MEMS器件的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106608615A(43)申请公布日2017.05.03(21)申请号201510694882.0(22)申请日2015.10.22(71)申请人上海先进半导体制造股份有限公司地址200233上海市徐汇区虹漕路385号(72)发明人薛维佳陈倩袁霞(74)专利代理机构上海弼兴律师事务所31283代理人薛琦王聪(51)Int.Cl.B81C3/00(2006.01)B81C1/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称MEMS器件的制造方法(57)摘要本发明公开了一种MEMS器件的制造方法。该制造方法包括：在SOI片或载体裸硅片的表面喷涂临时键合后解键合时所需的释放层；于SOI片或载体裸硅片上旋涂临时键合时所需的黏胶层；将SOI片和载体裸硅片临时键合在一起并固化；在键合片的载体裸硅片的表面旋涂抗碱腐蚀的胶层；对SOI片的底层硅基体进行腐蚀，以将基底部分腐蚀去除；去除抗碱胶层并清洗键合片；腐蚀去除埋氧层；将键合片器件层一面粘贴于UV膜上；将键合片解键合以移除载体裸硅片；清洗器件层，去除解键合后残留于器件层表面的释放层，以得到器件。本发明的制造方法，能够生产制造10um甚至以下厚度的超薄器件，同时保持极佳的厚度均匀性，制造精度高且便于量产。CN106608615ACN106608615A权利要求书1/1页1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在SOI片或载体裸硅片的表面喷涂临时键合后解键合时所需的释放层，并进行后烘；S2、于SOI片或载体裸硅片上旋涂临时键合时所需的黏胶层；S3、将SOI片和载体裸硅片临时键合在一起，并进行固化；S4、在键合片的载体裸硅片的表面旋涂抗碱腐蚀的胶层；S5、利用碱腐蚀液对SOI片的底层硅基体进行腐蚀，以将基底部分腐蚀去除，并停止于埋氧层；S6、去除抗碱胶层并清洗键合片；S7、腐蚀去除埋氧层；S8、将键合片粘贴于UV膜上，其中器件层与UV膜粘贴；S9、将键合片解键合以移除载体裸硅片；S10、清洗器件层，去除解键合后残留于器件层表面的释放层，以得到器件。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤S3中的临时键合及S9中的解键合在室温下进行。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，载体裸硅片的厚度在300um-800um的厚度范围内。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，SOI片中的器件层的厚度在5-30um的厚度范围内。5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，SOI片的晶向为(100)。6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，SOI片的总厚度在300um-800um的厚度范围内。7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤S5中采用的碱腐蚀液为四甲基氢氧化铵溶液或氢氧化钾溶液，步骤S4中的胶层相应地为抗四甲基氢氧化铵腐蚀或抗氢氧化钾腐蚀。8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤S7中采用一定比例的氢氟酸、氟化铵溶液或者氢氟酸溶液湿法腐蚀去除埋氧层。9.如权利要求1-8中任意一项所述的制造方法，其特征在于，在步骤S10后还包括以下步骤：S11、对器件采用隐形激光切割技术分离成多个独立的器件，并通过对UV膜进行紫外照射，以便从UV膜上取下独立的器件。2CN106608615A说明书1/3页MEMS器件的制造方法技术领域[0001]本发明涉及一种MEMS器件的制造方法。背景技术[0002]随着MEMS(全称Micro-Electro-MechanicalSystem，即微机电系统)技术的不断发展，要求半导体加工可以处理薄衬底，再加上封装体积的限制，使得很多类型的MEMS传感器芯片的制作工艺都面临着减薄的问题。受到消费类电子如手机、音乐播放器、照相机、游戏系统以及汽车传感器如胎压传感器、电喷系统压力传感器等的驱动，MEMS器件的尺寸和厚度都在不断的减小。为满足这些产品的制造需求，减薄器件晶圆已是大势所趋。而常规的磨片减薄工艺，若要保证芯片磨片后仍具有良好均匀性，则减薄极限为50um(微米)。即便如此，对于表面应力变化极为敏感的器件(如压力传感器芯片)，使用常规磨片减薄后会影响到器件的输出特性，若无法精确控制磨片量、磨片均匀性及磨片力，就无法实现量产。发明内容[0003]本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中在生产制造MEMS器件时，常规的磨片减薄工艺在保证厚度均匀性的前提下减薄极限较大，难以制造厚度均匀性较好的超薄器件。为了弥补制造精度不够高的缺陷，从而提供了一种MEMS器件的制造方法。[0004]本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：[0005]一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：[0006]S1、在SOI片或载体裸硅片