石墨烯电极及其制备方法、显示面板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106842732A(43)申请公布日2017.06.13(21)申请号201710253384.1(22)申请日2017.04.18(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人郭康(74)专利代理机构北京市立方律师事务所11330代理人刘延喜王增鑫(51)Int.Cl.G02F1/1343(2006.01)C01B32/184(2017.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称石墨烯电极及其制备方法、显示面板(57)摘要本发明提供一种石墨烯电极的制备方法及由该方法制得的石墨烯电极、应用该石墨烯电极的显示面板。该制备方法依序包括在生长基底上生长石墨烯薄膜、在石墨烯表面沉积牺牲层薄膜、将石墨烯-牺牲层薄膜从生长基底到目标基板的转移及对石墨烯-牺牲层薄膜进行图案化处理并去除所述牺牲层薄膜等步骤，通过在石墨烯表面沉积牺牲层薄膜而实现对聚合物与石墨烯的隔离，避免了图案化工艺完成后聚合物在石墨烯表面的残留，保证石墨烯电极具有良好的光电特性。CN106842732ACN106842732A权利要求书1/1页1.一种石墨烯电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在生长基底上生长石墨烯；在石墨烯表面沉积牺牲层薄膜，构成石墨烯-牺牲层薄膜；将石墨烯-牺牲层薄膜从生长基底转移到目标基板上；对石墨烯-牺牲层薄膜进行图案化处理并去除所述牺牲层，形成图案化的石墨烯电极。2.根据权利要求1所述的石墨烯电极的制备方法，其特征在于：所述对石墨烯-牺牲层薄膜进行图案化处理并去除所述牺牲层，形成图案化的石墨烯电极过程进一步包括以下步骤：在牺牲层上涂布光刻胶并依序进行曝光、光刻胶显影；对牺牲层薄膜进行蚀刻；剥离所述光刻胶；对石墨烯进行干刻；湿刻所述牺牲层薄膜以去除牺牲层。3.根据权利要求2所述的石墨烯电极的制备方法，其特征在于，当对牺牲层进行蚀刻的方式为湿刻时，所采用的所述刻蚀液为盐酸、磷酸及其他中强酸中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的石墨烯电极的制备方法，其特征在于，所述牺牲层薄膜的材料为氧化铝薄膜、氧化镁薄膜或其他金属氧化物薄膜。5.根据权利要求1所述的石墨烯电极的制备方法，其特征在于，所述牺牲层薄膜为非晶态结构，其厚度为5～100nm。6.根据权利要求1所述的石墨烯电极的制备方法，其特征在于，所述在石墨烯表面沉积牺牲层薄膜，构成石墨烯-牺牲层薄膜进一步包括以下步骤：该沉积过程在温度小于400℃的沉积反应室内进行，(1)在沉积反应室内完成单体三甲基铝在石墨烯表面的化学吸附反应，其中，反应时间为2～6秒；(2)通入氩气吹扫多余单体5～20秒；(3)通入氧化性气体进行氧化反应形成氧化铝薄膜，通气时间5～10s；(4)继续通入氩气吹扫氧化性气体和反应副产物，通气时间5～20秒；(5)若经前四步获得的氧化铝薄膜的厚度小于预定厚度，则循环重复执行上述步骤(1)～(4)，直到氧化铝薄膜的厚度达到预定厚度范围。7.根据权利要求1所述的石墨烯电极的制备方法，其特征在于，所述将石墨烯-牺牲层薄膜从生长基底转移到目标基板上步骤中采用的转移工艺为PMMA法、胶带释放法、卷对平法中的一种。8.根据权利要求1所述的石墨烯电极的制备方法，其特征在于，所述目标基板采用玻璃基板、玻璃/PI、玻璃/PET及其他玻璃/柔性衬底复合基板中的一种。9.一种石墨烯电极，其特征在于，该石墨烯电极由权利要求1至8任意一项所述的制备方法制得。10.一种显示面板，其特征在于，其包括权利要求9所述的石墨烯电极。2CN106842732A说明书1/4页石墨烯电极及其制备方法、显示面板技术领域[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种石墨烯电极的制备方法、采用该制备方法制得的石墨烯电极及应用该石墨烯电极的显示面板。背景技术[0002]随着电子器件的迅速发展，可弯折的电子器件，如柔性触摸屏、柔性显示器等新型电子器件已经逐渐走入了人们的生活。作为这些柔性器件的重要组成部分，透明电极也相应背负上了柔性化的使命。目前，广泛使用的商业化透明电极多为氧化铟锡(ITO),虽然它具有较高的透过率和较低方阻的特性，但是ITO不可避免地用到了价格昂贵的铟元素，并且其本身具有脆性大的缺点，所得到的导电膜的耐弯折性并不理想。因此,寻找一种廉价、耐弯折的导电膜材料具有重要的意义。[0003]石墨烯是由单层碳原子组成的二维平面结构,它具有极高的透过率(其单层透过率达到97.7％)和优异的弯折性能，是一种较理想的柔性透明导电膜。石墨烯电极的制备主要包括生长、转移和图案化工艺。在具有量产性的胶带释放法等转移工艺和光刻法等图案化工艺中，都存在聚合物在石墨烯表面的残留影响石墨烯光电特性的问题