一种识别芯片及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106653955A(43)申请公布日2017.05.10(21)申请号201510733318.5(22)申请日2015.11.02(71)申请人上海博恩世通光电股份有限公司地址201108上海市闵行区元明路128号一层、二层(72)发明人杨杰常文斌林宇杰(74)专利代理机构上海光华专利事务所31219代理人余明伟(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)H01L33/48(2010.01)权利要求书2页说明书7页附图6页(54)发明名称一种识别芯片及其制作方法(57)摘要本发明提供一种识别芯片及其制作方法，所述识别芯片的制作方法，包括以下步骤：1）提供一外延结构，于所述外延结构上形成阻挡层，并于所述阻挡层刻蚀或腐蚀形成N孔区域和P孔区域；2）制作N电极扩散层，用于N孔区域的电性引出；3）生长钝化层，对所述钝化层进行刻蚀或腐蚀形成第一预留区域及第二预留区域，所述第一预留区域对应所述P孔区域；其中，所述第一预留区域及第二预留区域包含特定的标识信息。一种识别芯片自下而上依次包含：生长衬底，发光外延层，透明导电层，反射镜层，阻挡层，N电极扩散层，钝化层，电极。本发明提供一种识别芯片及其制作方法可用于解决现有技术中不同芯片或者芯片电极难以识别的问题。CN106653955ACN106653955A权利要求书1/2页1.一种识别芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：1)提供一外延结构，于所述外延结构上形成阻挡层，并于所述阻挡层刻蚀或腐蚀形成N孔区域和P孔区域；2)制作N电极扩散层，用于N孔区域的电性引出；3)生长钝化层，对所述钝化层进行刻蚀或腐蚀形成第一预留区域及第二预留区域，所述第一预留区域对应所述P孔区域；其中，所述第一预留区域及第二预留区域包含特定的标识信息。2.根据权利要求1所述的一种识别芯片的制作方法，其特征在于：所述第一预留区域及第二预留区域深度为2000-15000μm。3.根据权利要求1所述的一种识别芯片的制作方法，其特征在于：所述第一预留区域及第二预留区域包含字母、数字、图形和符号其中的一种或多种构成的标识信息。4.根据权利要求1所述的一种识别芯片的制作方法，其特征在于：在步骤3)之后，还包括下列步骤：在所述钝化层上形成电极，所述第一预留区域设置于P电极区域，所述第二预留区域设置于N电极区域，用于区别电极。5.根据权利要求1所述的一种识别芯片的制作方法，其特征在于：所述第一预留区域的深度为直至透明导电层或反光镜层，所述第二预留区域的深度为直至所述N电极扩散层。6.根据权利要求1所述的一种识别芯片的制作方法，其特征在于：步骤3)包括步骤：3-1)于所述钝化层表面涂覆光刻胶；3-2)对所述光刻胶进行图形化处理；3-3)依据图形化的光刻胶对所述钝化层进行刻蚀或腐蚀形成第一预留区域及第二预留区域。7.根据权利要求1至6任一所述的一种识别芯片的制作方法，其特征在于，所述外延结构的制作方法包括以下步骤：1-1)提供一生长衬底，在所述衬底上形成发光外延层；1-2)于所述发光外延层上形成透明导电层，然后刻蚀出切割道区域和N孔区域，至少一N孔区域位于P电极区域；1-3)于所述透明导电层上制作反射镜层。8.根据权利要求7所述的一种识别芯片的制作方法，其特征在于：步骤1-2)中，所述N孔区域的深度为直至所述发光外延层的N型层。9.一种识别芯片，其特征在于，所述识别芯片包含：生长衬底；发光外延层，形成于所述衬底上表面；透明导电层，形成于所述发光外延层上表面；反射镜层，形成于所述透明导电层上表面；阻挡层，形成于所述外延结构上表面，所述阻挡层具有N孔区域和P孔区域；N电极扩散层，形成于所述阻拦层上表面，所述N电极扩散层具有N孔区域；钝化层，形成于所述阻挡层上表面，所述钝化层具有第一预留区域及第二预留区域，所述第一预留区域对应所述P电极区域；2CN106653955A权利要求书2/2页电极层，形成于所述钝化层上表面；其中，所述第一预留区域、第二预留区域包含特定的标识信息。10.根据权利要求9所述的一种识别芯片，其特征在于：所述第一预留区域及第二预留区域深度为2000-15000μm。11.根据权利要求9所述的一种识别芯片，其特征在于：所述第一预留区域及第二预留区域包含字母、数字、图形和符号其中的一种或多种构成的标识信息。12.根据权利要求9至11任一所述的一种识别芯片，其特征在于：所述电极层包含P型电极和N型电极，形成于所述钝化层上表面，所述第一预留区域设置于P电极区域，所述第二预留区域设置于N电极区域，用于区别电极；所述第一预留区域的深度为直至透明导电层或反光镜层，所述第二预留区域的深度为直至所述N电极扩散层。3CN106653955A