读取周期内，对所述像素阵列进行正常读取操作以使采样保持电路读取从所述光电二极管中导出到所述浮置扩散节点的电荷，以及在所述正常读取操作完成后，执行伪读取操作以将所述光电二极管中的残留电荷导出到所述浮置扩散节点，直至执行所述伪读取操作的次数达到所述预设的伪读取次数。6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，在执行伪读取操作以将所述光电二极管中的残留电荷导出到所述浮置扩散节点时，所述控制器具体用于：控制复位门导通以使所述浮置扩散节点的电位复位到预设电压；控制所述复位门关闭，并控制传输门打开以将所述光电二极管中的残留电荷导出到所述浮置扩散节点；控制所述传输门关闭。7.根据权利要求5或6所述的图像传感器，其特征在于，在所述正常读取操作完成后，所述控制器还控制行选择门关断，以在所述伪读取操作时所述采样保持电路无法读取从所述光电二极管中导出到所述浮置扩散节点的残留电荷。8.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述预设的伪读取次数由所述图像传感器的工艺和像素结构确定。2CN106470321A说明书1/8页图像传感器及图像传感器的读取方法技术领域[0001]本发明涉及图像传感器技术领域，特别涉及一种图像传感器的读取方法以及一种图像传感器。背景技术[0002]相关技术中的CMOS(ComplementaryMetal-OxideSemiconductor，互补性氧化金属半导体)图像传感器的典型结构可如图5所示。该图像传感器可包括光电二极管21、浮置扩散节点22、传输门30、源跟随门40、复位门50和行选择门60，其中，光电二极管21用于将光能转换成电能；传输门30用来控制光电二极管21的电荷导出到浮置扩散节点22；源跟随门40的栅